チュートリアル

ワイドバンドギャップ半導体のデバイス・プロセス

　　　　　　　◇ 日時：　2022年12月19日（月） 10:00～17:45
　　　　　　　◇ 場所：　福岡国際会議場 5F 502/503室
　　　　　　　https://www.marinemesse.or.jp/congress/

先進パワー半導体分科会第9回講演会に先立ち、チュートリアルを開催する。パワー半導体を研究している大学院生や若手研究者を主な対象とし、一流の講師陣からWBG半導体のデバイス・プロセスについてご講演を頂く。WBG半導体の社会実装が進み、より本格的な量産にシフトしつつある。デバイス・プロセス技術の改善の中、よりプロセスイノベーション創出が進む新しいフェーズに移行しつつある。このチュートリアルでは、このような背景のもと、WBG半導体のデバイス・プロセス技術の基礎を概観し・問題点も明らかにすることで、若手研究者がこれからより進めるべき研究開発を考える機会とする。

プログラム

10:00～10:05　開会の挨拶

10:05～11:00　田中 保宣（産業技術総合研究所）
        「WBG半導体デバイス・プロセス概観」

11:05～12:00　田岡 紀之（名古屋大学）
       「金属-酸化膜-半導体(MOS)構造におけるキャリア応答の定性的理解と
        MOS界面準位密度評価」

12:00～13:30　昼食

13:30～14:25　西村 智朗（法政大学）
       「WBG半導体におけるイオン注入」

14:30～15:25　河合 潤（株式会社ミライズテクノロジーズ）
       「レーザーアニールによるSiCデバイスの裏面電極の形成技術」

15:25～15:45　休憩

15:45～16:40　五十嵐 健二（株式会社東京精密）
       「WBG半導体におけるウェハ加工技術の現状と課題」

16:45～17:40　先崎 純寿（産業技術総合研究所）
       「WBG半導体デバイスの信頼性」

17:40～17:45　閉会挨拶

■ 参加受付: WEB参加受付システム（9月開始予定）から参加登録と参加費のオンライン決済をお願いします。席数に限りがあるため早期に参加受付を終了することがあります。

■ 感染症対策： 事前の検温にご協力頂き、発熱がある場合は当日のご参加はご遠慮下さい。また、会場入り口での再度の検温にご協力下さい（体温が37.5度以上ある場合、ご参加頂けません）。会場では、消毒およびマスクの常時着用をお願い致します。

問合せ先: （各種手続きに関するお問い合わせは応用物理学会事務局までお願いします）
加藤正史(名工大） kato.masashi [at] nitech.ac.jp
黒木伸一郎（広島大・代表世話人） skuroki [at] hiroshima-u.ac.jp
小林拓真（大阪大） kobayashi [at] prec.eng.osaka-u.ac.jp
佐野泰久（大阪大） sano [at] prec.eng.osaka-u.ac.jp
古川彰彦（三菱電機） Furukawa.Akihiko [at] df.MitsubishiElectric.co.jp
※白石 陽子（応用物理学会事務局） shiraishi [at] jsap.or.jp