| 1 |
9:30～9:40 |
窒化物半導体における特異構造の理解と制御 【はじめに】 |
平松 和政 (三重大院工) |
| 2 |
9:40～10:10 |
窒化物半導体の特異ナノ構造制御とデバイス展開 |
岸野 克巳1,2，江馬 一弘1,2，菊池 昭彦1,2，野村 一郎1,2（上智大理工1，上智ナノテク研究センター2 ） |
| 3 |
10:10～10:25 |
InGaNナノワイヤにおける内部量子効率の発光波長依存性 |
室谷 英彰1，安藤 浩哉1，塚本 武彦1，杉浦 藤虎1，山田 陽一2，田畑 拓也3，本田 善央3，山口 雅史3，天野 浩3（豊田高専1，山口大院理工2，名大院工3） |
| 4 |
10:25～10:40 |
光取りだし効率に及ぼすInGaN-LED のコーン形状マスク層の屈折率依存性 |
三好 清太，内田 聡充，山根 啓輔，岡田 成仁，只友 一行
（山口大） |
| 10:40～10:55 |
休 憩
|
| 5 |
10:55～11:10 |
極性混在AlN上へのAlGaN量子ドット状キャリア局在構造 |
武内 道一，黒内 正仁，黄 恩淑，青柳 克信（立命館大R-GIRO) |
| 6 |
11:10～11:25 |
窒化サファイア基板上LPE-AlN膜の回転ドメインとその単一化 |
安達 正芳1，高杉 茉里1，杉山 正史2，田中 明和2，福山 博之1（東北大多元研1，住友金属鉱山2） |
| 7 |
11:25～11:40 |
4H-SiC (1120) 基板上に成長した4H-AlN/4H-GaN超格子のTEM観察 |
金子 光顕1，上田 俊策1，奥村 宏典1，木本 恒暢1,2，須田 淳1（京大工1，京大光電子理工セ2） |
| 8 |
11:40～12:10 |
原子層へテロ構造制御による窒化物発光デバイス新領域の開拓 |
平山 秀樹（理研） |
| 12:10～13:30 |
昼 食
|
| 1 |
13:30～14:00 |
高In組成InGaN実用化にむけて |
天野 浩 (名大院工・赤崎記念研究センター) |
| 2 |
14:00～14:15 |
MOVPE成長中におけるX線その場観察測定を用いたGaInNの緩和過程の観察 |
飯田 大輔1，杉山 徹1，近藤 保成1，曽和 美保子1，松原 大幸1，岩谷 素顕1，竹内 哲也1，上山 智1，赤崎 勇1,2（名城大・理工1，名大・赤崎記念研究センター2） |
| 3 |
14:15～14:30 |
窒化物半導体結晶の特異構造形成を理解するためのX線によるその場観察装置の開発 |
田渕 雅夫，益田 征典，安西 孝太，鞠 光旭，二木 浩之，森 康博，渕 真悟，竹田 美和（名大） |
| 4 |
14:30～15:00 |
HVPE法AlN成長におけるボイドを用いた歪み・転位低減技術 |
三宅 秀人，平松 和政（三重大院工） |
| 5 |
15:00～15:30 |
非平衡パルス励起制御を用いた特異構造の導入法の開発 |
藤岡 洋1,2（東大生研1，JST-CREST2) |
| 15:30～15:45 |
休 憩
|
| 6 |
15:45～16:00 |
r面サファイア加工基板上{11-22}GaN成長における転位ブロッキング |
古家 大士1,2，岡田 成仁2，只友 一行2（トクヤマ1，山口大院理工2） |
| 7 |
16:00～16:15 |
サファイア基板上での窒化膜形成初期過程に関する量子論的アプローチ |
秋山 亨，斉藤 康高，中村 浩次，伊藤 智徳（三重大院工） |
| 8 |
16:15～16:30 |
非極性Ｍ面InGaN/GaNヘテロ構造における格子傾斜とすべり面 |
吉田 俊治1，横川 俊哉1，今井 康彦2，木村 滋2（パナソニック1，高輝度光科学研究セ2） |
| 9 |
16:30～17:00 |
近接場分光による局在・輻射・非輻射再結合ダイナミクスの評価 |
川上 養一，船戸 充，金田 昭男（京大院工） |
| 10 |
17:00～17:30 |
フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価 |
秩父 重英1，羽豆 耕治1，石川 陽一1，古澤 健太郎1，上殿 明良2（東北大多元研1，筑波大電物工2） |
| 11 |
17:30～18:00 |
GaN系へテロ界面構造の特徴とその評価 |
橋詰 保（北大量エレ研） |
