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応用物理学会でのシンポジウム・スクール
■2015年秋季 第76回応用物理学会学術講演会 シンポジウム■
「窒化物半導体特異構造の科学
~表面・界面の制御と物理~」
平成27年9月15日
名古屋国際会議場

1 13:15~13:45 パルス励起堆積法による新奇ヘテロエピ構造の創製 藤岡 洋1,2、上野 耕平1、小林 篤1、太田 実雄1 (1東大生研、2JST-ACCEL)
2 13:45~14:15 窒化物半導体の成長表・界面制御と転位挙動
- Naフラックス成長GaN結晶を中心に -
酒井 朗1、浅津 宏伝1、竹内 正太郎1、中村 芳明1、今西 正幸2、今出 完2、森 勇介2 (1阪大院基礎工、2阪大院工)
3 14:15~14:30 X線マイクロ回折を用いた3次元逆格子マップ解析による窒化物半導体結晶構造評価 鎌田 祥平1、竹内 正太郎1、ディンタン カン1、三宅 秀人2、平松 和政2、今井 康彦3、木村 滋3、酒井 朗1 (1阪大基礎工、2三重大院工、3JASRI/SPring-8)
4 14:30~14:45 窒化物半導体MBE成長のその場放射光X線回折測定

高橋 正光1,2、佐々木 拓生1、出来 亮太2 (2原子力機構、2兵庫県立大学)

      14:45~15:00 休 憩
5 15:00~15:30 規則的配列InGaN/GaN系ナノコラムと発光デバイス応用 岸野 克巳1,2、石沢 峻介1、林 宏曉1、山野 晃司1、大音 隆男1、加納 達也1(1上智大理工、2上智ナノテクセンター)
6 15:30~15:45 GaN系半導体レーザーによる青紫色フェムト秒パルスの発生 河野 俊介、渡邊 秀輝、幸田 倫太郎、風田川 統之、成井 啓修 (ソニー)
7 15:45~16:00 GaN/AlGaN系量子カスケードレーザの5.76THz、40Kにおける動作

寺嶋 亘、平山 秀樹 (理研)

      16:00~16:15 休 憩
8 16:15~16:45 AlN基板上への半極性AlGaN量子井戸のMOVPE成長と光物性

市川 修平、船戸 充、川上 養一 (京大院工)

9 16:45~17:00 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性 小島 一信1、塚田 悠介2、古川 えりか1、斉藤 1,2、三川 豊2、久保 秀一2、池田 宏隆2、藤戸 健史2、上殿 明良3、秩父 重英1 (1東北大多元研、2三菱化学(株)、3筑波大物理工)
10 17:00~17:15 n型AlInN/GaN DBR構造上青色マイクロLED 池山 和希1、小塚 祐吾1、井野 匡貴1、赤木 孝信1、岩山 章1、小出 典克1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、赤﨑 勇1,2 (1名城大理工、2赤﨑記念研究センター)
11 17:15~17:45 サファイア上への窒化物半導体エピタキシーにおける界面制御

三宅 秀人1、平松 和政2 (1三重大院地域イノベ、2三重大院工)

 

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