講演会プログラム

タイムスケジュール ※2016.10.4時点

11月8日(火)
時間 大ホール 中ホール 多目的ホール 2Fホワイエ(通路)
9:00〜 受付開始 (展示準備)
10:00-10:05 開式の辞
10:05〜11:35 セッションT:基調講演
基調講演1
   嶋田隆一(筑波大) 「パワー半導体が拓く高機能な電力システムへの期待」
 基調講演2
   岩佐稔(JAXA) 「人工衛星の電力制御システムと先進パワー半導体への期待」
11:35-13:00 昼食 企業展示
13:00〜16:00     <ポスター発表>
13:00-14:30
奇数番号講演
14:30-16:00
偶数番号講演
16:00-16:10 休憩
16:10〜17:40 インダストリアルセッション(T) インダストリアルセッション(U)
18:30〜20:30 懇親会(アネックス)


11月9日(水)
時間 大ホール 中ホール 2Fホワイエ(通路)
9:00〜
10:10
セッションU:SiC、Si結晶・評価
招待講演
・中川聰子(グローバルウェーハズ・ジャパン) 「フォトルミネッセンス法によるシリコン結晶中の炭素濃度の解析 」
・一般講演×2
セッションV:ダイヤ、GaOなど
招待講演
・織田真也(フロスフィア) 「酸化ガリウム(α-Ga2O3)超低オン抵抗ダイオードの開発」
・一般講演×2
企業展示
10:10-10:30 休憩
10:30〜
11:40
セッションW:SiCプロセス・デバイス
招待講演
・原田信介(産総研) 「第2世代SiC MOSFET "IE-UMOSFET"の開発と今後の展開」
・一般講演×2
セッションX:GaN
招待講演
・須田淳(京大) 「縦型GaNパワーデバイス実現に向けたGaNの物性評価」
・一般講演×2
11:40-13:00 昼食
13:00〜
14:30
セッションY:招待講演
・大澤弘(昭和電工) 「SiCパワーデバイス用エピウエハの開発・量産状況」
・渡部平司(阪大) 「先進パワーデバイスにおける新規ゲート絶縁膜開発 −SiC及びGaN基板上MOS構造形成技術の類似点と相違点−」
・上田哲三(パナソニック) 「ワイドギャップパワー半導体デバイスの最新技術」
 
14:30-14:50 休憩
14:50〜
15:30
セッションZ:奨励賞受賞記念講演
・田尻光毅(阪大) 「サブ大気圧プラズマを用いたSiC基板の高能率加工」
・小林拓真(京大) 「高濃度AlドープSiCの酸化機構とMOS界面電子物性」
(展示撤収)
15:30〜
16:15
セッション[:特別講演
特別講演
・板東 真史(本田技研) 「燃料電池車へのFull SiC適用事例の紹介と今後のワイドバンドギャップ半導体への期待(仮)」
16:15-16:25 奨励賞授賞式
16:25-16:35 閉式の辞

先進パワー半導体分科会第3回講演会実行委員会 adps_3rd_meeting@opt.ees.saitama-u.ac.jp