Monthly Archives: 1月 2009
応用物理学会春秋学術講演会2009 シンポジウム
2009年(平成21年)秋季 第70回 応用物理学会 学術講演会
薄膜・表面物理分科会企画
概要
日時
「省エネルギー社会のための半導体デバイス技術」
2009年9月8日 13:15-17:15
「金属酸化物系材料の新展開-メカニズムの解明からデバイス応用まで-」
2009年9月10日 13:45-18:15
場所
富山大学（富山県富山市五福3190番地）
プログラム（敬称略）
省エネルギー社会のための半導体デバイス技術-2009年9月8日 13:15-17:15
| 8p-L- / 0 | |||
|---|---|---|---|
| 1 | 13:15-13:25 | 薄膜・表面物理分科会企画「省エネルギー社会のための半導体デバイス技術」 | 河原敏男(中部大超伝導) 渡邉孝信(早大理工) |
| 2 | 13:25-13:50 | 超低消費電力シリコンデバイス技術の重要性 | 岩井 洋(東工大フロンティア) |
| 3 | 13:50-14:15 | ナノスケールデバイスの熱問題: 極微細MOSFETにおける発熱の微視的過程と電気伝導への影響 | 鎌倉良成(阪大院工) 図師知文(早大理工) 渡邉孝信(早大理工) 森 伸也(阪大院工) 谷口研二(阪大院工) |
| 4 | 14:15-14:40 | IGBTの低損失化と省エネルギー | 森 睦宏(日立日立研) |
| 5 | 14:40-15:05 | SiCデバイスとエピタキシー技術 | 児島一聡((独)産総研) |
| 15:05-15:25 | 休憩 | ||
| 6 | 15:25-15:50 | 温度無依存バンドギャップ半導体TlInGaAsNの成長と半導体レーザへの応用 | 長谷川繁彦，朝日 一 (阪大産研) |
| 7 | 15:50-16:15 | 電子デバイス冷却と熱電効果ー自己冷却素子を中心にして | 山口作太郎(中部大超伝導) 中津川博(横浜国大工) 岡本庸一(防衛大工) |
| 8 | 16:15-16:40 | アモルファス・微結晶シリコン太陽電池 | 増田 淳(産総研) |
| 9 | 16:40-17:05 | 化合物半導体太陽電池 | 山口真史(豊田工大) |
| 10 | 17:05-17:15 | クロージングトーク | 渡邉孝信(早大理工) |
金属酸化物系材料の新展開-メカニズムの解明からデバイス応用まで-2009年9月10日 13:45-18:15
| 10p-G- / 0 | |||
|---|---|---|---|
| 1 | 13:45-14:00 | 金属酸化物系材料の新展開 | 青野正和(物材機構) |
| 2 | 14:00-14:30 | イオン移動を利用した不定比性キャリア変調とスイッチング現象 | 山口 周，土屋敬志，三好正悟，佐々木直敬，尾山由紀子 (東大工) |
| 3 | 14:30-15:00 | 界面制御による酸化物量子物性の発現 | 川崎雅司(東北大WPI材料機構，東北大金研，CREST-JST) |
| 4 | 15:00-15:30 | 鉄系新超伝導体の進展 | 細野秀雄(東工大フロンティア研，応セラ研) |
| 15:30-15:45 | 休憩 | ||
| 5 | 15:45-16:15 | 酸化物中における電子・イオンの微視的挙動：第一原理計算によるアプローチ | 渡邉 聡，谷 廷坤，笠松秀輔，多田朋史(東大工) |
| 6 | 16:15-16:45 | 酸化還元型 電気化学抵抗変化メモリ素子ReRAM ～もう 原理は”不明”ではない！～ | 秋永広幸，島 久 (産総研ナノ電子デバイス) |
| 7 | 16:45-17:10 | 電気化学抵抗変化素子（イオン注入型） | 長谷川剛，寺部一弥，鶴岡 徹，南風盛将光，知京豊裕，青野正和 (物材機構) |
| 8 | 17:10-17:35 | 光機能センサー素子への応用 | 田中啓文(阪大理) 日野貴美(阪大理) 長谷川剛(物材機構MANA) 伊藤弥生美(物材機構MANA) 青野正和(物材機構MANA) 小川琢治(阪大理) |
| 9 | 17:35-18:05 | 原子スイッチのCu配線中への形成 | 阪本利司(ＮＥＣ) 多田宗弘(ＮＥＣ) 伴野直樹(ＮＥＣ) 辻 幸秀(ＮＥＣ) 斉藤幸重(ＮＥＣ) 矢部裕子(ＮＥＣ) 波田博光(ＮＥＣ) 井口憲幸(ＮＥＣ) 青野正和(ＮＩＭＳ) |
