第2回研究会 (1959.9)
昭和34年9月22日 |
35kc/sのADP送受信器とその応用
和田 八三久 (東大工) |
チリ硝石を用いた偏光器
山口 太三郎 (千葉大工) |
第3回研究会 (1959.11)
昭和34年11月17日 |
人工水晶(育成の方法、結晶の性質、振動子への応用)
武田 秋津 (小林理研)、松木 五郎、品田 敏雄 (金石舎) |
灰色錫の作り方(文献紹介）
小川 智哉 (理研) |
第4回研究会 (1959.12)
昭和34年12月22日 |
チタン酸バリウム単結晶の育成
和久 茂 (電電公社通研) |
チタン酸バリウム単結晶の応用
伏見 和郎 (電電公社通研) |
第5回研究会 (1960.2)
昭和35年2月12日 |
人造宝石
国富 稔 (山梨大工) |
人造真珠顔料
蓮 精 (教育大光研) |
Paramagnetic solid state maserと結晶
岩崎 秀夫 (電波研) |
Bubble model of a crystal at high temperature
福島 栄之助 (都立大) |
水晶内転位のエネルギー定数
岩崎 秀夫 (電波研) |
水晶(0001)面上の成長模様
武田 秋津 (小林理研) |
マイクロ波に於けるADP結晶のr63
藤沢 義夫、越川 純男 (千葉大工) |
光伝導結晶について
田中 利雄 (東大工) |
電子ビームの応用
難波 進 (理研) |
熱電現象の諸問題
大室 雄三 (小松電子) |
新しい複素誘電率の測定法
小川 智哉 (理研) |
太陽電池について
林 一雄 (日電) |
シンチレイション用アンスラセン結晶
岩崎 文子 (金石舎) |
CdS単結晶の育成
小川 智哉 (理研) |
BaTiO3単結晶に於けるESR
岩崎 秀夫 (電波研) |
結晶成長の機構
中村 輝太郎 (お茶の水大) |
ADP結晶の偏光測定への応用
高崎 宏 (静大工) |
水晶のthemoluminescence
山本 格治 (都立RI研) |
CdS単結晶による超音波の減衰と増幅
小川 智哉 (理研) |
β線を照射したGASHのESR
岩崎 秀夫 (電波研) |
ベルヌイ法による人工結晶(ルビーを中心にして）
白木 健一 (日電中研) |
NaIシンチレーター
大浦 政弘 (堀場製作所) |
半導体カウンター
小林 久信 (理研) |
赤外線用photoconductive cellについて
上藤 恵栄、小川 力 (教育大光研) |
高庄溶触法によるZnS単結晶育成とその光学的性質
甲府田 隆夫 (東大物性研) |
ハロゲン化銀単結晶の育成と結晶内電子の散乱機構
真隅 泰三 (理研) |
GaAsのエピタクシャルグロース
武藤 準一郎、青木 昌治 (東大工) |
極紫外線の検知
瀬谷 正男 (教育大光研) |
ルビーレーザーとその2、3の応用
難波 進、金 弼鉱 (理研) |
結晶の電気光学効果とnonlinear optical effect
小川 智哉 (理研) |
半導体のjunction laser
神山 雅英、井上 久遠 (東大工) |
固体レーザー材料
塩谷 繁雄 (東大物性研) |
レーザのその後の情勢
宅間 宏 (東大工) |
CdSのHall効果
板倉 正幸 (電電公社通研) |
CdSのサイクロトロン共鳴
沢本 健一 (電電公社通研) |
電子工学に関係のある結晶とその育成
犬塚 英夫 (東芝中研) |
高圧実験法
秋本 俊一 (東大物性研) |
GaAs単結晶の育成
丸山 光弘 (日電礎研) |
BeOセラミックス
西垣 進 (日本碍子研) |
フェライト単結晶の育成
宮田 直憲 (横浜国大) |
2、3の方法によるYIGの育成
高須 新一郎 (東芝中研) |
アントラセンの結晶育成と電気伝導
中田 一郎 (東大物性研) |
アセチレン重合体の結晶性と伝導性
簸野 昌弘 (東工大) |
ZnS結晶内の光学中心の構造
国府田 隆夫 (東大物性研) |
パイパー法によるCdS単結晶の育成とその性質
雨宮 正博、志賀 一雅 (松下東研) |
CbS単結晶の成長機構
千川 純一 (NHK技研) |
CbSにおける積層不整
佐藤 亮一郎 (三菱金属鉱業中研) |
水晶の性質
武田 秋津 (通研) |
CdSのAcoustoelectric effect
小川 智哉 (学習院大) |
NaNO2、SbSIなどの強誘電性と圧電性
浜野 勝美 (小林理研) |
マイクロ波、ミリ波、光波の検波器としての強誘電結晶
岩崎 秀夫 (電波研) |
SbSI単結晶の育成とその物性
古畑 芳男、佐々木 行彦 (日立中研) |
強誘電体のwhiskerの育成と物性
小野 雅敏、上田 隆三 (早大理工) |
InSbの発振現象
戸田 実 (RCA東研) |
GaAsの発振現象
生駒 英明 (東芝中研) |
蒸着による単結晶薄膜の製作
難波 進、河津 璋 (理研) |
表面構造の研究法
砂川 一郎 (地質調査所) |
物質内電磁波のdynamics
豊沢 豊 (東大物性研) |
無極性物質における三周波光混合
高辻 正基 (日立中研) |
結晶の施光測定法と強誘電体への応用
二馬 秀夫 (大理大) |
金属whiskerの量産と応用
岸 清 (東理大) |
引上げ法によるルビー単結晶の育成
丸山 光弘 (日電中研) |
LiNbO2単結晶の育成
新関 暢一 (通研) |
最近の強誘電体および反強誘電体
