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結晶工学セミナー

第26回結晶工学セミナー(2021)
結晶工学 × インフォマティクス
2021年11月16日（火）　Online開催
基礎セミナー
マテリアルズインフォマティクスの基礎
　小山 幸典（NIMS）
機械学習による能動的実験計画の基礎
　竹内 一郎 （名古屋工業大学，理研）
応用セミナー
ニューラルネットワーク原子間ポテンシャルによる格子欠陥の特性予測
　 横井 達矢1，大島 優1，松永 克志1,2（1名古屋大学，2ファインセラミックセンター）
窒化物半導体の薄膜成長におけるプロセスインフォマティクス
　寒川 義裕，草場 彰（九州大学）
SiCバルク結晶成長のプロセスインフォマティクス
　宇治原 徹（名古屋大学，産総研，株)UJ-Crystal）
計測の自律化のためのインフォマティクス
　小野 寛太（大阪大学）
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第24回結晶工学セミナー(2019)
ワイドギャップ半導体結晶の評価とプロセス技術 - 評価／プロセスからマテリアルの本質に迫る -
2019年12月18日　工学院大学 新宿キャンパス アーバンテックホール
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界面顕微光応答法による電極界面の欠陥、劣化過程の2 次元解析
　塩島 謙次 (福井大学)
光熱偏向分光法によるギャップ中準位の評価
　角谷 正友 (物材機構）
光音響・発光同時計測法による内部量子効率測定
　山口 敦史 (金沢工業大学)
4H-SiC およびβ-Ga2O3の結晶欠陥
　山口 博隆 (産総研)
β-Ga2O3の透過電子顕微鏡を中心とした評価　
　上田 修 (明治大学)
ICP-RIEによるGaNトレンチ構造の作製とトレンチ側壁ダメージの評価
　山田 真嗣 (名古屋大学）
GaN-MOSFET プロセスにおけるNH3雰囲気熱エッチングによるリセス形成の低損傷化
　彦坂 年輝 (東芝）
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第23回結晶工学セミナー(2018)
ワイドギャップ半導体結晶の評価技術 - 最先端評価技術で明らかになる欠陥の挙動 -
平成30年12月21日　産総研臨海副都心センター別館
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顕微ラマンによる転位の分類
　小久保 信彦1,2,*、角岡 洋介1,2、藤榮 文博1、大原 淳士1、恩田 正一1、山田 永2、清水 三聡2、原田 俊太1、田川 美穂1、宇治原 徹1,2　（1名古屋大学、 2産総研GAN-OIL、*現・日立） 　山田 永　 (産総研)
２光子顕微鏡を用いた2PPL法によるGaN結晶の貫通転位の観察手法の紹介
　鶴旨 篤司　 (ニコンインステック）
多波回折明視野X線トポグラフィによるGaN結晶中転位の分類
　松井 純爾　 (兵庫県立大学）
FT-IRによるGaNエピ膜の非破壊評価
　堀切 文正　 (サイオクス)
走査型非線形誘電率顕微鏡　　　
　長 康雄　 (東北大学)
レーザーアトムプローブの開発とその応用
　大久保 忠勝 (NIMS）
走査型プローブ顕微鏡による半導体点欠陥の観察
　鷺坂 恵介　 (NIMS）
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第22回結晶工学セミナー(2017)
結晶工学×データサイエンス - 最先端事例から学ぶクリスタルインフォマティクス -
平成29年12月12日　工学院大学 新宿キャンバス アーバンテックホール
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【基調講演】結晶成長におけるプロセスインフォマティクスの試み（SiC溶液成長を例に）
　宇治原 徹 　(名古屋大学)
マテリアルズインフォマティクスによる結晶界面の構造解析
　溝口 照康 　(東京大学）
in silicoスクリーニングによる新規窒化物半導体の探索
　大場 史康 　(東京工業大学)
高次元材料情報統合型研究による材料開発の革新的効率化
　足立 吉隆　 　(名古屋大学）
サポートベクターマシンによる金属積層造形レシピ開発の効率化