| 10 | 18:05-18:15 | Closing ：金属酸化物系材料の新展開 | 知京豊裕(物材研) |
更新：2009/1/1
10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-10)
詳細
2009年9月21-25日、グラナダ国際会議場（スペイン）
>>> 詳細（pdfファイル）
更新：2009/1/1
基礎講座：カーボン系材料の新展開 基礎と応用 ～カーボンナノチューブ、グラフェン、DLC、ダイヤモンド～
第38回 薄膜・表面物理 基礎講座（2009）
概要
協賛
日本物理学会、日本化学会、日本金属学会、日本表面科学会、電子情報通信学会、電気学会、触媒学会、日本真空協会、電気化学会、表面技術協会、日本顕微鏡学会、高分子学会、精密工学会、日本結晶学会、日本結晶成長学会、日本磁気学会、日本セラミックス協会、日本放射光学会（依頼中）
概要
炭素を構成要素とする物質は、近年のグラフェンの発展でもわかるとおり、非常に興味深い物性を有しており、幅広い応用が検討されている材料です。今回取り上げる対象は、カーボンナノチューブ（CNT）、グラフェン、DLC、ダイヤモンドです。本基礎講座では、これらカーボン系材料について、その基礎物性の研究の現状から課題、応用へ向けた取り組みまで、それぞれの専門の講師の方々に解説していただくことを目的としています。カーボン系材料の、研究の進展と課題、応用例について概観できる良い機会であると思います。多くの方々の参加をお待ちしております。
日時
2009年11月5日(木) 10:00 － 17:00
6日(金) 10:00 － 16:30
場所
早稲田大学西早稲田キャンパス 63号館2F03会議室
〒169-8555東京都新宿区大久保3-4-1
（http://www.mse.waseda.ac.jp/）
地下鉄副都心線 西早稲田駅下車 出口3がキャンパスに直結
JR高田馬場駅 戸山口下車 徒歩10分
地下鉄東西線－高田馬場駅 下車 徒歩12分
西武新宿線－高田馬場駅 下車 徒歩12分
JR新大久保駅 下車 徒歩10分
プログラム
11月5日(木)
| 日時 | 講演題目 | 講師 |
|---|---|---|
| 10:00-11:30 | グラフェン及びCNT研究の現状と課題 | 安藤恒也（東工大） |
| 11:30-12:30 | CNTを中心としたナノデバイス | 石橋幸治（理研） |
| 12:30-13:30 | 昼食 | |
| 13:30-14:30 | CNT固体とプロセス技術 | 畠 賢治（産総研） |
| 14:30-15:30 | グラフェン／C60分子ベアリングの超潤滑 | 三浦浩治（愛教大） |
| 15:30-16:00 | 休憩 | |
| 16:00-17:00 | グラフェン・オン・シリコン材料・デバイス技術 | 尾辻泰一（東北大） |
11月6日(金)
| 日時 | 講演題目 | 講師 |
|---|---|---|
| 10:00-11:00 | DLC研究の現状と課題 | 大花継頼（産総研） |
| 11:00-12:00 | DLCコーティングの適用技術 | 加納 眞（神奈川県産業技術センター） |
| 12:00-13:00 | 昼食 | |
| 13:00-14:00 | ダイヤモンド研究の現状と課題 | 川原田 洋（早大） |
| 14:00-15:00 | 高品質ダイヤモンドのエピタキシャル成長とデバイス応用 | 寺地徳之（NIMS） |
| 15:00-15:30 | 休憩 | |
| 15:30-16:30 | ダイヤモンド高周波電力デバイスの現状と課題 | 嘉数 誠（NTT） |
参加費
テキスト代、消費税含む
| 薄膜・表面物理分科会会員 * | 応用物理学会会員 ** 協賛学協会会員 |
学生*** | その他 |
|---|---|---|---|
| 15,000円 | 20,000円 | 10,000円 | 25,000円 |