古畑 芳男 (日立中研) |
針状水晶の成長に関する2、3の考察
山下 秀治 (都立RI研) |
光変調における結晶の応用
斉藤 成文、藤井 陽一、小野 健 (東大生研) |
電気光学結晶を用いた新しい通信方式
長谷川 幸雄 (日立中研) |
第43回研究会 (1968.6)
昭和43年6月14日 |
ニッケル亜鉛フェライト単結晶の育成
明石 雅夫、松海 紘一、岡田 隆、水谷 卓之(日電中研) |
フラックス法によるYGaG:Nd単結晶の育成
鈴石 正継、伊藤 博夫、川村 和民 (沖電気研) |
第44回研究会 (1968.9)
昭和43年9月20日 |
人工水晶振動子と格予欠陥
品田 敏雄、松木 五郎、生沼 進、木村 棟一、岩崎 文子 (金石舎研) |
Etchingによる格子欠陥と人工水晶振動子との関係
浅原 準平、滝 貞男、久玉 輝美 (東洋通信機) |
人工水晶中の欠陥のX線トポグラフによる研究
高木 ミエ子、赤堀 侃司 (東工大)、岩崎 文子 (金石舎研) |
第45回研究会 (1969.4)
昭和44年4月25日 |
CuCl単結晶育成とその2、3の性質
猪口 敏夫、中沢 勝郎、木場 誠義、岡本 高明(早川電気中研) |
Electro-optic効果を用いた光変調
末田 正、後藤 幸一 (阪大基礎工) |
液晶のエレクトロニクスへの応用
鳥山 和久、野村 貞夫 (日立中研) |
第47回研究会 (1969.11)
昭和44年11月28日 |
TeO2単結晶の育成と超音波光回折素子としての応用
岩崎 裕、宮澤 信太郎、内田 直也 (通研) |
モリブデン酸ガドリニウム単結晶の育成と2、3の性質
湯元 浩 (日立中研) |
第48回研究会 (1970.2)
昭和45年2月6日 |
引上げ法による単結晶成長 —回転数の影響
白木 健一 (日電中研) |
半導体ICの結晶について
丸山 光弘 (日電半導体事業部) |
第49回研究会 (1970.6)
昭和45年6月5日 |
シリコン・ビジコンについて
山戸 利美 (NHK技研) |
点欠陥とその集合体のX線回折による検出
千川 純一 (NHK技研) |
| NHK技研内見学 |
第50回研究会 (1970.9)
昭和45年9月25日 |
GaAs気相成長の技術的ポイント
飯田 進也 (日立中研) |
強誘電体の温度トランスデューサーへの応用
高見 勝己 (日立中研) |
第51回研究会 (1971.2)
昭和46年2月3日 |
GaNの結晶成長
青木 昌治、松本 俊 (東大工) |
シリコン単結晶中の転位観察
小竹 雄 (電総研) |
ZnSeの結晶成長とその性質
宮本 重弘 (NHK基礎研)、塩谷 繁雄 (東大物性研) |
研究会 (1971.3)
昭和46年3月30日 電電公社電気通信研究所 |
結晶の精密加工
井田 一郎 (電気通信研) |
光学結晶の加工
岡本 勝教 (岡本光学) |
第60回研究会 (1972.12)
引上法の理論と実際
昭和47年12月25日 |
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第61回研究会 (1973.3)
応用磁性結晶
昭和48年3月26日 |
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第62回研究会 (1973.8)
固体の分析技術
昭和48年8月6日 |
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イオンマイクロアナライザ
田村 一二三 (日立中研那珂分室) |
半導体中の不純物分析
飯田 進也 (日立中研) |
光学ガラス中の不純物について
川島 敏 (茨城通研) |
14MeV中性子を利用した酸素の分析
藤井 勲 (東芝総研エネルギー研) |
第63回研究会 (1973.11)
高圧合成
昭和48年11月15日 |
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第64回研究会 (1974.7)
化合物結晶のストイキオメトリー
昭和49年7月29日 |
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第65回研究会 (1975.3)
分子線結晶成長
昭和50年3月31日 電総研田無 |
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第66回研究会 (1975.7)
CVDとLPE技術の比較 —case study—
昭和50年7月10日 |
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第67回研究会 (1975.12)
エッチング
昭和50年12月19日 |
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第68回研究会 (1976.4)
青色発光素子用半導体
昭和51年4月16日 機械振興会館66号室 |
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第69回研究会 (1976.9)
GaAsサブミクロンエピタキシャル結晶の問題点 ～GaAsプレーナ素子用結晶～
昭和51年9月27日 |
