| 主 催 | 応用物理学会 九州支部 |
| 開 催
日 時 |
令和5年11月12日（日） 10:30-11:30 |
| 場 所 New!! |
九州大学伊都キャンパス ウエスト2号館547号室 ＆ オンライン（Teams） ※オンサイトとオンラインのハイブリッド開催 ※オンライン参加ご希望の方は、世話人までご連絡ください。 |
| 講師 | 〇嶋紘平1、田中亮2、高島信也2、上野勝典2、江戸雅晴2、井口紘子3、成田哲生3、片岡恵太3、石橋章司4、上殿明良5、秩父重英1 （1東北大学 多元物質科学研究所、2富士電機、3豊田中央研究所、4産業技術総合研究所 CD-FMat、5筑波大学 数理物質系) |
| 演 題 | Mgイオン注入GaN中の空孔型欠陥がルミネッセンス特性に与える影響の評価 |
| 概 要 | GaNは大きな絶縁破壊電界や高い電子移動度を有することからSiやSiCを凌駕する超低損失高周波パワーデバイスを実現可能な材料として注目されている。しかしながら、Mgイオン注入によるp型GaNセグメントの位置選択形成は極めて困難であり、p型活性化率の精密制御やp型層の欠陥濃度低減に向けた取り組みが不可欠である。本講演では、Mgイオン注入GaNに特有な空孔型欠陥の挙動やMgアクセプタの活性化状況を、ルミネッセンス法を駆使し評価した研究を紹介する。 |
| 世話人 |
板垣 奈穂 九州大学 電話: 092-802-3723 email: itagaki[at]ed.kyushu-u.ac.jp |
支部長 ： 堀江 雄二（鹿児島大学）
horie[at]eee.kagoshima-u.ac.jp
庶務幹事： 吉武 剛（九州大学）
tsuyoshi_yoshitake[at]]kyudai.jp
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teru[at]eee.kagoshima-u.ac.jp