Monthly Archives: 8月 2018
第24回 電子デバイス界面テクノロジー研究会
「電子デバイス界面テクノロジー研究会
－材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（第24 回）のご案内
開催案内：EDIT24
主催： 応用物理学会・薄膜表面物理分科会
共催： シリコンテクノロジー分科会
協賛： 日本物理学会，日本化学会，日本金属学会，日本表面真空学会，電子情報通信学会，電気学会，触媒学会，電気化学会，表面技術協会，日本顕微鏡学会，日本セラミックス協会，精密工学会
日時
2019 年1 月25 日(金)～26 日(土)[研究会]。
前日(24 日(木))夜にチュートリアルを開催。
場所
東レ総合研修センター
〒411-0032 静岡県三島市末広町21-9
Tel：055-980-0333 Fax :055-980-0350
https://www.toray.co.jp/network/head/hea_004.html
招待講演者（敬称略）
Ⅰ 基調講演
・田村 泰孝 (富士通研)
「集積回路の将来とデジタルアニーラ」
・橋詰 保（北大）
「GaN MOSFET の絶縁ゲート技術(仮)」
Ⅱ 招待講演
・木原 嘉英（東京エレクトロン）
「原子層制御技術(ALD/ALE)の微細加工への適用」
・東 清一郎（広大）
「メニスカス力を利用した転写法によるプラスチック基板上単結晶シリコンCMOS 回路作製技術」
・右田 真司（産総研）
「負性容量トランジスタは実現できるのか？(仮)」
・宮﨑 誠一（名大）
「電子デバイス・材料開発に向けたナノスケールスタック構造・界面の光電子分光分析（仮）」
Ⅲ 企画セッション
「センシングとLSI の融合がもたらす革新」
招待講演4 名を予定
Ⅳ チュートリアル講演（1 月24 日夜）
・常行 真司（東大）
「データ科学と計算・実験の連携による物質・材料研究」
＊予定分は、決定次第随時ホームページ、ウェブ広告で更新いたします。
定員
２００名
(ただし会場の宿泊定員は80 名（木曜夜）および100 名（金曜夜）（予定）。満員になり次第締切ります。)
参加費および宿泊費(消費税込、予定)
○ 参加費(含資料代)：
薄膜及びSi ﾃｸﾉﾛｼﾞｰ分科会会員15,000 円，応用物理学会・協賛学協会員19,000 円，一般24,000 円，学生／シニア＊8,000 円 （＊2018 年末時点で満65 歳以上の方）
※但し薄膜及びSi ﾃｸﾉﾛｼﾞｰ分科会賛助会社の方は分科会会員扱い，応用物理学会賛助会社の方は応用物理学会会員扱いとします。
○ 宿泊費：
前日（24 日）宿泊費（初日朝食付）：8,000 円，初日（25 日）宿泊費（2 日目朝食，初日および2 日目の昼食付）：9,500 円。
宿泊は個室となります。宿泊されない方が昼食（両日共）を希望される場合，事前申し込みによりお受け可能です。
講演申込み締切：2018 年10 月29 日(月) 11月10日(土) 締切を延長しました.
申込案内： http://www.edit-ws.jp/
上記ウェブサイトの指示に従って，発表題目，発表者氏名（共著者名含む）および連絡先(住所，TEL，FAX，e-mail)を日本語・英語併記し，発表概要を和文1000 文字以内または英文500 ワード以内にまとめて，入力して下さい。また，口頭あるいはポスター発表のご希望には，必ずしも添えない場合があることを予めご承知おき下さい。
参加申込み締切：2018 年12 月17 日(月)
上記ウェブサイトにてお申込下さい。
(1)参加者名 (2)性別 (3)連絡先（住所，TEL，FAX，e-mail） (4)参加費種別（会員の方は会員番号）・金額 (5)参加費振込予定日 (6) 前日（1 月24 日）宿泊希望の有無 (7) 初日(１月25 日)
宿泊希望の有無を明記してください。
参加費振込締切：2019 年1 月11 日(金)
費用は，参加費・前日泊も含むすべての宿泊費を同時にまとめて下記口座に参加者名で1 月11 日（金）までにお振り込み下さい。
参加費等の振込先：
三井住友銀行 本店営業部（本店も可）
普通預金9474715
(社)応用物理学会 薄膜・表面物理分科会
参加費お振り込みの際は，受付番号および氏名カナを振込名義人欄にご入力ください． 例：5001 オウブツタロウ
所属先から複数名の方々の参加費をお振り込みの際には，受付番号のみご入力ください． 例：5001 5003 5007
なお，申込後の取り消しや不参加の場合，参加費等の払い戻しは致しません。また，請求書の発行は致しません。
担当：応用物理学会事務局 五十嵐 周
予稿原稿締切： 2018 年12 月17 日（月）
4 頁（A4）以内（図表およびアブストラクトを含む），本文は日本語または英語，アブストラクトと図表およびその説明は英語として下さい。上記研究会ウェブサイトの指示に従って，pdf ファイルで送信して下さい。尚，発表申し込み時に登録した発表題目や共著者名等を変更される場合は，必ずウェブサイトの指示に従って，再入力をお願いいたします。
その他
発表言語は日本語または英語，発表用の図(スライド，ポスター)は英語
問合わせ先
中塚 理（名古屋大学） E-mail: nakatuka@alice.xtal.nagoya-u.ac.jp
ホームページ： http://www.edit-ws.jp/
*予稿集への広告掲載を募集します（5 万円/A4 白黒1 ページ）。詳細は上記までお問い合わせ下さい。
更新：2018/8/20
応用物理学会秋季学術講演会2018 シンポジウム