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第70回研究会 (1977.3)
最近の光学顕微鏡 —結晶・素子評価のための光学顕微鏡の現状と問題点—
昭和52年3月25日 学習院大学南2号館200番教室 |
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第71回研究会 (1977.8)
結晶成長の歴史と将来
昭和52年8月27日 |
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第72回研究会 (1978.3)
メモリーデバイスと材料
昭和53年3月10日 |
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第73回研究会 (1978.9)
引上法単結晶の不均一性
昭和53年9月22日 |
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第74回研究会 (1979.5)
極端技術と結晶工学
昭和54年5月25日 |
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第75回研究会 (1979.8)
プラズマによる加工技術
昭和54年8月24日 機械振興会館 |
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第76回研究会 (1980.2)
表面波材料とデバイス
昭和55年2月15日 学習院大学 |
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第77回研究会 (1980.5)
半導体のゲッタリング技術
昭和55年5月20,21日 学習院大学 |
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第78回研究会 (1981.2)
結晶工学におけるマイクロコンピュータ
昭和56年2月27日 学習院大学 |
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第79回研究会 (1981.6)
結晶成長とストイキオメトリー
昭和56年6月26日 学習院大学百年記念会館第4会議室 |
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第80回研究会 (1982.2)
磁性材料の最近の展開 —材料からシステムまで—
昭和57年2月26日 学習院大学百年記念会館第4会議室 |
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第81回研究会 (1982.5)
分析技術のノウハウ
昭和57年5月14日 学習院大学百年記念会館小講堂 |
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第82回研究会 (1983.2)
赤外線の結晶工学への応用
昭和58年2月4日 学習院大学百年記念会館第4会議室 |
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第83回研究会 (1983.5)
超格子構造とその応用
昭和58年5月13日 |
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第84回研究会 (1984.2)
引上げ法における対流の問題
昭和59年2月24日 |
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第85回研究会 (1984.7)（第1回シンポジウム）
GaAs系のエピタキシャル成長とその結晶工学的評価
昭和59年7月20日 学習院大学百年記念会館小講堂 |
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第86回研究会 (1985.2)
SOI (Semiconductor on Insulator) —基礎と将来—
昭和60年2月22日 学習院大学百年記念会館小講堂 |
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第87回研究会 (1986.2)
光励起プロセス技術
昭和61年2月21日 |
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第88回研究会 (1987.1)
バルク結晶の育成と評価
昭和62年1月13日 |
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第89回研究会 (1988.2)
ファイバーオプティクス時代の酸化物結晶
昭和63年2月26日 学習院大学創立百周年記念会館 |
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第90回研究会 (1988.5)
原子層制御エピタキシャル成長と評価
昭和63年5月17日 国際電気通信基礎研究所(ATR)ツイン21MIDタワー20階会議室 |
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第91回研究会 (1989.1)
