セミナー:ニューロデバイスに向けた最新メモリデバイス・薄膜材料技術

第48回 薄膜・表面物理セミナー (2020)

新型コロナウイルス感染拡大のため、延期させていただきます。(開催時期未定)

詳細PDF:第48回薄膜表面物理セミナーポスター

参加登録サイトはこちら

人間の脳の動作を模倣した、学習機能を有するニューロデバイスに関する研究が産官学で活発に進められています。ニューロデバイスの実現には、重み付け素子として高性能な不揮発性メモリを用いることが重要です。最先端のフラッシュメモリでは、微細化と3次元積層技術の進展により1Tbのメモリが実用化されるに至っていますが、さらなる高性能化を目的として、新しい動作原理や薄膜技術を用いた多様な新規不揮発性メモリの研究が盛んに行われています。本セミナーでは、ニューロデバイスへの応用を踏まえ、最先端の不揮発性メモリデバイスおよび薄膜材料技術について、第一線でご活躍されている講師の方々に最新の成果をご紹介頂きます。最新の研究動向を知りたい皆様や次世代を担う若手の皆様など多くの方々のご参加をお待ちしております。

日時:2020年7月10日(金) 10:00-16:30 (9:30 受付開始)

場所:キャンパス・イノベーションセンター東京

(東京都港区芝浦3丁目3-6 ℡03-5440-9020)
アクセスマップhttp://www.cictokyo.jp/access.html

プログラム

日時講演テーマ講師(敬称略)

10

(金)

10:00-10:05開会
10:05-10:55不揮発性メモリを用いたAIプロセッサ/ニューロモルフィック回路技術の進展と今後の展望森江 隆
(九工大)
10:55-11:40Voltage-Control Spintronics MemoryとそのIn-memory Computing への応用與田 博明
(YODA-S株式会社)
昼休憩 (80 分)
13:00-13:45強誘電体メモリトランジスタの基本とメモリ回路への応用酒井 滋樹
(産総研)
13:45-14:30不揮発性メモリを用いたアナログ抵抗変化制御の現状と課題長谷川 剛
(早稲田大)
休憩 (25 分)
14:55-15:40相変化メモリ材料の研究開発動向須藤 祐司
(東北大)
15:40-16:25大容量化に向けた三次元フラッシュメモリセル技術三谷 祐一郎
(キオクシア)
16:25-16:30閉会

 

参加費,テキスト代,消費税を含む.

薄膜・表面物理
分科会会員*
応用物理学会会員**
協賛学協会会員
学生その他
10,000円15,000円3,000円25,000円

* 薄膜・表面物理分科会賛助会社の方は分科会会員扱いといたします.

** 応用物理学会賛助会社の方は,応用物理学会会員扱いといたします.

現在非会員の方でも,参加登録時に薄膜・表面物理分科会(年会費:正会員:2,200円(学生・院生:500円),準会員:3,000円(学生・院生:500円))にご入会いただければ,本セミナーより会員扱いとさせていただきます.

http://www.jsap.or.jp/join/index.html

より入会登録を行い,仮会員番号を取得後,本セミナーにお申込みください.(年会費をセミナー参加費と同時にお振込なさらないでください.)

定員:

100名 (満員になり次第締め切ります.)

参加申込期間:

2020年4月17日(金)~6月18日(木)

参加申込方法:

本ページ上部にある登録フォームから参加登録をお願いします.
参加登録完了後,ご連絡いただいた期日までに,下記銀行口座に参加費をお振込みください.
原則として参加費の払い戻し,請求書の発行はいたしません.
領収書は当日会場にてお渡しいたします.

参加費振込期間:

2020年5月15日(金)~6月26日(木)

参加費振込先:

三井住友銀行 本店営業部(本店でも可)
普通預金 口座番号:9474715
公益社団法人 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会
シャ) オウヨウブツリガッカイ ハクマクヒョウメンブツリブンカカイ

企画に関する問合せ先:

東レリサーチセンター 山元 隆志
E-Mail: Takashi_Yamamoto@trc.toray.co.jp
東京工業大学 大見 俊一郎
E-Mail: ohmi@ee.e.titech.ac.jp

参加登録問合せ先:

応用物理学会 事務局 分科会担当 五十嵐 周
TEL: 03-3828-7723  FAX: 03-3823-1810
e-mail: igarashi@jsap.or.jp

講演詳細

後日公開

更新:2020/3/28