　青柳 健大 (東北大学)
データ科学的手法による適応的なマッピング
　菊地 亮太 (富士通研究所)
TEMイメージからの3次元ナノポーラス構造の再構成
　中島 千尋 (東北大学)
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第21回結晶工学セミナー(2016)
「半導体結晶：シリコン vs 化合物」 - パワーデバイスと太陽電池基板材料の課題と展望 -
平成29年1月30日　工学院大学 新宿キャンバス 高層棟6階652室
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シリコンから化合物そしてペロブスカイト太陽電池
　佐藤 勝昭 (科学技術振興機構)
太陽電池用シリコン結晶の課題と展望
　小野 春彦 (神奈川県産技セ）
CIS系太陽電池の課題と展望
　和田 隆博　(龍谷大学）
パワーデバイス開発と今後の展開
　大村 一郎 　(九州工業大学）
SiCパワーデバイス用結晶の課題
　山本 秀和 (千葉工業大学）
GaNパワーデバイス用基板の開発
　森 勇介　(大阪大学)
パワーデバイス向けシリコンウェーハの技術動向
　下山 学 （株式会社 SUMCO）
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第20回結晶工学セミナー(2015)
「基板の加工と評価が切り拓くSi, SiC, GaN結晶の基盤技術」 -加工プロセス・評価技術の基礎から最前線-
平成27年12月10日　学習院創立百周年記念会館3階 小講堂
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結晶基板の加工プロセス設計と高効率加工へのブレークスルー
　土肥 俊郎（九州大学）
SiCの鏡面スライシング加工技術の開発
　諏訪部 仁（金沢工業大学）
超大口径Si基板の平坦加工
　阿部 耕三（濱田重工）
大口径SiCウェハの高速高品質加工技術
　加藤 智久（産業技術総合研究所）
GaN結晶の研磨加工技術
　會田 英雄（並木精密宝石）
GaN, SiCの触媒表面基準エッチング技術
　山内 和人（大阪大学）
フォトルミネッセンスによる基板の結晶評価
　田島 道夫（明治大学）
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第19回結晶工学セミナー(2014)
いまさら聞けない物理・化学分析技術の基礎と応用 —自分の測定データに自信を持てますか？—
平成26年12月12日　学習院創立百周年記念会館3階 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
SEMの基礎および最新応用技術の紹介
　多持 隆一郎（日立ハイテクノロジーズ）
初心者のための透過型電子顕微鏡を用いた像観察、分析の基礎と応用
　伊野家 浩司（日本エフイー・アイ）
SIMS、TOF-SIMSによる微量不純物の深さ方向分析
　須田 泰市（東レリサーチセンター）
X線回折・散乱を用いた半導体材料評価の基礎と応用
～ロッキングカーブ、極点図、反射率の測定原理と分析事例～
　草野 修治（スペクトリス）
顕微ラマン分光法の最新応用と測定の実際
　沼田 朋子（堀場製作所）
分子線エピタキシィ成長中での走査型トンネル顕微鏡観察
　塚本 史郎（阿南高専）　
XPSが明らかにする極薄SiO2/Si界面のダイポール、構造遷移層、 電荷トラップ、誘電率
　廣瀬 和之（JAXA）
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第18回結晶工学セミナー(2013)
いまさら聞けない電気・光学測定の基礎と応用 —測定したその値は本当の値ですか？—
平成25年12月16日　学習院創立百周年記念会館3階 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
【基調講演】　電気・光学測定からわかること
—背景にある物理を読みとくことの重要性—
　奥村 次徳 (首都大学東京)
光学顕微鏡の基礎と応用
—正しいレンズの選び方から１原子層分解の共焦点顕微鏡まで—
　佐﨑 元 (北海道大学)
分光測定の基礎と応用
—分光器を扱う際の注意点と最新技術—
　木村 真之 (日本分光)
フォトルミネッセンス測定の基礎と応用