結晶成長のリアルタイム観察
平成元年1月27日 学習院大学創立百周年記念会館小講堂 |
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第92回研究会 (1989.5)
ヘテロエピタキシー —低欠陥化へのアプローチ—
平成元年5月26日 大阪大学レーザー核融合研究センター研究棟4階大ホール |
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第93回研究会 (1990.1)
非線型光学結晶の展開
平成2年1月31日 |
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第94回研究会 (1990.5)
結晶工学における励起プロセス
平成2年5月25日 京大会館 |
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第95回研究会 (1991.1)
空間光情報処理とフォトリフラクティブ結晶
平成3年1月25日 |
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第96回研究会 (1991.6)
酸化物超伝導体のエピタキシーの現状
平成3年6月7日 京大会館 |
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第97回研究会 (1992.1)
大口径シリコン基板の結晶工学
平成4年1月29日 学習院大学百周年記念会館小講堂 |
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第98回研究会 (1992.5)
青・緑色レーザ材料の結晶工学
平成4年5月15日 三田出版会大阪事業所大会議室 |
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第99回研究会 (1993.1)
固体レーザー結晶およびレーザー制御用結晶の新展開 —紫外から赤外まで—
平成5年1月29日 |
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第100回研究会 (1993.7)
記念研究会 「結晶工学の変遷とその将来」
平成5年7月1,2日 学習院大学百周年記念会館 |
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第101回研究会 (1994.1)
シンクロトロン放射光(SR)と結晶工学
平成6年1月28日 学習院大学百周年記念会館 |
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第102回研究会 (1994.5)
シリコン・オプトデバイスの結晶工学 —表示用TFTから発光・受光デバイスまで—
平成6年5月20日 三田出版会大阪事業所大会議室 |
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第103回研究会 (1995.1)
青色発光発展への課題
平成7年1月20日 学習院大学百周年記念会館 |
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第104回研究会 (1996.1)
G-bit USLIの電極技術 —金属/半導体界面の結晶工学—
平成8年1月19日 学習院大学創立百周年記念会館3F 小講堂 |
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第105回研究会 (1996.5)
太陽電池材料の結晶工学
平成8年5月31日 大阪大学産業科学研究所講堂 |
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第106回研究会 (1997.1)
多結晶薄膜の結晶工学
平成9年1月24日 学習院大学百周年記念会館3F小講堂 |
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第107回研究会 (1997.5)
IV族ワイドギャップ半導体SiC、ダイヤモンドの結晶工学 —耐環境電子素子を目指して—
平成9年5月30日 島津製作所大阪支社マルチホール |
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第108回研究会 (1998.1)
量子ドットの結晶工学 —サイズ分布は狭められるか—
平成10年1月23日 学習院大学百周年記念会館3F小講堂 |
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第109回研究会 (1998.5)
酸化物エレクトロニクスと結晶工学
平成10年5月22日 島津製作所関西支社マルチホール |
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第110回研究会 (1999.6)
水素と結晶工学 —究極の軽元素を制御する—
平成11年6月3日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂 |
