11月1日（水）
| 9:00 ～ | 受付開始（白鳥ホール） | |
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| 9:55 ～ 10:00 | 開会の辞（白鳥ホール） | |
| 10:00 ～ 11:30 | 基調講演（白鳥ホール） ・Peter Friedrichs（Infineon社） “Power semiconductor devices at Infineon ? offering the best out silicon and wide band gap options ” ・福島 隆文（東海旅客鉄道） “SiCデバイスを採用したN700S新幹線電車駆動システムの開発” |
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| 11:30 ～ 13:00 | 昼食 | |
| 13:00 ～ 13:40 | 奨励賞受賞記念講演（白鳥ホール） ・田中 一（京都大学） “価電子帯の異方性を考慮したp型4H-SiCにおける Hall因子・正孔移動度の理論解析” ・森 誠悟（ローム） “パンチスルー型およびノンパンチスルー型3 kV 4H-SiC逆阻止MOSFETの作製と性能比較” |
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| 13:40 ～ 14:00 | 休憩 | |
| 14:00 ～ 16:30 | ポスターセッションI（イベントホール） 前半（IA） 14:00 ～ 15:15 後半（IB） 15:15 ～ 16:30 |
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| 16:30 ～ 17:40 | インダストリアルセッションI （白鳥ホール１） |
インダストリアルセッションII （白鳥ホール２） |
| 18:00 ～ 20:00 | 懇親会（レセプションホール） | |
11月2日（木）
| 9:00 ～ 11:30 | 招待講演（白鳥ホール１） ・平田 和也（ディスコ） "高速・低材料損失を実現するSiCレーザスライシング ：KABRAプロセス” ・藤田 静雄（京都大学）、 四戸 孝、人羅 俊実（FLOSFIA） "酸化ガリウム材料・デバイスの最近の進展と展望” ・俵 武志（産総研・富士電機） "再結合促進層の適用による4H-SiC PiNダイオードの積層欠陥の拡大抑制” ・川原田 洋（早稲田大学） "高耐圧ダイヤモンドFETの縦型、ノーマリオフ、低オン抵抗への検討" ・林 将平（産総研・東レリサーチセンター） "4H-SiC PiNダイオードの順方向通電劣化における 積層欠陥拡張起点解析” |
招待講演（白鳥ホール２） ・宮崎 誠一（名古屋大学） "GaN－MOSデバイス開発に向けたゲート絶縁膜及び 界面の光電子分光分析” ・野口 宗隆（三菱電機） "Si面SiC MOSFETにおける反転層移動度の低下機構” ・小杉 亮治（産総研） "SiCスーパージャンクション（SJ）素子開発の現状" ・三島 友義（法政大学） "自立GaN基板および高耐圧p-n接合ダイオードの開発 ～Development of freestanding GaN substrates and high breakdown voltage p-n junction diodes" ・中子 偉夫（日立化成） "無加圧接合可能な焼結Cu接合材" |
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| 11:30 ～ 12:45 | 昼食 | |
| 12:45 ～ 15:15 | ポスターセッションII（イベントホール） 前半（IIA） 12:45 ～ 14:00 後半（IIB） 14:00 ～ 15:15 |
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| 15:15 ～ 15:30 | 休憩 | |
| 15:30 ～ 16:05 | 特別講演（白鳥ホール） ・天野 浩（名古屋大学） ”トランスフォーマティブエレクトロニクスによる 持続可能なスマート社会” |
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| 16:05 ～ 16:25 | 授賞式・クロージング（白鳥ホール） | |