—高感度測定と時間分解測定の原理と最新応用—
　池村 賢一郎 (浜松ホトニクス)
太陽電池特性評価の基礎と応用
—変換効率を正確に測るために必要なこと—
　菱川 善博(産業技術総合研究所)
電気的特性評価の実際
—ホール効果、TLM、C-V測定の実際、陥りやすい罠—
　須田 淳 (京都大学)
MOS特性評価の基礎と応用
—MOS界面の諸物性を正確に評価するために—
　矢野 裕司(奈良先端科学技術大学院大学)
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第17回結晶工学セミナー(2012)
物理・化学分析の最先端技術を基礎から理解する —グリーンデバイス材料を中心に—
平成24年12月5日　学習院創立百周年記念会館3階 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
FIBを用いたTEM/SEM試料作製の基礎
　今野 充 (日立ハイテク)
FE-TEMを用いた観察・分析
　遠藤 徳明 (日本電子)
EBSD法による微小領域の結晶方位/歪解析
　鈴木 清一(ＴＳＬソリューションズ)
太陽電池の分析・評価と技術的課題
～不純物濃度・組成評価～
　須田 泰市(東レリサーチセンター)
SPMを用いた太陽電池材料の多角的評価　
　高橋 琢二 (東京大学)
放射光を用いた太陽電池用半導体材料の評価技術
　大下 祥雄 (豊田工業大学)
4H-SiC エピタキシャル膜の結晶欠陥の評価
　土田 秀一 (電力中央研究所)
硬Ｘ線光電子分光技術とSiC評価の適応事例
　町田 雅武 (ＶＧシエンタ)
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第16回結晶工学セミナー(2011)
電気・光学測定技術の基礎と応用 —ワイドギャップ半導体を中心に—
平成23年10月14日　学習院創立百周年記念会館3階 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
電気的結晶評価の基礎
～電気特性評価から読み解くべき物理～
　奥村 次徳 (首都大学東京)
アドミタンス測定によるMIS界面電子準位の評価
～窒化物半導体界面への適用と解釈～
　橋詰 保 (北海道大)
光学的結晶評価の基礎
～フォトルミネッセンスによる不純物定量と欠陥解析～
　田島 道夫（JAXA 宇宙科学研究所）
近接場光学顕微鏡による半導体結晶の再結合ダイナミクス
～窒化物半導体混晶の不均一性と発光・非発光機構～
　川上 養一 (京都大学)
カソードルミネッセンスによる微細領域の評価
～窒化物半導体の転位・組成・歪みの評価～
　三宅 秀人 (三重大学)
ワイドギャップ半導体の電気・光学評価事例
～GaNおよびSiCについての事例紹介～
　須田 淳 (京都大学)
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第15回結晶工学セミナー(2010)
物理・化学分析の最先端技術を基礎から理解する —究極の分析を目指して—
平成22年11月18日　学習院創立百周年記念会館3階 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
陽電子消滅の基礎と最先端
　上殿 明良（筑波大）
３次元アトムプローブ：その原理と応用
—MOSFET不純物分布解析を例に—
　永井 康介（東北大）
原子間力顕微鏡を用いた高空間分解能測定と物性計測への展開
　阿部 真之（大阪大）
X線マイクロ回折の基礎と最先端局所歪評価
　木村 滋（JASRI/SPring-8）
ラマン分光を用いた先端CMOSの歪測定
　小椋 厚志（明治大）
高分解能RBS法：究極の深さ分解能を持った分析法
　木村 健二（京都大）
収差補正TEM・STEMの基礎と最先端原子直視観察
　田中 信夫（名古屋大）
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第14回結晶工学セミナー(2009)
電気・光学測定技術の基礎と応用
平成21年11月11日　機械振興会館6階 66会議室
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
電気的結晶評価の基礎
～電気特性評価から得られる物理現象～
　奥村 次徳 (首都大学東京)
過渡容量法によるSiC中の深い準位の評価
～DLTSを中心にして～
