Monthly Archives: 2月 2019
第3回 「薄膜・表面物理分科会 論文賞」及び「奨励賞」 受賞論文決定のお知らせ
審査の結果,以下の通り第3回「論文賞」および「奨励賞」の受賞論文が決定致しましたのでお知らせ致します。数多くの優れた論文のご推薦をありがとうございました。
尚,2019年3月の応用物理学会春季学術講演会の会場にて,表彰式ならびに受賞記念講演を予定しておりますので,是非ご聴講ください。
1.「薄膜・表面物理分科会 論文賞」受賞論文
受賞者:松本翼(金沢大学)、加藤宙光(産総研)、小山和博(デンソー)、小倉政彦(産総研)、
竹内大輔(産総研)、猪熊孝夫(金沢大学)、徳田規夫(金沢大学)、山崎聡(産総研)
受賞論文:“Inversion channel diamond metal-oxide-semiconductor field-effect transister with normally off characteristics”, Scientific Reports, No.6, 31585, 2016.8
受賞理由:ダイヤモンド半導体は、高い絶縁耐圧、高い熱伝導率、電子・正孔の両キャリアの高い移動度などの物性値の優位性と、日本のレベルの高いSi技術を継承・発展させることが期待できる物質であり、次世代の半導体デバイス、特に省エネルギー化を実現するパワーデバイスとして期待されている。しかし反転層形成の基礎技術の構築は最重要課題となっていた。本論文はダイヤモンド基板でノーマリーオフ動作を有する反転層チャネルMOSFETを世界で初めて実証したことを報告している。この成果は、候補者らが有する独自のダイヤモンド表面構造及び酸化膜/ダイヤモンド界面構造の原子レベル制御(P ドープダイヤモンドの精緻な構造制御と絶縁膜/ダイヤモンド界面 OH 終端を利用した界面制御技術)と、ダイヤモンド半導体薄膜の高品質成長技術の融合と高度化に基づくものである。本研究は、今後省エネルギーパワーエレクトロニクス創成のトリガーとなり、応用物理学会の当該研究領域の発展、さらには産業や社会への貢献が大いに期待される。
以上のことから、対象論文は薄膜・表面物理関連分野の優秀な原著論文であり、薄膜・表面物理分科会論文賞に値する。
2.「薄膜・表面物理分科会 奨励賞」受賞論文
該当なし
薄膜・表面物理分科会 表彰委員会
審査委員
市川 昌和(東京大)
一宮 彪彦(名古屋大)
越川 孝範(大阪電通大)
繁野 雅次 (日立ハイテクサイエンス)
住友 弘二(兵庫県立大)
高桑 雄二 (東北大)
武田 さくら(奈良先端大)
林 智広 (東京工業大)
本間 芳和(東京理科大)
田畑 仁 (東京大)、審査委員長
更新:2019/2/12
応用物理学会春季学術講演会2019 シンポジウム及びチュートリアル
第66回春季学術講演会公式ウェブサイト
応物開催日
2019年3月9日 – 12日
場 所
東京工業大学 大岡山キャンパス
応用物理学会春季学術講演会(2019年3月)において,以下の 分科会企画シンポジウム 及び チュートリアル
が開催されます.
チュートリアル
日 時:2019年3月9日(土)13:30~16:00
会 場:本館 1F(M112)
開催案内:ポスター:講演会ウェブサイト
テーマ:
「電気化学界面・デバイスの局所評価技術の基礎と応用」
講 師:
前半:大西 洋 (神戸大学)
後半:高橋 康史(金沢大学)
受講料:社会人・学生(会員・非会員)5000円(税込):受講申込
世話人:松本祐司(東北大学)、古川貴司(日立ハイテク)、高橋竜太(東京大学)
分科会企画シンポジウム
新デバイス・材料開発のためのナノスケール2次元/3次元分析(II)
(Nanoscale 2D/3D analysesfor new device and materials development II)
日 時:2019年3月10日(日)13:30〜17:45
会 場:西9号館 3F(W933)
座 長:前半:古川貴司(日立ハイテク)、後半:松本祐司(東北大学)
開催案内:ポスター
プログラム
13:30 | 10p-W933-1 招待講演 |
デバイスから見た2D/3Dナノ計測の必要性 | 〇臼田 宏治1 | 1.東芝メモリ |
14:00 | 10p-W933-2 | 周波数変調走査型容量原子間力顕微鏡(FM-SCFM)による有機薄膜トランジスタのキャリアダイナミクス評価 | 〇横町 伝1, 院南 晧一1, 小林 圭1, 山田 啓文1 |
1.京大工 |
14:15 | 10p-W933-3 招待講演 |
原子間力顕微鏡によるナノスケール表面下構造イメージング | 戸野 博史1, 木村 邦子1, 小林 圭1, 〇山田 啓文1 |
1.京大院工 |
14:45 | 10p-W933-4 招待講演 |
超音波原子間力顕微鏡によるナノ領域弾性特性評価法 | 〇辻 俊宏1 | 1.東北大 |
15:15 | 10p-W933-5 奨励賞 |
イオン散乱分光法(CAICISS)を用いたLaAlO3(001)基板の終端面解析 | 〇李 智蓮1, Kim Jeong Rae2,3, Mun Junsik2,4, Kim Yoonkoo2,4, Shin Yeong Jae2,3, Kim Bongju2,3, Das Saikat2,3, Wang Lingfei2,3, Kim Miyoung2,4, Kim Tae Heon5, Noh Tae Won2,3, リップマー ミック1 |
1.東大物性研, 2.CCES, IBS, 3.ソウル大物理天文学部, 4.ソウル大新素材研, 5.蔚山大 |
15:30 | 休憩/Break | |||
15:45 | 10p-W933-6 招待講演 |
ミラー電子顕微鏡によるSiCウェハ表面微小欠陥検出 | 〇長谷川 正樹1, 小林 健二1, 兼岡 則幸1, 尾方 智彦1, 大平 健太郎1, 川上 和弘1, 郡司 毅志1, 小貫 勝則1 |
1.日立ハイテク |
16:15 | 10p-W933-7 招待講演 |
光電子ホログラフィーによる半導体中の不純物の3D原子イメージング | 〇筒井 一生1, 松下 智裕2, 名取 鼓太郞1, 小川 達博1, 室 隆桂之2, 森川 良忠3, 星井 拓也1, 角嶋 邦之1, 若林 整1, 林 好一4, 松井 文彦5, 木下 豊彦2 |
1.東工大, 2.高輝度光科学研究センター, 3.阪大, 4.名工大, 5.分子研 |
16:45 | 10p-W933-8 招待講演 |
硬X線XPSによるオペランド分析 | 〇山下 良之1 | 1.物材研 |
17:15 | 10p-W933-9 招待講演 |
X線によるデバイス構造および格子欠陥の三次元観察 | 〇表 和彦1, 伊藤 義泰1 |
1.リガクX線研究所 |
世話人:高橋竜太(東京大学)、一井 崇(京都大学)、谷口 淳(東京理科大学)、
蓮沼 隆(筑波大学)松本祐司(東北大学)、古川貴司(日立ハイテク)
更新:2019/2/6