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第111回研究会 (2000.4)
ワイドギャップ電子デバイスの結晶工学 —21世紀のロバストデバイスを目指して—
平成12年4月27日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂 |
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第112回研究会 (2000.6)
ジャイアントマイクロエレクトロニクスの結晶工学 —大面積ポリシリコンとその応用—
平成12年6月20日 島津製作所大阪支社マルチホール |
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第113回研究会 (2001.4)
SOIの結晶工学 －0.1μｍ時代のシリコン基板－
平成13年4月25日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂 |
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第114回研究会 (2001.6)
大容量記録技術を支える結晶工学
平成13年6月29日 島津製作所大阪支社マルチホ－ル |
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第115回研究会 (2002.4)
次世代携帯電話の結晶工学
平成14年4月26日 学習院創立百周年記念会館小講堂 |
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第116回研究会 (2002.6)
最新ディスプレイ技術と結晶工学
平成14年6月14日 島津製作所大阪支社マルチホール |
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第117回研究会 (2002.11)
0.1μm時代の極薄拡散バリア技術
平成14年11月29日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂 |
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第118回研究会 (2003.4)
次世代ブロードバンドネットワークを築く結晶工学
平成15年4月25日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂 |
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第119回研究会 (2003.6)
ナノカーボンの結晶工学 － 構造制御と物性 －
平成15年6月13日 名古屋大学 ベンチャービジネスラボラトリー 3階ベンチャーホール |
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第120回研究会 (2004.4)
半導体材料としてのZnO —基板、結晶性、ドーピング—
平成16年4月23日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂 |
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第121回研究会 (2004.7)
ワイドギャップ半導体パワーデバイスの結晶工学 —バルク結晶からデバイスまで—
平成16年7月16日 キャンパスプラザ京都 |
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第122回研究会 (2005.4)
平面型ディスプレイ用蛍光体および白色LEDの新展開 ～結晶工学による特性改善と新規蛍光体材料探索～
平成17年4月22日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂 |
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第123回研究会 (2005.7)
不揮発メモリの現状と将来
平成17年7月22日 キャンパスプラザ京都 |
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第124回研究会 (2006.4)
電子デバイスをめざした有機結晶の新展開 ～有機結晶は無機結晶を超えられるか？～
平成18年4月27日 学習院創立百周年記念会館 3F小講堂 |
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第125回研究会 (2006.8)
実験研究者のための計算機実験 ：実験屋のツールになりうるか？
平成18年8月2日 大阪産業創造館 |
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第126回研究会 (2007.4)
シリコンと発光デバイスの融合 ：光るSiからSi上化合物発光材料まで
平成19年4月26日 学習院創立百周年記念会館 3F小講堂 |