　木本 恒暢 (京大)
走査型プローブ顕微鏡による微小領域電気特性マッピング
　藤田 高弥 (東レリサーチセ)
光学的結晶評価の基礎と応用
～フォトルミネッセンスを中心にして～
　山口 敦史 (金工大)
電子線を用いた半導体材料の電気的・光学的機能評価
‐EBIC・カソードルミネッセンス‐
　関口 隆史 (物材機構)
近接場光学顕微イメージング分光による半導体量子構造評価
　斎木 敏治 (慶応大)
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第13回結晶工学セミナー(2008)
失敗しない分析技術の選び方 —物理･化学分析技術の基礎と応用—
平成20年11月5日　学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
(はじめに) 物理・化学分析技術と結晶材料の評価
　近藤 康洋 (NTTフォトニクス研)
TEMによる結晶の欠陥及び構造評価
　酒井 朗 (阪大基礎工)
分析TEMによる微小領域分析
　杉山 直之 (東レリサーチセ)
SIMSによる半導体材料の高感度分析
　永山 進 (ナノサイエンス)
XRDやXRRを用いた薄膜分析
　斎藤 啓介 (ブルカーAXS)
RBSによる薄膜分析　
　小林 明 (神戸製鋼)
AES、XPS、TOF-SIMSを用いた表面評価
　鈴木 峰晴 (アルバック・ファイ)
失敗しない分析技術チュートリアル
～ワイドバンドギャップ半導体を例に～
　土屋 忠厳 (日立電線)
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第12回結晶工学セミナー(2007)
電気・光学測定技術の基礎と応用 —ワイドバンドギャップ半導体編—
平成19年10月4日　学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
電気的結晶評価の基礎 ～電気特性評価から得られる物理現象
　奥村 次徳 (首都大)
ワイドバンドギャップ光学評価
　山口 敦史 (金沢工大)
窒化物半導体における表面・界面評価
　橋詰 保 (北大)
Hall測定によるワイドギャップ半導体中の不純物の評価
　松浦 秀治 (大阪電通大)
走査型プローブ顕微鏡による微小領域電気特性マッピング
　藤田 高弥 (東レリサーチセ)
高感度半導体光学測定の実際
　大久保 優晴 (日本分光)
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第11回結晶工学セミナー(2006)
失敗しない分析技術の選び方 —物理･化学分析技術の基礎と応用—
平成18年10月26日　学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
（はじめに）物理・化学分析技術と結晶材料の評価
　小野 春彦 (NEC)
TEMによる結晶の欠陥及び構造評価
　酒井 朗 (名大)
XPSによる薄膜・界面の分析
　廣瀬 和之 (宇宙航空研究機構)
SIMS,TOF-SIMSを用いた表面評価技術
～失敗しない分析技術の選び方～
　永山 進 (ナノサイエンス)
結晶薄膜分析のためのX線応用技術
　稲葉 克彦 (リガク)
RBSによる薄膜分析　
　笹川 薫 (コベルコ科研)
走査プローブ顕微鏡による薄膜単結晶の評価
　寺山 剛司 (日本ビーコ)
失敗しない分析技術チュートリアル
～半導体レーザを例に～
　近藤 康洋 (NTT)，五明 明子 (NEC)
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第10回結晶工学セミナー(2005)
電気・光学測定技術の基礎と応用
平成17年11月14日　学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
巻頭言　
電気的結晶評価の基礎−電気特性評価から得られる物理現象−
　奥村 次徳 (首都大東京)
へテロ界面の電気的特性評価 −MOS界面評価を中心として−
　山部 紀久夫 (筑波大)
半導体結晶の光学的評価 −光学スペクトルから結晶を観る−
　中山 正昭 (大阪市大)
光デバイスの信頼性評価技術
　福田 光男 (豊橋技科大)
高精度半導体電気測定の実際　
　得納 幸史(アジレント・テクノロジー・インターナショナル)
高感度半導体光学測定の実際（赤外・ラマン分光等）