*薄膜・表面物理分科会賛助会社の方は、分科会会員扱いといたします。現在非会員の方でも参加申込時に薄・表分科会(年会費 A:3,000円，B:2,200円)にご入会いただければ、本講座より会員扱いとさせて頂きます。応物ホームページより入会登録を行い、仮会員番号取得後、本講座に参加お申し込み下さい。入会決定後、年会費請求書をお送りいたします。本講座参加費と同時に振込しないで下さい。
**応用物理学会賛助会社の方は、応用物理学会会員扱いといたします。
***学生の場合、会員・非会員とも参加費は同額です。
定員
100名
参加申込方法
ここから参加登録してください。
参加登録完了後、下記銀行口座に参加費をご連絡いただいた期日までにお振込ください。原則として参加費の払い戻し，請求書の発行は致しません。
*領収書は当日受付にてお渡しいたします。
！注意！
WEB参加登録に使用致しておりますサーバーの変更に伴い、ご使用のブラウザの環境によっては文字化け等（白紙の場合もあります）が発生し、正しく参加登録の画面が表示されないケースが発生しています。
大変申し訳ございませんが、現時点ではサーバー側での対応が困難とのことですので、文字化けが発生した場合は、ご使用のブラウザの文字エンコードの設定で「自動選択」を選択頂きます様、お願い申し上げます。
なお、インターネットエクスプローラ（Windows版Ver.8）の場合は、「表示」メニューの「エンコード」で「自動選択」にチェックすると正しく表示されます。なお、参加登録のページはUnicode(UTF-8)の文字コードにより作成されています。
参加費振込先
三井住友銀行 本店営業部（本店も可）
普通預金 9474715
（社）応用物理学会 薄膜・表面物理分科会
(シャ) オウヨウブツリガッカイハクマク・ヒョウメンブツリブンカカイ
参加申込締切
2009年10月28日（水）
参加費振込期限
2009年10月30日（金）
＊参加費の入金確認後、参加証をお送りいたします。
内容問合せ先
三宅晃司
（独）産業技術総合研究所
TEL：029-861-7881
FAX：029-861-7092
E-mail：
中村雅一
千葉大学
E-mail：
渡邉孝信
早稲田大学
E-mail：
参加問合せ先
〒102-0073 東京都千代田区九段北 1-12-3
井門九段北ビル5Ｆ
応用物理学会 分科会担当 伊丹
TEL：03-3238-1043
FAX：03-3221-6245
E-mail：
更新：2009/1/1
セミナー：有機機能性材料・デバイスの薄膜・表面分析
第37回 薄膜・表面物理セミナー （2009）
概要
協賛（依頼中）
応用物理学会 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会，日本物理学会，日本化学会，日本表面科学会，電子情報通信学会，電気学会，日本真空協会，日本顕微鏡学会，日本分析化学会，日本質量分析学会
主旨
実用化を迎えた有機ELや，今盛んに研究されている有機太陽電池・FETなど，エレクトロニクスの分野においても機能性有機材料が主役となるケースが増えてきました．それに伴い，有機材料表面や有機薄膜中の構造・不純物・電子状態などを，従来にない精度や検出下限で測定する必要性が増しています．金属材料や無機半導体材料と比較したとき，有機材料はX線などの高エネルギープローブによって損傷を受けやすい，あるいは，帯電しやすいという弱点があります．一方，表面が酸化されにくく，真空の質による表面状態の変化が生じにくいという利点もあります．従って，無機材料と同じ評価装置を用いる場合でも，有機材料特有のテクニックが必要となるケースが多くなります．本セミナーでは，主にエレクトロニクス分野で使われる有機材料を中心とした様々な機能性有機材料を測定対象とし，XPS，UPSなどの光電子分光法，TOF-SIMS，MALDI-MSなどの質量分析法，NMR，ESRなどの磁気分光法，走査型プローブ顕微鏡などを用いた様々な分析例やテクニックを，できるかぎり「現場」に近いところで活躍されている方々に紹介して頂きます．有機機能性材料・デバイスに対し多角的に分析・評価を行うに当たって，考えるべき点や何をどうすれば何がわかるかを学べるセミナーになれば幸いです．
日時
2009年6月26日(金) 10:00-16:45
場所
東京工業大学百年記念館 フェライト会議室
東京都目黒区大岡山2-12-1
