巻頭言 産学独の豊富な役立つ知識を集約する場の提供を目指して 山部 紀久夫
研究 SiC 技術の進展－なぜいまSiC 技術が重要なのか－ 恩田 正一
SiC の基礎物性 吉田 貞史
SiC 単結晶の結晶成長技術 藤本 辰雄
4H-SiC エピタキシャル成長と欠陥制御 土田 秀一 他
SiC ウェハの検査・評価技術 北畠 真
SiC パワーデバイス開発と評価技術 渡部 平司
談話室 研究室紹介 土佐 正弘
