タイムテーブル
11月6日（火）| 時間 | テルサホール | 大会議室 | ポスター会場 | 展示会場 |
|---|---|---|---|---|
| 9:55-10:00 | 開会挨拶 | |||
| 10:00-11:30 | セッションⅠ （基調講演） |
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| 11:30-12:40 | 昼食休憩 | |||
| 12:40-13:40 | セッションⅡ （招待講演） |
セッションⅢ （招待講演） |
企業展示 | |
| 13:40-15:00 | インダストリアル セッション |
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| 15:00-15:10 | 休憩 | |||
| 15:10-16:25 | ポスターセッションⅠA | |||
| 16:25-17:40 | ポスターセッションⅠB | |||
| 18:00-20:00 | 懇親会 | |||
| 時間 | テルサホール | 大会議室 | ポスター会場 | 展示会場 |
|---|---|---|---|---|
| 9:00-10:00 | セッションⅣ （特別講演） |
企業展示 | ||
| 10:00-10:15 | 休憩 | |||
| 10:15-12:15 | セッションⅤ （招待講演） |
セッションⅥ （招待講演） |
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| 12:15-13:30 | 昼食休憩 | |||
| 13:30-14:45 | ポスターセッションⅡA | |||
| 14:45-16:00 | ポスターセッションⅡB | |||
| 16:00-16:10 | 休憩 | |||
| 16:10-16:50 | セッションⅦ （昨年度奨励賞 受賞記念講演） |
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| 16:50-17:10 | 奨励賞授賞式 クロージング |
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詳細プログラム
11月6日（火）
9:55~10:00 開会挨拶（テルサホール）
10:00~11:30 セッションI：基調講演（テルサホール）
10:00~10:45
パワー半導体SiCの発展経緯―これまでとこれから―
松波 弘之（京都大学名誉教授）
10:45~11:30
HEMTの開発経緯
三村 髙志（株式会社富士通研究所 名誉フェロー）
11:30~12:40 昼食休憩
12:40~13:40 セッションII：招待講演（テルサホール）
12:40~13:10
パワー半導体の市場予測と車載分野の可能性
池山 智也（矢野経済研究所）
13:10~13:40
GaN縦型パワーデバイスのためのエピ・デバイスプロセス技術
須田 淳（名古屋大学）
12:40~13:40 セッションIII：招待講演（大会議室）
12:40~13:10
Naフラックス法とOVPE法によるGaN結晶育成技術の新展開
森 勇介（大阪大学）
13:10~13:40
パワー半導体用SiCウェハ開発の動向
加藤 智久（産業技術総合研究所）
13:40~15:00 インダストリアルセッション（テルサホール）
15:00~15:10 休憩
15:10~17:40 ポスターセッションⅠA・ⅠB（ポスター会場）
18:00~20:00 懇親会（テルサホール）
11月7日（水）
9:00~10:00 セッションⅣ：特別講演（テルサホール）
9:00~9:30
SiCパワーデバイス/パワーエレクトロニクス技術の進展
奥村 元（産業技術総合研究所）
9:30~10:00
電動化が切り拓く航空の未来
西沢 啓（宇宙航空研究開発機構）
10:00~10:15 休憩
10:15~12:15 セッションⅤ：招待講演（テルサホール）
10:15~10:45
ワイドギャップ半導体デバイスの特長を活かすためのアプリケーション研究
中原 健（ローム株式会社）
10:45~11:15
酸化ガリウムパワーデバイスの進展と展望
四戸 孝（株式会社FLOSFIA）
11:15~11:45
要素評価とメカニズム理解に基づくSiC-MOSFETの設計・実用化・今後
日野 史郎（三菱電機株式会社）
11:45~12:15
縦型GaNパワーMOSFET, SBDの開発
西井 潤弥（豊田合成株式会社）
10:15~12:15 セッションⅥ：招待講演（大会議室）
10:15~10:45
SiCウェハ欠陥と解析評価技術開発
先崎 純寿（産業技術総合研究所）
10:45~11:15
SiC-MOS界面欠陥の起源：電子スピン共鳴分光の最新の結果より
梅田 享英（筑波大学）
11:15~11:45
メタライズ放熱基板の信頼性評価とその特性向上
平尾 喜代司（産業技術総合研究所）
11:45~12:15
化合物パワー半導体の信頼性試験標準化動向
山口 浩二（富士電機株式会社）
12:15~13:30 昼食休憩
13:30~16:00 ポスターセッションⅡA・ⅡB（ポスター会場）
16:00~16:10 休憩
16:10~16:50 セッションⅦ：昨年度奨励賞受賞記念講演（テルサホール）
16:10~16:30
直交Deep-P構造を有する超低損失SiC-MOSFETの開発
一村 愛子（株式会社デンソー）
16:30~16:50
ラマン分光法と機械学習によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析
小久保 信彦（名古屋大学）