No.130 (2007年9月)

次世代ナノスケールメモリーの薄膜・ドット・界面制御

ニュースレターを読む パスワードが必要です。ニュースレターを読む パスワードが必要です。

巻頭言
ナノ領域に挑戦するメモリ技術
小柳光正(東北大)

研究
次世代ナノスケールメモリーの薄膜・ドット・界面制御
Siナノクリスタルを用いた2重トンネル接合メモリー
(Siナノクリスタルを介した電子のトンネル現象)
大場竜二(東芝)

MgOトンネル磁気抵抗素子の巨大TMR効果とMRAMおよびHDD磁気ヘッドへの応用
湯浅新治(産総研)

金属/酸化物/金属構造における電気抵抗スイッチング現象
井上公(産総研)

熱アシスト磁気記録用高効率近接場光発生素子の開発
松本拓也(日立)

最新技術情報
LEEM/PEEM を用いた表面研究
越川孝範(大阪電通大)

談話室
研究室紹介
日本女子大学理学部数物科学科 一宮研究室

Brush up English
科学英語一言メモ:
冠詞の有無で大違い
山下理恵(筑波大)