　大久保 優晴 (日本分光)
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第9回結晶工学セミナー(2004)
失敗しない分析技術の選び方
平成16年10月27日　学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
巻頭言　
薄膜結晶成長と分析技術の関わり
　藤崎 芳久 (日立中研)
TEMによる結晶の欠陥及び構造評価
　酒井 朗 (名大・院工)
分析TEMを用いたULSI材料の評価
　五十嵐 信行 (NECシステムデバイス研)
SIMSを用いた分析評価技術と最近の話題
−SIMSで失敗しないために−
　東條 二三代 (松下電器)
XRDやXRRを用いた薄膜分析
　斎藤 啓介 (ブルカーAXS)
RBSによる薄膜分析
　木村 健二 (京大・院工)
走査プローブ顕微鏡による薄膜結晶の評価
　市川 昌和 (東大・院工)
失敗しない分析技術チュートリアル
−半導体レーザとCMOSを例に−
　近藤 康洋 (NTTフォトニクス研)、田中 均 (富士通研)
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第8回結晶工学セミナー(2003)
物質中単原子の制御・評価技術
平成15年10月21日　学習院創立百周年記念会館 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
巻頭言　
STMによる半導体の局所構造制御と原子レベル評価技術
　前田 康二 (東大工)
最先端HRTEMによる半導体中の不純物の原子レベルの評価技術　−TEMとSTEM−
　田中 信夫 (名大理工総研)
金属内包フラーレン・ピーポッド内単原子の観察
　末永 和知 (産総研)
不純物XAFS−特定原子の周辺構造を見る−
　竹田 美和 (名大工)
X線ホログラフィによる不純物・異種原子像の構築
　高橋 敏男 (東大物性研)
シングルイオン注入技術とその評価
　大泊 巌、品田 賢宏 (早大理工)
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第7回結晶工学セミナー(2001)
結晶工学材料分析基礎講座 —失敗しない賢い分析技術の選び方 —
平成13年10月25日　学習院創立百周年記念会館 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
電子顕微鏡による結晶構造解析の実際
　永田 文男 (日立サイエンス)
SIMS, TOF-SIMSによるナノメーター表面分析の可能性と限界
　鮫島 純一郎 (東レリサーチセンター)
蛍光X線分析法：分析結果の導き方から解釈まで
　水平 学、斎藤 啓介(日本フィリップス・アプリケーションラボラトリ)
XPSで何が分かり何が分からないか？
　藤崎 芳久 (東工大フロンティア研)
極表面分析データの精度と誤差に関する考察
　田中 彰博 (アルバック・ファイ)
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第6回結晶工学セミナー(2000)
IT時代を支えるシリコンプロセス技術 ～PVDとCVD～
平成12年11月9日　学習院創立百周年記念会館3階 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
PVD法の特徴と応用
　水澤 寧 (アプライドマテリアルズジャパン)
PVD法による酸化物薄膜作製技術
～反応性スパッタリング法～
　草野 英二 (金沢工大)
ECRスパッタによる低ダメージ絶縁物の形成
　小野 俊郎 (NTT通信エネルギー研)
化学気相成長法の基礎
　吉田 明，若原 昭浩 (豊橋技科大)
CVD法によるSi系エピタキシャル薄膜の作製
　羽深 等 (横浜国大)
プラズマCVDによる絶縁物形成
　辰巳 徹 (NECシリコンシステム研)
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第5回結晶工学セミナー(1999)
電気特性評価と結晶工学 ～電気特性評価で何がわかるか～
平成11年11月22日　学習院創立百周年記念会館小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
イントロダクトリー ～電気特性評価から得られる物理現象～
