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結晶工学分科会研究会

公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会主催
第157回結晶工学分科会研究会(応用電子物性分科会との連携研究会)

窒化物半導体光デバイスの最前線

- 結晶成長の理解とデバイス開発 -


◇ 日時:2022年6月1日(水)10:00~16:20  
◇ 形式:Zoomによるオンライン開催


  近年,窒化物半導体を用いた発光デバイス(LEDやレーザダイオード)の研究開発の進展が目覚ましく,深紫外から赤色までの幅広い波長域で,垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL),マイクロLEDなど様々な構造の発光素子,プラズモン効果や非線形光学効果など物性をうまく利用した光デバイスの技術が開発されてきています。今回は,これらの窒化物半導体光デバイスの最前線を理解し,今後の展望について議論することを目的として,「応用電子物性分科会と結晶工学分科会との連催研究例会」を企画しました。第一線でご活躍されている方々に下記のプログラムにて招待講演をいただきます。初日の結晶工学分科会研究会では,マイクロLEDやナノコラム構造を用いた発光デバイスについて,2日目の応用電子物性分科会研究例会では,最先端レーザや物性応用デバイスについて議論を深めたいと考えています(応用電子物性分科会ウェブサイトはこちら)。


***プログラム***

10:00~10:10 結晶工学分科会幹事長 挨拶 尾沼 猛儀(工学院大)
10:10~10:15 インダクトリートーク 船戸 充(京大),谷川 智之(阪大)
10:15~11:00 スパッタ成長によるInGaNマイクロLED 藤岡 洋(東大)
11:00~11:45 Eu添加GaN赤色LEDの現状と超高精細マイクロLEDディスプレイ応用可能性 藤原 康文(阪大)
11:45~13:00 昼休み
13:00~13:45 ScAlMgO4基板上での窒化物半導体のMOVPEと赤色発光素子 船戸 充,川上 養一(京大)
13:45~14:30 MOVPE成長InGaN量子井戸赤色LEDとそのマイクロデバイス化 大川 和宏(KAUST)
14:30~14:50 休 憩
14:50~15:35 InGaN赤色ナノコラムLEDの高効率化に向けたナノ結晶・プラズモニック効果の探索 大音 隆男(山形大),岸野 克巳(上智大)
15:35~16:20 GaInN系量子殻デバイス 上山 智(名城大)

参加受付:5月30日までにお申し込みください。
研究会当日まで受け付けます。ぜひお申込みください。
参加申し込みはこちらをクリック

参加費 (テキスト代・消費税込):
結晶工学・応用電子
分科会会員*
結晶工学・応用電子
分科会学生会員

応用物理学会会員
(分科会員でない場合)

一 般  一般学生
3,000円 1,000円 7,000円

10,000円

2,000円


   

上記講演会の問合せ先:
白石 陽子(応用物理学会 事務局) TEL: 03-3828-7723(分科会直通) E-mail:divisions@jsap.or.jp
船戸 充 (京都大学) TEL: 075-383-2309, E-mail: funato@kuee.kyoto-u.ac.jp
谷川 智之 (大阪大学) TEL: 06-6879-7771, E-mail: tanikawa@eei.eng.osaka-u.ac.jp


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