（※）書類提出期限の締め切りを10月7日（月）まで延長しましたので、皆様奮ってご応募ください
　応用物理学会 薄膜・表面物理分科会では2016年より，当該分野における優れた業績に対して「薄膜・表面物理分科会論文賞」および「薄膜・表面物理分科会奨励賞」をお贈りしております．つきましては，以下の通り候補者を公募いたします．自薦，他薦を問わず，多数の方々からのご応募をお待ちしております．

詳細PDF： 第４回 論文賞・奨励賞募集案内

薄膜・表面物理分科会論文賞

• 表彰の対象は，薄膜・表面物理関連分野の進歩向上に寄与する優秀な原著論文で，2019年7月末日までの2年間に学術刊行物に掲載されたものの著者とする
• すでに公に顕著な賞を受けた論文は候補対象とされない場合がある
• 受賞者は著者全員とし，必ず，薄膜・表面物理分科会会員を含むものとする

薄膜・表面物理分科会奨励賞

• 表彰の対象は，薄膜・表面物理関連分野の進歩向上に貢献すると期待される優れた若手研究者で，2019年7月末日までの1年間に発行された学術刊行物に掲載された原著論文の筆頭著者とする
• 応募時に薄膜・表面物理分科会会員であり，表彰時の3月末時点で満35歳未満の者とする
• すでに公に顕著な賞を受けた論文は候補対象とされない場合がある

提出書類：

1. 推薦状（様式自由）のPDFファイル
   (1) 対象論文の題目，学術雑誌名，巻，発行年月
   (2) 候補者全員の氏名・所属・身分・連絡先（住所，電話番号，電子メールアドレス），および筆頭著者の生年月日（薄膜・表面物理分科会奨励賞の場合）
   (3) 推薦人氏名・所属・連絡先（他薦の場合）
   (4) 推薦文（400字程度で候補業績の優れた点を簡潔に記述する）
   (5) 候補業績に関わる，応用物理学会および当分科会の主催・共催する学術講演会・研究会等での発表状況
2. 該当する論文のPDFファイル

書類提出期限：

2019年8月23日（金）必着　締め切り延長しました→2019年10月7日（月）必着

書類提出方法：

• メールタイトルを「薄膜・表面物理分科会論文賞応募」もしくは「薄膜・表面物理分科会奨励賞応募」として添付ファイルと共に電子メールで提出して下さい． 提出の完了を同委員会事務局からの返信メールにて確認してください．

メール送付先：薄膜・表面物理分科会 表彰選考委員会　hakuhyou@jsap.or.jp

• 諸事情により電子メールでの送付が困難な場合には，その旨を電子メールにて連絡の上，提出する電子ファイルをUSBメモリ等のメディアに収め，以下へ郵送（書留）にて提出してください．

〒113-0031　東京都文京区根津1-21-5　公益社団法人応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 表彰選考委員会宛

贈呈式：

2020年応用物理学会春季学術講演会期間中に行います．

備　考：

各賞の規程については，下記URLをご参照ください．
https://annex.jsap.or.jp/tfspd/award/

2019 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES（次世代電子デバイスのための誘電体薄膜－科学と技術－2019）

日時

2019年11月18日（月）～20日（水）

場所

東京工業大学 大岡山キャンパス

ホームページ

http://iwdtf.org/

参加申し込み方法

会議ホームページの参加申込フォームからお申込み下さい↓
参加登録ページへのリンク

SCOPE

· Electron device application of dielectric thin films
· Material design of dielectric thin films
· Growth and related process of dielectric thin films
· Characterization and control of dielectrics, dielectrics surfaces, and dielectrics interfaces
· Electrical characterization of dielectrics, dielectrics surfaces, and dielectrics interfaces
· Surface preparation and cleaning issues for dielectrics
· Dielectric wearout and reliability
· Dielectric reliability related to process integration
· Surface passivation technology
· Theoretical approaches to dielectrics, dielectrics surfaces, and dielectrics interfaces

KEYNOTE SPEAKER

Ernest Wu (IBM): “Facts and Myths of Dielectric Breakdown Processes”
Shinichi Takagi (Univ. Tokyo): “Importance of semiconductor MOS interface control on advanced electron devices”

INVITED SPEAKER

Yi Zhao (Zhejiang Univ.): “Ge-based Non-Volatile Memories”
Tuo-Hung Hou (National Chiao Tung Univ.): “Emerging memory for data-centric computing”
Tadashi Yamaguchi (Renesas Electronics): “Highly Reliable Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Film with Al Nanoclusters Embedded by Sub-Monolayer Doping Technique”
Kohsuke Nagashio (Univ. Tokyo): “Understanding interface properties in 2D heterostructure FETs”
Hiroshi Yano (Univ. Tsukuba): “SiC MOS interface: what limits the channel mobility? ”
Daigo Kikuta (Toyota Central R&D Labs.):”Improvement of gate oxide reliability and instability in GaN-based MOS devices”

TOPICAL SESSION

“Achievement in Understanding Oxidation Processes of Si, Ge, SiGe, SiC, and GaN – 20 Years Anniversary –”
Yuji Takakuwa (Tohoku Univ.), Takayoshi Shimura (Osaka Univ.), Tomonori Nishimura (Univ. Tokyo), Takuji Hosoi (Osaka Univ.), Yoshihiro Irokawa (NIMS)

問合せ

IWDTF 2019 事務局　〒158-0082 東京都世田谷区等々力8-15-1 東京都市大学総合研究所
Tel：03-5706-3691　　Fax：03-5706-3125　　E-mail: iwdtf2019@ssl.ee.tcu.ac.jp

第80回秋季学術講演会公式ウェブサイト

応物開催日

2019年9月18日 – 21日

場　所

北海道大学　札幌キャンパス
応用物理学会秋季学術講演会(2019年9月）において，以下の 分科会企画シンポジウム 及び チュートリアル
が開催されます．

チュートリアル

日　時：2019年9月18日（水）9：00～11：30

会　場：N302

開催案内：講演会ウェブサイト

テーマ：

「半導体デバイス：その動作原理を物理の基礎から理解する」―― もう一度，学部の基礎から復習してみよう ――

講　師：

　柴田 直（東京大学名誉教授・工学博士）

受講料：社会人・学生（会員・非会員）5000円（税込）当日申し込みも可

世話人：田畑 仁（東京大学）

分科会企画シンポジウム

パワーエレクトロニクスと薄膜・表面技術～省エネルギー社会に向けて～

日　時：2019年9月19日（木）13:30〜18:00

会　場：B01

座　長：山田 貴壽（産総研）、田畑 仁（東大）

開催案内：ポスター

プログラム：大会ウェブプログラム