応用物理学会春秋学術講演会2009 シンポジウム

2009年(平成21年)秋季 第70回 応用物理学会 学術講演会
薄膜・表面物理分科会企画

概要

日時

「省エネルギー社会のための半導体デバイス技術」
2009年9月8日 13:15-17:15

「金属酸化物系材料の新展開-メカニズムの解明からデバイス応用まで-」
2009年9月10日 13:45-18:15

場所

富山大学(富山県富山市五福3190番地)

プログラム(敬称略)

省エネルギー社会のための半導体デバイス技術-2009年9月8日 13:15-17:15
8p-L- / 0
1 13:15-13:25 薄膜・表面物理分科会企画「省エネルギー社会のための半導体デバイス技術」 河原敏男(中部大超伝導)
渡邉孝信(早大理工)
2 13:25-13:50 超低消費電力シリコンデバイス技術の重要性 岩井 洋(東工大フロンティア)
3 13:50-14:15 ナノスケールデバイスの熱問題: 極微細MOSFETにおける発熱の微視的過程と電気伝導への影響 鎌倉良成(阪大院工)
図師知文(早大理工)
渡邉孝信(早大理工)
森 伸也(阪大院工)
谷口研二(阪大院工)
4 14:15-14:40 IGBTの低損失化と省エネルギー 森 睦宏(日立日立研)
5 14:40-15:05 SiCデバイスとエピタキシー技術 児島一聡((独)産総研)
  15:05-15:25 休憩
6 15:25-15:50 温度無依存バンドギャップ半導体TlInGaAsNの成長と半導体レーザへの応用 長谷川繁彦,朝日 一
(阪大産研)
7 15:50-16:15 電子デバイス冷却と熱電効果ー自己冷却素子を中心にして 山口作太郎(中部大超伝導)
中津川博(横浜国大工)
岡本庸一(防衛大工)
8 16:15-16:40 アモルファス・微結晶シリコン太陽電池 増田 淳(産総研)
9 16:40-17:05 化合物半導体太陽電池 山口真史(豊田工大)
10 17:05-17:15 クロージングトーク 渡邉孝信(早大理工)

 

金属酸化物系材料の新展開-メカニズムの解明からデバイス応用まで-2009年9月10日 13:45-18:15
10p-G- / 0
1 13:45-14:00 金属酸化物系材料の新展開 青野正和(物材機構)
2 14:00-14:30 イオン移動を利用した不定比性キャリア変調とスイッチング現象 山口 周,土屋敬志,三好正悟,佐々木直敬,尾山由紀子
(東大工)
3 14:30-15:00 界面制御による酸化物量子物性の発現 川崎雅司(東北大WPI材料機構,東北大金研,CREST-JST)
4 15:00-15:30 鉄系新超伝導体の進展 細野秀雄(東工大フロンティア研,応セラ研)
  15:30-15:45 休憩
5 15:45-16:15 酸化物中における電子・イオンの微視的挙動:第一原理計算によるアプローチ 渡邉 聡,谷 廷坤,笠松秀輔,多田朋史(東大工)
6 16:15-16:45 酸化還元型 電気化学抵抗変化メモリ素子ReRAM ~もう 原理は”不明”ではない!~ 秋永広幸,島 久
(産総研ナノ電子デバイス)
7 16:45-17:10 電気化学抵抗変化素子(イオン注入型) 長谷川剛,寺部一弥,鶴岡 徹,南風盛将光,知京豊裕,青野正和
(物材機構)
8 17:10-17:35 光機能センサー素子への応用 田中啓文(阪大理)
日野貴美(阪大理)
長谷川剛(物材機構MANA)
伊藤弥生美(物材機構MANA)
青野正和(物材機構MANA)
小川琢治(阪大理)
9 17:35-18:05 原子スイッチのCu配線中への形成 阪本利司(NEC)
多田宗弘(NEC)
伴野直樹(NEC)
辻 幸秀(NEC)
斉藤幸重(NEC)
矢部裕子(NEC)
波田博光(NEC)
井口憲幸(NEC)
青野正和(NIMS)
10 18:05-18:15 Closing :金属酸化物系材料の新展開 知京豊裕(物材研)

更新:2009/1/1