2021 International Workshop on
DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES
─  Science and Technology  ─

November 14 – 16, 2021, On-line virtual

Sponsored by The Japan Society of Applied Physics
Co-sponsored by JSAP Thin Film and Surface Physics Division
Endorsed by JSAP Silicon Technology Division / IEEE EDS Japan Chapter

日 時：2021年11月14日(日) − 16日(火)  

場 所：オンライン開催

URL： http://iwdtf.org

SCOPE:

The 2021 International Workshop on “Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology” (IWDTF2021) will be held on-line, on November 14-16, 2021. The IWDTF started in 1999, based on a domestic annual workshop on ultrathin silicon dioxide films. The IWDTF2021 is the tenth workshop, which will focus on the science and technologies of dielectric films for electron devices, such as ultrathin dielectrics, high-k dielectrics, and ferroelectrics. In addition to the papers on materials and processes of dielectrics for conventional logic devices, the papers for various electron devices including the memory, the power, the analog, the sensor, and the display devices are welcomed. The IWDTF will provide a great opportunity for information exchange and discussions at forefront of the researches on future electron devices. The papers on both experimental and theoretical studies, for the deep understanding of the properties of dielectric films and their interfaces, are welcomed. The workshop will consist of invited and contributed talks. Selected topics of current interests will be reviewed by several invited talks.

Papers are solicited in, but not limited to, the following area:
⚫ Electron device application of dielectric thin films
⚫ Material design of dielectric thin films
⚫ Growth and related process of dielectric thin films
⚫ Characterization and control of dielectrics, dielectrics surfaces, and dielectrics interfaces
⚫ Electrical characterization of dielectrics, dielectrics surfaces, and dielectrics interfaces
⚫ Surface preparation and cleaning issues for dielectrics
⚫ Dielectric wear-out and reliability
⚫ Dielectric reliability related to process integration
⚫ Surface passivation technology
⚫ Theoretical approaches to dielectrics, dielectrics surfaces, and dielectrics interfaces

KEYNOTE SPEAKER:

Ken Takeuchi (Univ of Tokyo) “Co-design of non-volatile memory devices, circuits and systems in AI era”
Ming Liu (IMECAS)“Oxide based resistive switching device for memory and computing applications”

INVITED SPEAKERS: 

Byun Jin Cho (KAIST)“Anti-ferroelectric HZO blocking layer in charge trap flash memory device”
Steven George (Univ of Colorado)“Thermal atomic layer etching of dielectric films and pathways for selectivity”
Masahiro Hori (Shizuoka Univ)“Charge pumping under spin resonance conditions in silicon MOSFETs”
Masaru Izawa (Hitachi High-Tech)“High selective thermal-cyclic ALE for conformal etch and recess of thin films”
Jiyoung Kim (Univ of Texas at Dallas)“Effects of oxidation reactants of thermal ALD for ferroelectric HZO films”
Takao Marukame (Toshiba)“Metal-oxide synapse devices and their application to neuromorphic analog neuron circuits”
Terence Mittmann (NaMLab gGmbH)“Ferroelectric phase stabilization influences HfO2-based device performance”
Norio Tokuda (Kanazawa Univ)“Advances in diamond MOS interface”
Kasidit Toprasertpong (Univ of Tokyo)“HfZrO2-based ferroelectric FETs for emerging computing technologies”
Lin-Wang Wang (Berkeley National Lab)“Ultrathin dielectric integration and reliability on 2D semiconductors”
Xinran Wang (Nanjing Univ)“Atomistic plane wave pseudopotential simulations for MOSFET devices”

IMPORTANT DATES:

Abstract deadline: August 20, 2021
Notification of acceptance: By September 30, 2021 
Workshop: November 14-16, 2021
Full paper (JJAP) deadline: December 18, 2021 (tentative)

SUBMISSION OF PAPERS:

Paper acceptance is based on the submitted abstracts. The work must be original and unpublished. The prospective authors are requested to submit abstract in PDF format of two pages in length, including all figures and tables, by Aug 20, 2021 to the workshop website at http://iwdtf.org
The two-page abstracts must be written in English and typed in an area of 8.5×11 inches or A4 size. The first page must be headed by the title of the paper, author(s), affiliation(s), address, phone number, and e-mail address of the corresponding author. The abstract must clearly and concisely state the specific results of the work and its originality. The detailed information about the format will be provided at the workshop website. Papers to be presented at the workshop will be selected by the program committee on the basis of the content of submitted abstracts. The decision will be notified by e-mail until the middle of September. In the 2021 conference, all contributors will be requested to give an oral presentation conforming to 20 min format. Only when we have more contributing papers than expected some papers may be presented in poster format (on-line).