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第127回研究会 (2007.7)
IV族系半導体のひずみエンジニアリング ：ひずみ・応力が結晶物性を変える
平成19年7月13日 学習院創立百周年記念会館 3F小講堂 |
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第128回研究会 (2008.4)
透明デバイスを担う結晶工学 ：多様なる透明導電性材料とデバイスの今後を見る
平成20年4月23日 学習院創立百周年記念会館 3F小講堂 |
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第129回研究会 (2008.7)
結晶工学が開く次世代MEMS/NEMS技術
平成20年7月2日 キャンパスプラザ京都 第2講義室 |
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第130回研究会 (2009.4)
ディスプレイを目指す三原色レーザ光源 －最新動向と結晶工学の課題－
平成21年4月24日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂 |
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第131回研究会 (2009.7)
結晶欠陥の評価でみえる窒化物半導体の進展
平成21年7月17日 京都テルサ 大会議室 |
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第132回研究会 (2010.4)
半導体ナノ構造が切り開くナノエレクトロニクス －ナノ構造作製技術の現状と結晶工学の課題－
平成22年4月23日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂 |
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第133回研究会 (2010.7)
これからはじめる太陽電池 —基礎から課題まで—
平成22年7月2日 京都テルサ 大会議室 |
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第134回研究会 (2011.4)
ワイドバンドギャップ半導体単結晶の高圧育成と成長制御技術
平成23年4月21日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂 |
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第135回研究会 (2011.6)（応用電子物性分科会 連携研究会）
ワイドギャップ半導体パワーデバイス ～ 結晶成長と評価の最前線 ～
平成23年6月23日 京都テルサ 大会議室 |
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第136回研究会 (2012.4)
省エネ・創エネ技術における結晶工学の最前線 —超伝導、窒化物、太陽電池—
平成24年4月20日 学習院創立百周年記念会館小講堂 |
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第137回研究会 (2012.6)（応用電子物性分科会 連携研究会）
窒化物半導体光デバイスの最前線 ～ 基板・エピ成長と評価技術 ～
平成24年6月15日 京都テルサ 第一会議室 |
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第138回研究会 (2013.4)
次世代不揮発性メモリ材料・デバイスを 結晶工学の視点から探る
平成25年4月19日 産総研臨海副都心センター別館 （バイオ・IT融合研究棟） |
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第139回研究会 (2013.6)
ワイドギャップ半導体の基板から展開するデバイス —GaN, SiC, Ga2O3結晶の最前線—
平成25年6月6日 京都テルサ 第一会議室 （西館３階） |
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第140回研究会 (2014.4)
酸化物薄膜デバイスの新展開 —ITO, IGZO,新材料,さらなる発展に向けて—
平成26年4月18日 産総研臨海副都心センター別館 （バイオ・IT融合研究棟） |
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第141回研究会 (2014.6)
GaN，SiC系パワーデバイス —結晶欠陥の評価・制御の最前線—
平成26年6月6日 名古屋大学 坂田・平田ホール (理学南館) |
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第142回研究会 (2015.2)
「シリコン系太陽電池」－ 最先端技術と将来展望 －
平成27年2月5日 キャンパスプラザ京都 ４階 第２講義室 |
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第143回研究会 (2015.6)