第７９回秋季学術講演会公式ウェブサイト
応物開催日
2018年9月18日 – 21日
場所
名古屋国際会議場
応用物理学会秋季学術講演会(2018年9月）において，以下の分科会企画シンポジウムが開催されます．
分科会企画シンポジウム
3次元積層集積デバイスによる半導体集積回路技術の進展と展望
開催日時：2018年9月19日（水）13:45〜17:30
会 場：432
開催案内：ポスター
プログラム：講演会ウェブサイト
| 13:45 | 19p-432-1 | 三次元積層集積デバイスによる半導体集積回路技術の進展と展望 | 〇大場 隆之1 | 1.東工大 |
| 14:15 | 19p-432-2 | AI時代到来の鍵を握る三次元スーパーチップ; パラダイムシフトとビジネス戦略 | 〇小柳 光正1 | 1.東北大未来研 |
| 14:45 | 19p-432-3 | 積層CMOSイメージセンサの進化と最新技術 | 〇水田 恭平1、津川 英信1、中邑 良一1、高橋 知宏1、榊原 雅樹1、大木 進1、田谷 圭司1 | 1.ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 |
| 15:15 | 19p-432-4 | IoT社会へ貢献する3次元集積実装技術 | 〇青柳 昌宏1 | 1.産総研 |
| 15:45 | 休憩/Break | |||
| 16:00 | 19p-432-5 | 3次元フラッシュメモリ技術 BiCS FLASHTM | 〇田上 政由1、勝又 竜太1 | 1.東芝メモリ(株) |
| 16:30 | 19p-432-6 | 自己スパッタ接合法を用いた常温によるSiO2/Siウェハ直接接合 | 〇内海 淳1 | 1.三菱重工工作機械(株） |
| 16:45 | 19p-432-7 | 画素並列信号処理３層構造イメージセンサの設計 | 〇後藤 正英1、本田 悠葵1、渡部 俊久1、萩原 啓1、難波 正和1、井口 義則1、更屋 拓哉2、小林 正治2、日暮 栄治2、年吉 洋2、平本 俊郎2 | 1.ＮＨＫ技研、2.東大 |
| 17:00 | 19p-432-8 | 3次元積層のための接合技術 | 〇藤野 真久1、須賀 唯知2 | 1.産総研、2.東大工 |
超スマート社会に向けての固体イオニクスデバイス
～基礎から情報通信、人工知能、電池への応用まで～
開催日時：2018年9月18日（火）9:30〜17:30
会 場：432
開催案内：ポスター
プログラム：講演会ウェブサイト
強誘電HfO2技術の最新動向
～プロセス・物性からデバイス・回路応用まで～
開催日時：2018年9月20日（木）13:30〜18:30
会 場：141
開催案内：ポスター
プログラム：講演会ウェブサイト
IoTに資する高周波デバイスにおける機能性酸化物の役割
開催日時：2018年9月21日（金）13:30〜17:25
会 場：CE
開催案内：ポスター
プログラム：講演会ウェブサイト
更新：2018/8/17
2018年度第１回研究会
応用物理学会 薄膜表面物理分科会 2018年度第１回研究会のご案内
日時
２０１８年１０月１３日（土）１４：００〜１６：４０
場所
北陸先端大金沢駅前オフィス（ポルテ金沢９Ｆ）
石川県金沢市本町２−１５−１（北陸新幹線金沢駅東口直結）
参加費
無料（応用物理学会会員）、2000円（その他）
問合せ
林 智広（東工大） hayashi.t.al@m.titech.ac.jp
講演プログラム
１４：００〜１４：３０
放射光イメージングによるデバイス分析応用～オペランド分析から機械学習まで～
（物質・材料研究機構、永村直佳）
放射光軟X線をプローブとした走査型光電子顕微鏡(SPEM)を用いると、元素選択的な電子状態・化学状態、さらにはポテンシャルの空間分布も観測できる。本講演では、測定回路の導入によって可能になった半導体デバイス動作中の状態分析例と、現在進めている計測データへの機械学習活用による高速処理について紹介する。
１４：３０〜１５：２０
ダイヤモンドNV中心を用いた走査スピンイメージングプローブの開発
（北陸先端科学技術大学院大学 安 東秀）
ダイヤモンド中の窒素―欠陥複合体中心（NV中心）はスピン三重項状態を有し、光学的に単一スピンレベルで磁気共鳴信号(Optically Detected Magnetic Resonance,ODMR)を計測可能である。このNV中心を走査プローブ顕微鏡と複合化し磁場センシングプローブとする試みを紹介する。
１５：２０〜１５：５０
イオン液体ナノ薄膜の構造と物性に関する研究
（東北大学 松本祐司）
真空下でも蒸発しない液体として安定なイオン液体が，近年注目されている。我々は，赤外レーザー蒸着法と呼ばれる独自の手法により，イオン液体をナノスケールで薄膜化する技術を確立してきた。本講演では，実験と理論計算に基づく，そのようなナノスケールでのイオン液体薄膜の構造とイオン伝導性について紹介する。
１５：５０〜１６：４０
FM-AFMの新展開 〜UHVから大気中まで〜
（金沢大学 新井豊子）
周波数変調原子間力顕微鏡(FM-AFM)は、UHV中のみならず、液中、大気中でも原子分解能で、種々の表面像を描き出すことができる。さらに、FM-AFMは画像化に用いる探針試料間に働く保存力相互作用と同時に、非保存力相互作用も取得できる。本講演では、散逸エネルギー計測から分かること、固体上の極薄水膜の特異性について解説する。
アクセス
北陸先端大金沢駅前オフィス（ポルテ金沢９Ｆ）
石川県金沢市本町２−１５−１（北陸新幹線金沢駅東口直結）
更新：2018/8/17