基調講演
Peter Friedrichs（Infineon社）
“Power semiconductor devices at Infineon ?
offering the best out silicon and wide band gap options ”
福島 隆文（東海旅客鉄道）
“SiCデバイスを採用したN700S新幹線電 車駆動システムの開発”
特別講演
天野 浩（名古屋大学）
“トランスフォーマティブエレクトロニクスによる
持続可能なスマート社会”
招待講演
藤田 静雄（京都大学）、四戸 孝、人羅 俊実（FLOSFIA）
“酸化ガリウム材料・デバイスの最近の進展と展望”
平田 和也（ディスコ）
“高速・低材料損失を実現するSiCレーザスライシング：
KABRAプロセス”
俵 武志（産総研・富士電機）
“再結合促進層の適用による4H-SiC PiNダイオードの
積層欠陥の拡大抑制”
林 将平（産総研・東レリサーチセンター）
“4H-SiC PiNダイオードの順方向通電劣化における
積層欠陥拡張起点解析”
宮崎 誠一（名古屋大学）
“GaN－MOSデバイス開発に向けたゲート絶縁膜及び界面の
光電子分光分析”
野口 宗隆（三菱電機）
“Si面SiC MOSFETにおける反転層移動度の低下機構”
小杉 亮治（産総研）
“SiCスーパージャンクション（SJ）素子開発の現状”
中子 偉夫（日立化成）
“無加圧接合可能な焼結Cu接合材”
三島 友義（法政大学）
“自立GaN基板および高耐圧p-n接合ダイオードの開発
～Development of freestanding GaN substrates and
high breakdown voltage p-n junction diodes”
川原田 洋（早稲田大学）
“高耐圧ダイヤモンドFETの縦型、ノーマリオフ、
低オン抵抗への検討”
奨励賞受賞記念講演
田中 一（京都大学）
“価電子帯の異方性を考慮したp型4H-SiCにおける
Hall因子・正孔移動度の理論解析”
森 誠悟（ローム）
“パンチスルー型およびノンパンチスルー型3 kV
4H-SiC逆阻止MOSFETの作製と性能比較”