TEL: 03-5734-3340 http://www.libra.titech.ac.jp/cent/welcome5.html （アクセスマップ）
プログラム
| 日時 | 講演題目 | 講師 |
|---|---|---|
| 10:00-10:35 | XPSにおける有機材料の試料損傷（仮） | 當麻 肇 （日産アーク） |
| 10:35-11:10 | XPSとTOF-SIMSによる高分子薄膜材料解析の最新技術 | 前川 敏彦 （富士フイルム） |
| 11:10-11:45 | クラスターイオンを用いた有機材料の質量分析（仮） | 平岡 賢三 （山梨大） |
| 11:45-13:00 | 昼休憩 | |
| 13:00-13:35 | MALDI-MSによる有機薄膜材料の構造解析 | 田口 嘉彦 （東レリサーチセンター） |
| 13:35-14:10 | Backside SIMSによる有機ELの劣化評価 | 宮本 隆志 （東レリサーチセンター） |
| 14:10-14:45 | NMRによる有機デバイス材料の評価 | 梶 弘典 （京都大） |
| 14:45-15:00 | 休憩 | |
| 15:00-15:35 | ESRによる有機デバイスの評価 ―キャリヤ輸送の微視的理解に向けて | 長谷川 達生 （産総研） |
| 15:35-16:10 | 機能性有機材料の光電子分光および逆光電子分光 | 金井 要 （岡山大） |
| 16:10-16:45 | 走査型プローブ顕微鏡による有機薄膜FETの評価 | 小林 圭 （京都大） |
参加費
| 薄膜・表面物理分科会会員 * | 応用物理学会会員 ** 協賛学協会会員 |
学生 *** | その他 |
|---|---|---|---|
| 10,000円 | 15,000円 | 3,000円 | 20,000円 |
*薄膜・表面物理分科会賛助会社の方は分科会会員扱いといたします．
**応用物理学会賛助会社の方は，応用物理学会会員扱いといたします．
現在非会員の方でも，参加登録時に薄膜・表面物理分科会(年会費A会員：3,000円，B会員：2,200円)にご入会いただければ，本セミナーより会員扱いとさせていただきます．
http://www.jsap.or.jp/ より入会登録を行い，仮会員番号を取得後，本セミナーにお申込み下さい．
入会決定後，年会費請求書をお送りいたします．（年会費をセミナー参加費と同時にお振込なさらないで下さい．）
***学生の場合は，会員・非会員の別を問いません．
定員
65名 (満員になり次第締め切ります．)
参加申込締切
2009年6月12日(金)
参加申込方法
ここから参加登録して下さい。
http://annex.jsap.or.jp/tfspd/
参加登録完了後，下記銀行口座に参加費をご連絡いただいた期日までにお振込ください．原則として参加費の払い戻し，請求書の発行は致しません．領収書は当日会場にてお渡しいたします．
参加費振込期限
2009年6月19(金)
参加費の入金確認後，参加証をお送りします．
参加費振込先
三井住友銀行 本店営業部（本店も可）
普通預金 口座番号： 9474715
(社) 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会
(ｼｬ) ｵｳﾖｳﾌﾞﾂﾘｶﾞｯｶｲﾊｸﾏｸ・ﾋｮｳﾒﾝﾌﾞﾂﾘﾌﾞﾝｶｶｲ
セミナー内容問合せ先
エスアイアイ・ナノテクノロジー（株）
田中 啓一
TEL: 0550-76-5009
FAX: 0550-86-1036
E-mail：keiichi.tanaka@siint.co.jp
千葉大学 大学院工学研究科
中村 雅一
TEL: 043-290-3516
FAX: 043-290-3516
E-mail：nakamura@faculty.chiba-u.jp
参加登録問合せ先
応用物理学会事務局分科会担当
伊丹 文子
TEL: 03-3238-1043
FAX: 03-3221-6245
E-mail：divisions@jsap.or.jp
更新：2009/1/1
5th International Workshop on High-Resolution Depth Profiling（HRDP-5)
詳細
2009年11月15-19日、京都ガーデンパレス
>>> 詳細（docファイル）
更新：2009/1/1