| 主 催 |
応用物理学会 九州支部 |
| 開 催
日 時 |
2025年11月14日（金） 14:00-16:00 |
| 場 所 |
ハイブリッド オンサイト参加 九州大学筑紫キャンパス・総理工本館1F第2講義室 キャンパスマップ（https://www.kyushu-u.ac.jp/f/61498/CHIKUSHI_Jp.pdf） 18番と19番建物の接続部分 オンライン参加 Zoom：参加申し込みをされた全ての方に オンライン参加のアドレスを後日メールにてお伝えします |
| 概 要 |
前半 1. Basic of CVD SiGe epitaxy process a. Initial Surface b. Heteroepitaxy 2. Application / Challenge of epitaxy process for a. High speed HBT b. High performance Ge photodiodes c. High sensitivity SiGe microbolometer d. Bandgap engineering by Si atomic-layer epitaxy for Ge electro-adsorption modulator 後半 Virtual fabrication of a BiCMOS chip |
| 備 考 |
参加申込：Googleフォームより登録をお願いします。 https://forms.gle/fhFw8maaskFd9Pei9 |
| 講 師 | Yuji Yamamoto, IHP : Innovations for High Performance Microelectronics, Germany |
| 演 題 |
前半 Basic of Group IV Heteroepitaxy and Device Applications for More Than Moore Approach 後半 Virtual fabrication of a BiCMOS chip |
| 世話人 |
王 冬（九州大学 大学院 総合理工学研究院） 電話：092-583-7637 メール：wang.dong.539[at]]m.kyushu-u.ac.jp |
支部長 ： 堀江 雄二（鹿児島大学）
horie[at]eee.kagoshima-u.ac.jp
庶務幹事： 興 雄司（九州大学）
jsap.kyushu.sec[at]gmail.com
ホームページに関する問い合わせ
teru[at]eee.kagoshima-u.ac.jp