　奥村 次徳 (都立大工)
M/S 界面の電気特性評価とその物理
　小出 康夫 (京大工)
MIS 構造の電気特性評価とその物理 　
　山部 紀久夫 (筑波大物理工)
強誘電体薄膜の電気特性評価とその物理
　福田 幸夫、青木 克裕、迫田 智幸(テキサスインスツルメンツ)
走査型キャパシタンス顕微鏡(SCM)によるナノスケール電気特性評価
　中村 雅一 (東レリサーチセンター)
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第4回結晶工学セミナー(1998)
Si系エコマテリアルの結晶工学
平成10年11月6日　学習院創立百周年記念会館3階 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
熱電変換の基礎と材料の選択
　太田 敏隆 (電総研)
Fe-Si系の結晶構造と電子エネルギー
　今井 庸司 (物質研)
環境半導体研究の国内外の現状と将来
—直接遷移型β-FeSi2/Siヘテロ構造による赤外光デバイスへのチャレンジ—
　三宅 潔 (日立電開本)、前田 佳均 (大阪府大総合科学)
高効率太陽電池用GeSi結晶の育成と素子プロセスの検討
　高野 幸男、加藤 伸二郎、堀越 崇、飯田 努 (東理大基礎工)
SiCデバイスによる電気自動車用パワーエレクトロニクスの新展開
　木下 繁則 (富士電気総研)
電力系統におけるパワーエレクトロニクス
—SiC素子への期待—
　泉 邦和 (電中研)
大口径SiCバルク単結晶成長
　大谷 昇、高橋 淳、勝野 正和、矢代 弘克、金谷 正敏 (新日鐵先端研)
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第3回結晶工学セミナー(1997)
これから始めるナイトライド半導体
平成9年12月16日　お茶の水スクエアC館2F2号
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
化合物半導体としてのナイトライド半導体
　吉田 貞史 (埼玉大工)
ナイトライド半導体の結晶とパンド構造
　上野山 雄、鈴木 政勝 (松下電器中央研)
ナイトライド半導体のつくりかた(1)ヘテロエピタキシー
　平松 和政 (三重大工)
窒化物半導体の作り方—気相成長—
　纐纈 明伯、関 壽 (東京農工大)
ナイトライド半導体のつくりかた(3)分子線エピタキシー
　朝日 一 (大阪大産研)
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第2回結晶工学セミナー(1996)
ULSIのための微小領域評価技術
平成8年10月28日 学習院大学創立百周年記念会館小講堂
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総論:ULSIにおける微小領域評価の課題
　小野 春彦 (NECマイクロエレ研)
赤外レーザーによるSi結晶中の微小欠陥評価
　中居 克彦 (新日鐵先端技術研)
微小領域の不純物分析
　本間 芳和 (NTT基礎技術総合研)、黒沢 賢、藪本 周邦、鈴木 峰晴（NTT-AT材料開発&分析センタ）
TEM/AEMを用いた半導体特定部位の評価
　川瀬 昇、大塚 祐二、村田 幸夫 (東レリサーチセンター)
複合顕微鏡SCaM/STM/AFMによる半導体ナノ領域の局所的電気特性評価
　八百 隆文 (東北大金研)
OBICを用いた配線金属の欠陥評価
　福本 晃二、小山 徹、池野 昌彦、小山 浩 (三菱電気ULSI開発研)
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第1回結晶工学セミナー(1995)
次世代のエピ/CVD技術を目指して
平成7年12月22日 学習院大学創立百周年記念会館小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
エピ/CVD技術が切り開くG-bit、G-Hzテクノロジー
　辰巳 徹 (NECマイクロエレ研)
原子レべルでの結晶成長
—その場測定を中心にして—
　纐纈 明伯 (農工大工)
CVDのメカニズムを探る
　真下 正夫 (東芝研究開発セ)
半導体の電子状態計算と物質設計への道
　吉田 博 (東北大理)
 
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