SUBMISSION OF FULL-PAPERS TO THE SPECIAL ISSUE OF JJAP:

Authors of papers accepted in IWDTF2021 are encouraged to submit the original and significant part of the papers to the Special Issue of the Japanese Journal of Applied Physics (JJAP). The deadline of the paper submission is Dec 18, 2021 (temporary). Please refer to the IWDTF2021 website for the detailed information. Those who wish to submit a paper to the special issue should follow the instructions for preparation of manuscript for JJAP. Please note that the manuscript will be published after the usual review process in JJAP.

REGISTRATION:

Registration for the IWDTF2021 should be made on the workshop website.

Participants	Registration fee
Regular	¥20,000
JSAP or IEEE member	¥10,000
JSAP or IEEE member	¥10,000
JSAP Thin Film and Surface Physics Division member	¥8,000
Student	¥5,000

COMMITTEE:

Organizing Committee

Chairperson: Y. Morita (AIST)
Members: T. Chikyo (NIMS), T. Endoh (Tohoku Univ.), K. Hirose (JAXA), H. Kageshima (Shimane Univ.), C.Kaneta (Tohoku Univ.), S. Miyazaki (Nagoya Univ.), A. Nishiyama (KIOXIA), H. Nohira (Tokyo City Univ.), K. Shiraishi (Nagoya Univ.)

Steering Committee

Chairperson: K. Kakushima (Tokyo Inst. of Tech.)
Vice Chairperson: T. Kawanago (Tokyo Inst. of Tech.)
Members: R. Yokogawa (Meiji Univ.), D. Okamoto (Toyama Pref. Univ.)

Program Committee

Chairperson: K. Kita (Univ. of Tokyo)
Vice Chairperson: M. Inoue (Renesas Elec.), N. Taoka (Nagoya Univ.)
Members: A. Ohta (Nagoya Univ.), S. Ohmi (Tokyo Inst. of Tech.), M. Sometani (AIST), Y. Akasaka (TokyoElectron), T. Akiyama (Mie Univ.), H. Ashihara (KOKUSAI Electric), K. Eriguchi (Kyoto Univ), R. Ichihara (KIOXIA), Y. Mitani (Tokyo City Univ.), Y. Mori (Hitachi), T. Nabatame (NIMS), O. Nakatsuka (Nagoya Univ.), J. Okuno (Sony Semicond. Solutions), T. Ono (Kobe Univ.), K. Sawano (Tokyo City Univ.), H. Shima (AIST), T. Shimizu (NIMS), S. Takagi (Univ. of Tokyo), A. Teramoto (Hiroshima Univ.), E. Tokumitsu (JAIST), H. Watanabe (Osaka Univ.), T. Watanabe (Waseda Univ.), B. H. Lee (POSTECH), K.-S. Chang-Liao (National Tsing Hua Univ.), S. Wang (IMECAS), C. Choi (Hanyang Univ.)

FURTHER INOFORMATION:

Please visit our workshop website: http://iwdtf.org

INQUIRY:

IWDTF 2021 Secretariat
E-mail: iwdtf-group@g.ecc.u-tokyo.ac.jp

第82回応用物理学会秋季学術講演会公式ウェブサイト

応物秋季学術講演会開催期間：2021年9月10日(金) – 13日(月)（口頭セッション）および 9月21日(火) – 23日(木)（ポスターセッション）

場　所：ハイブリッド開催およびオンライン開催

応物学術講演会において，以下の分科会企画のシンポジウムおよびチュートリアルが開催されます．

分科会企画シンポジウム

薄膜・表面物理研究のトレンドと今後の展望～薄膜・表面物理分科会50周年記念シンポジウム～

Thin film / surface physics research trends and future prospects ~The 50th anniversery of Thin film and surface physics division ~

日　時：2021 年 9 月 11 日 ( 土 ) 9:00 ~ 18:30 [ 予定 ]

会　場：ハイブリッド開催（名城大学&オンライン)

配 信（期間1年間限定）：シンポジウム録画Vimeoストリーミング配信（薄表分科会会員限定)
https://vimeo.com/669242532

今年で薄膜・表面物理分科会も設立されて50周年を迎えました．その間に新しい表面分析手法の発明，特徴的な表面現象の解明，魅力的な特性を持つ物質の発見等，活発な研究が進められてきました．現在の薄膜・表面物理分野のトレンドを見直し，今後の研究展望を見据える事で，本研究分野の更なる振興を図ることを目的とします．

プログラム：

田畑 仁(東大)

　オープニングトーク

重川 秀実(筑波大) 

　走査プローブ顕微鏡で覗く世界は光でどこまで輝くか? 

