講演会プログラム
タイムスケジュール ※2016.10.4時点
時間 | 大ホール | 中ホール | 多目的ホール | 2Fホワイエ(通路) |
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9:00〜 | 受付開始 | (展示準備) | ||
10:00-10:05 | 開式の辞 | |||
10:05〜11:35 | セッションT:基調講演 基調講演1 嶋田隆一(筑波大) 「パワー半導体が拓く高機能な電力システムへの期待」 基調講演2 岩佐稔(JAXA) 「人工衛星の電力制御システムと先進パワー半導体への期待」 |
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11:35-13:00 | 昼食 | 企業展示 | ||
13:00〜16:00 | <ポスター発表> 13:00-14:30 奇数番号講演 14:30-16:00 偶数番号講演 |
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16:00-16:10 | 休憩 | |||
16:10〜17:40 | インダストリアルセッション(T) | インダストリアルセッション(U) | ||
18:30〜20:30 | 懇親会(アネックス) |
時間 | 大ホール | 中ホール | 2Fホワイエ(通路) |
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9:00〜 10:10 |
セッションU:SiC、Si結晶・評価 招待講演 ・中川聰子(グローバルウェーハズ・ジャパン) 「フォトルミネッセンス法によるシリコン結晶中の炭素濃度の解析 」 ・一般講演×2 |
セッションV:ダイヤ、GaOなど 招待講演 ・織田真也(フロスフィア) 「酸化ガリウム(α-Ga2O3)超低オン抵抗ダイオードの開発」 ・一般講演×2 |
企業展示 |
10:10-10:30 | 休憩 | ||
10:30〜 11:40 |
セッションW:SiCプロセス・デバイス 招待講演 ・原田信介(産総研) 「第2世代SiC MOSFET "IE-UMOSFET"の開発と今後の展開」 ・一般講演×2 |
セッションX:GaN 招待講演 ・須田淳(京大) 「縦型GaNパワーデバイス実現に向けたGaNの物性評価」 ・一般講演×2 |
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11:40-13:00 | 昼食 | ||
13:00〜 14:30 |
セッションY:招待講演 ・大澤弘(昭和電工) 「SiCパワーデバイス用エピウエハの開発・量産状況」 ・渡部平司(阪大) 「先進パワーデバイスにおける新規ゲート絶縁膜開発 −SiC及びGaN基板上MOS構造形成技術の類似点と相違点−」 ・上田哲三(パナソニック) 「ワイドギャップパワー半導体デバイスの最新技術」 |
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14:30-14:50 | 休憩 | ||
14:50〜 15:30 |
セッションZ:奨励賞受賞記念講演 ・田尻光毅(阪大) 「サブ大気圧プラズマを用いたSiC基板の高能率加工」 ・小林拓真(京大) 「高濃度AlドープSiCの酸化機構とMOS界面電子物性」 |
(展示撤収) | |
15:30〜 16:15 |
セッション[:特別講演 特別講演 ・板東 真史(本田技研) 「燃料電池車へのFull SiC適用事例の紹介と今後のワイドバンドギャップ半導体への期待(仮)」 |
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16:15-16:25 | 奨励賞授賞式 | ||
16:25-16:35 | 閉式の辞 |
先進パワー半導体分科会第3回講演会実行委員会 adps_3rd_meeting@opt.ees.saitama-u.ac.jp