深紫外固体発光デバイス開発・応用の最前線
平成27年6月5日 東京都市大学 世田谷キャンパス ５号館小講堂 |
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第144回研究会 (2016.4)
結晶工学的アプローチによる半導体ナノワイヤ形成と応用の最前線
平成28年4月19日 東京都市大学 等々力キャンパス 総合研究所 コンファレンスホール |
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第145回研究会 (2016.6)
ワイドギャップ半導体を支えるバルク基板とエピ技術
平成28年6月3日 名古屋大学 東山キャンパス 坂田・平田ホール |
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HVPE法によるn型AlNバルク基板作製の検討
熊谷義直1，富樫理恵1，山本玲緒1,2，永島徹2，木下亨2，村上尚11，Monemar Bo1,3，纐纈明伯1（1東京農工大学，2トクヤマ，3Linköping University）
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ヘテロエピタキシャル成長技術を用いた高品質・大面積ダイヤモンド基板の開発
澤邊 厚仁1，會田英雄2，児玉英之1（1青山学院大学，2並木精密宝石）
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大型高品質単結晶ダイヤモンドの高圧高温合成と欠陥制御
角谷 均 （住友電気工業）
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Ga2O3基板とホモ/ヘテロエピタキシャル成長技術
佐々木 公平1,2,3、倉又 朗人1,2、増井 建和1,2、後藤 健1,2,4、森島 嘉克1、飯塚 和幸1、 ティユ クァン トゥ4、富樫 理恵4、村上 尚4、熊谷 義直4、モネマー ボ5、
東脇 正高3、山腰 茂伸1,2（1タムラ製作所，2ノベルクリスタルテクノロジー，3情報通信研究機構，4東京農工大学，5リンチョピン大学） |
酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶成長
斉藤 真1,2，包 全喜1,3，栗本 浩平1,3，冨田 大輔1， 小島 一信1，鏡谷 勇二2，茅野 林造3，石黒 徹1，秩父 重英1
（1東北大学，2三菱化学，3日本製鋼所） |
SiCバルク基板の大口径化・高品質化
大谷 昇 （関西学院大学） |
GaN on Siヘテロエピタキシャル成長
江川 孝志 (名古屋工業大学) |
第146回研究会 (2017.4)
ペロブスカイトは結晶か？
有機金属ハライド太陽電池の特殊性・一般性と可能性
平成29年4月14日（金）東京大学 駒場キャンパス |
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第147回研究会 (2017.6)
ワイドバンドギャップ半導体デバイス
～窒化物・SiCにおける成長・プロセス欠陥の評価と制御～
平成29年6月9日（金）大阪大学大学院基礎工学研究科シグマホール |
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第148回研究会 (2018.4)
2次元シート結晶の科学技術の最前線
～マテリアルサイエンスからエンジニアリングまで～
平成30年4月20日（金）東京農工大学 小金井キャンパス 新１号館１階グリーンホール |
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第149回研究会 (2018.6)
GaN on GaNパワーデバイスにむけて
～p型GaNの結晶工学～
平成30年6月15日（金）名古屋大学東山キャンパスＥＳ総合館 ESホール |
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第150回研究会 (2019.4)
これからはじめる放射光
～微細評価の新展開～
2019 年4 月18 日(木) 機械振興会館 研修-1 室 |
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第151回研究会 (2019.6)
いまからはじめるインフォマティクス
～チュートリアルから先端事例まで～
2019 年 6月 17日(木) 産総研臨海副都心センター別館 |
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第153回研究会 (2020.11)
紫外材料・デバイス開発の最前線
～結晶成長の理解とデバイス開発～
2020年11月 19日(木) Online開催 |
緩和した中間Al組成AlGaNの作製とUV-Bレーザの作製
岩谷 素顕1，佐藤 恒輔1,2，田中 隼也1，手良村 昌平1，大森 智也1，山田 和輝1，石塚 彩花1，下川 萌葉1，荻野 雄矢1，岩山 章1,3，竹内 哲也1，上山 智1，赤﨑 勇1,4，三宅 秀人3 (1名城大，2旭化成㈱，3三重大，4名大) |
