招待講演

基調講演

・佐野　賢也（東芝デバイス＆ストレージ株式会社）
「カーボンニュートラルに向けた東芝のワイドバンドギャップ半導体の取組み」

・西岡　淳（日立HVDCテクノロジーズ株式会社）
「再生可能エネルギーの大量導入に貢献するHVDC」

・山田　健二（株式会社安川電機）
「パワエレ機器におけるWBGデバイスの適用事例と展望」

招待講演

・岸　信夫（株式会社SkyDrive）
「空の移動革命への挑戦　～日本発 空飛ぶクルマと物流ドローンの開発～」

・川原田　洋（早稲田大学）
「C-Si-O終端チャネル縦型ダイヤモンドパワーMOSFET」

・金子　光顕（京都大学）
「高温動作集積回路を目指したSiC相補型JFETの基礎研究」

・中原　健（ローム株式会社）
「パワーデバイスがアプリケーションに与える影響を測る・予測する研究開発」

・下山　学（株式会社SUMCO）
「パワー半導体用シリコンウェーハの最新動向」

・佐々木　公平（株式会社ノベルクリスタルテクノロジー）
「酸化ガリウムの結晶成長とパワーデバイス応用」

・庄野　健（トランスフォームジャパン株式会社）
「1200V耐圧GaNパワートランジスタの開発」

・三谷　武志（産業技術総合研究所）
「溶液法／昇華法を組み合わせたハイブリッド成長法による高品質SiC結晶生産技術開発」

・冨谷　茂隆（ソニーグループ株式会社）
　 「半導体材料・デバイスにおける計測インフォマティクス」

・原田　俊太（名古屋大学）
「パワーデバイスSiC基板の結晶欠陥評価 ――欠陥分布・マルチモーダル解析」

・東　清一郎（広島大学）
「光学干渉非接触温度測定法によるパワーデバイス内部における自己発熱温度分布の三次元イメージングとデバイス劣化過程の観測」

・原田　信介（産業技術総合研究所）
「SiCとGaNの融合デバイス開発と将来について」

依頼講演

・松岡　大雅（京都大学）
「Hall効果測定によるSイオン注入n型SiC層の電気的性質評価」

・浅田　聡志（電力中央研究所）
「SiCパワーデバイスの通電特性に与える積層欠陥の影響」