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The 9th Meeting on
Advanced Power Semiconductors Division

招待講演

基調講演

・佐野 賢也(東芝デバイス&ストレージ株式会社)
「カーボンニュートラル社会に向けた東芝のワイドギャップ半導体戦略(仮)」

・西岡 淳(日立HVDCテクノロジーズ株式会社)
「再生可能エネルギーの大量導入に貢献するHVDC」

・山田 健二(株式会社安川電機)
「パワエレ機器におけるWBGデバイスの適用事例と展望」



招待講演

・岸 信夫(株式会社SkyDrive)
「空の移動革命への挑戦 ~日本発 空飛ぶクルマと物流ドローンの開発~」

・川原田 洋(早稲田大学)
「C-Si-O終端チャネル縦型ダイヤモンドパワーMOSFET」

・金子 光顕(京都大学)
「高温動作集積回路を目指したSiC相補型JFETの開発」

・中原 健(ローム株式会社)
「パワーデバイスがアプリケーションに与える影響を測る・予測する研究開発」

・下山 学(株式会社SUMCO)
「パワー半導体用シリコンウェーハの最新動向」

・佐々木 公平(株式会社ノベルクリスタルテクノロジー)
「酸化ガリウムの結晶成長とパワーデバイス応用」

・庄野 健(トランスフォームジャパン株式会社)
「1200V耐圧GaNパワートランジスタの開発」

・三谷 武志(産業技術総合研究所)
「溶液法/昇華法を組み合わせたハイブリッド成長法による高品質SiC結晶生産技術開発」

・冨谷 茂隆(ソニーグループ株式会社)
  TBA

・原田 俊太(名古屋大学)
「次世代パワーデバイス用SiC基板の欠陥評価技術」

・東 清一郎(広島大学)
「光学干渉非接触温度測定法によるパワーデバイス内部における自己発熱温度分布の三次元イメージングとデバイス劣化過程の観測」

・原田 信介(産業技術総合研究所)
「SiCとGaNの融合デバイス開発と将来について」


依頼講演

・松岡 大雅(京都大学)
「Hall効果測定によるSイオン注入n型SiC層の電気的性質評価」

・浅田 聡志(電力中央研究所)
「SiCパワーデバイスの通電特性に与える積層欠陥の影響」


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