AlNおよび高AlNモル分率AlGaN混晶におけるAl空孔複合体の役割
秩父 重英1，嶋 紘平1，小島 一信1，三宅 秀人2，上殿明良3 (1 東北大学，2 三重大学，3筑波大学) |
サファイア上AlN膜の高温アニールによる高品質化と深紫外LED開発
三宅 秀人，正直 花奈子，肖 世玉，上杉 謙次郎，窪谷 茂幸 (三重大学) |
HVPE法による単結晶AlN基板開発の進展
永島 徹 (トクヤマ) |
酸化物半導体MgZnOの結晶成長とサブ200 nmの発光特性
尾沼 猛儀1，工藤 幹太1，石井 恭平2, 小野 瑞生1，太田 優一3， 金子 健太郎2，山口 智広1，藤田 静雄2，本田 徹1 (1工学院大学，
2京都大学，3 東京都立産業技術研究センター) |
二次元ワイドバンドギャップ物質・六方晶窒化ホウ素の光学特性とその応用
渡邊 賢司，谷口 尚 (NIMS) |
第154回研究会 (2021.4)
半導体結晶加工技術の最先端
- シリコンからワイドギャップ半導体まで -
2021年4月23日（金） Online開催 |
GaN・ダイヤモンド基板の精密加工と加工変質層の評価
會田 英雄1，土肥 俊郎2，大島 龍司1,3，木村 豊4，澤邊 厚仁4 (1長岡技術科学大学，2株)Doi Laboratory／九州大学，3株)ディスコ，4青山学院大学) |
マルチワイヤソーによる基礎と最近の動向
諏訪部 仁 (金沢工業大学) |
シリコンウェーハの研磨加工におけるフラットネス向上
佐竹 うらら，榎本 俊之 (大阪大学) |
研磨パッド模型を用いて可視化されたミクロなスラリー流れとCu CMP研磨レートとの関係
福田 明 (徳山工業高専) |
シリコンウェーハのロータリ研削における最適加工条件の選定
楠山 純平1，中尾 陽一1，由井 明紀1，北嶋 孝之2，伊東 利洋3 (1神奈川大学，
2防衛大学校，3 Z-CSET) |
機械学習を用いたSiC 研削加工条件探索
長田圭一1、沓掛健太朗1,2 (1名古屋大学，2理研) |
ダイヤモンドラッピング砥石による硬脆性材料（SiC・GaN）の薄肉加工
永橋 潤司 (株式会社ミズホ) |
第155回研究会 (2021.6)
カーボンニュートラルに結晶工学が果たす役割
- 地球温暖化問題の現状と解決に向けた最前線 -
2021年6月23日（水） Online開催 |
カーボンニュートラルの実現という大目標がどのような形で材料科学に影響を与えるか
安井 至（元国連大学副学長） |
カーボンニュートラルにおける研究開発の最前線
仁木 栄 (NEDO） |
エネルギーシステムがカーボンニュートラルに果たす役割
杉山 正和（東京大） |
半導体デバイスがもたらすグリーン社会
須田 淳（名古屋大） |
グリーンアンモニアを目指した固体触媒の開発
北野 政明1,2，細野 秀雄1 (1東工大，2JST) |
蓄電池がもたらすグリーン社会
館山 佳尚（物材機構） |
燃料電池と水電解の現状と展望
松本 広重 （九州大） |
日本に育て次世代型太陽電池
宇佐美 徳隆（名古屋大） |
第156回研究会 (2022.4)
宇宙環境での結晶工学
2022年4月15日（金） Online開催 |
微小重力下での結晶成長の特異性
塚本 勝男（東北大学/大阪大学/名古屋大学） |
宇宙環境での材料の劣化
山中 理代 （宇宙航空研究開発機構） |
火星地下空洞探査を目的とした火星ヘリコプターに関する取り組み
佐藤 允（工学院大学） |
化合物単結晶薄膜構造を用いた宇宙用太陽電池における放射線欠陥対策
今泉 充，住田 泰史，川北 史朗 （宇宙航空研究開発機構） |
Cu(In,Ga)Se2太陽電池の放射線耐性
西永 慈郎1，外川 学2，宮原 正也2 （1産業技術総合研究所，2高エネ研） |
宇宙応用に向けたテラヘルツ帯InP-HEMT-ICのデバイスプロセス技術
堤 卓也1，濱田 裕史1，徐 照男1，杉山 弘樹1，佐々木 太郎1，グェン タットトルン2，西堀 俊幸2，高橋 宏行1，中島 史人1 （1NTT，2宇宙航空研究開発機構） |
テラヘルツ波デバイスの宇宙環境耐性と今後の展望について
Nguyen Tat Trung1、堤 卓也2、濱田 裕史2、徐 照男2、杉山 弘樹2、佐々木 太郎2、高橋 宏行2、中島 史人2、西堀 俊幸1（1宇宙航空研究開発機構，2NTT） |
第157回研究会 (2022.6)
窒化物半導体光デバイスの最前線 - 結晶成長の理解とデバイス開発 -
2022年6月1日（水） Online開催 |
スパッタ成長によるInGaNマイクロLED
藤岡 洋，森川 創一朗，筆谷 大河，上野 耕平，小林 篤（東大） |
Eu添加GaN赤色LEDの現状と超高精細マイクロLEDディスプレイ応用可能性
藤原 康文，市川 修平，Dolf Timmerman，館林 潤（大阪大学） |
ScAlMgO4基板上での窒化物半導体のMOVPEと赤色発光素子
船戸 充，川上 養一（京大） |
MOVPE成長InGaN量子井戸赤色LEDとそのマイクロデバイス化
大川 和宏（KAUST） |
InGaN赤色ナノコラムLEDの高効率化に向けたナノ結晶・プラズモニック効果の探索
大音 隆男（山形大），岸野 克巳（上智大） |
GaInN系量子殻デバイス
上山 智，竹内 哲也，岩谷 素顯（名城大） |
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