長谷川 修司(東大) 

　量子物質が加速する表面・原子層科学の新展開 

鈴木 拓(NIMS) 

　イオンビームによる表面・界面の解析と改質 

岡田 健治(タワー パートナーズ セミコンダクター)

 　半導体デバイスを支える絶縁膜およびその界面の物理 

染谷 隆夫(東大)

　有機薄膜デバイスの生体計測応用

知京 豊裕(NIMS) 

　多様化する集積回路の潮流とそれを支えるインフォマテックス 

高桑 雄二(東北大)

　放射光を用いた表面研究の50 年間の歩みと今後:X 線光電子分光法の展開

繁野 雅次(日立ハイテク)

　同一視野での表面形状・物性計測の現状と今後の展望

一杉 太郎(東工大)

　「自律的」材料探索の現状と展望 ~実験室に産業革命が起きている~

日比野 浩樹(関西学院大)

　単原子層物質の成長機構と構造制御

組頭 広志(東北大)

　放射光を用いた酸化物超構造の量子状態解析

宮田 耕充(都立大)

　二次元ヘテロ構造の成長と機能開拓

* パネルディスカッションも開催します．また，一般講演（数件）も募集します．

世話人：小嗣 真人(東京理大)　永村 直佳(NIMS)　渡部 平司(大阪大)　住友弘二(兵庫県大)

問合先：sumitomo@eng.u-hyogo.ac.jp

チュートリアル

日　時：2021年9月21日（火）13：30～16：00 (休憩10分)

会　場：Zoomによるオンライン開催

テーマ：応用物理における群論の応用；実用編

講　師：今野 豊彦（東北大）

内　容：

結晶性固体の有する対称性は物質の性質に様々な影響を与えているが，本講義ではこの対称性を整理する強力な手法である群論を実践的に応用する力を身につける．そのため，結晶の原子配置に潜む対称操作が群をなす事を直観的に学び，そのうえで，量子力学的に振る舞う電子が直交関数系により記述されることを復習し，さらに群論の要点をキャラクター表（指標表）の用い方を通して学ぶ．これらの基礎の上にたって，様々な対称場における電子の振る舞いがどのように物性に反映されているかを分子や結晶を例にとって理解する．

※前回春講演会で開催したチュートリアル「応用物理における群論の基礎」にて，第３部まで講義を行いました．
本チュートリアルでは，応用編として，第４部以降の講義を行います．

第１部　固体の原子配列に表れる周期性と群論：点群から空間群へ
第２部　量子力学の枠組みと群論の基礎
第３部　局所的環境が電子の固有状態に与える効果：配位子場
第４部　分子構造の対称性と電子構造・振動
第５部　並進対称性の帰結：バンド理論の基礎
第６部　大局的な対称性とテンソル

受講料：社会人･学生(会員･非会員) 5000円(税込)チュートリアル開始時刻30分前までお申込を受付けます．

世話人：吉越 章隆（日本原子力研究開発機構）

第22回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会のご案内

共催： 応用物理学会薄膜・表面物理分科会　名城大学理工学部

協賛： 日本表面真空学会　日本物理学会

日時

 2021年12月3日(金)13:00〜4日(土)15:00

開催形式

現地会場とオンラインのハイブリット形式

現地会場

〒450-0002 名古屋市中村区名駅3-12-14今井ビル5F(下記参照)

オンライン会場

Zoomによる遠隔システムを使用（URLは参加登録者にメールでお知らせします。）

内容

低・中・高エネルギーイオン散乱による固体表面・界面の分析、およびイオンビームと固体表面との相互作用。　招待講演：３件、一般講演：１０数件程度。

招待講演

・高廣 克己　先生（京都工芸繊維大学）

「大気またはArプラズマに曝されたAgナノ粒子のイオンビーム分析と表面増強ラマン散乱分光」

・鈴木 耕拓　先生（若狭湾エネルギー研究センター）

「MeVイオンビームを用いた液体分析研究」

・土田 秀次　先生（京都大学）

「イオンビームによる質量分析法を用いた水中における生体分子放射線損傷の研究」

参加費

・応用物理学会 薄膜・表面物理分科会会員 1,000円 
・協賛団体会員 2,000円、一般 3,000円、 学生 無料、招待講演者 無料

参加費の振込先（支払い締め切りは12月1日(水)まで）

・ゆうちょ銀行　記号：１４４００　番号：４５５５６２８１　
　　　　　　　口座名：イオンビーム研究会（イオンビームケンキュウカイ）

・他金融機関からの振込の場合　店名：四四八（読み ヨンヨンハチ）　店番：４４８　
　　　　　　　　預金種目：普通預金　口座番号：４５５５６２８　
　　　　　　　　口座名：イオンビーム研究会（イオンビームケンキュウカイ）

講演申込み締め切り：10月29日(金) 　11月13(土)まで延長

一般講演を申し込まれる場合は、学会HPのサイト（アブスト提出ページ
https://www.t.kyoto-u.ac.jp/fs/qsec/ionbeam/2021/abstractsubmission
）より投稿して下さい。
Word形式のファイルA4で1頁のアブストラクト(日本文)を提出して頂きます。

参加申込み締め切り：11月15日(月)

 特別研究会に参加を申し込まれる場合は、学会HPのサイト（参加登録ページ
https://www.t.kyoto-u.ac.jp/fs/qsec/ionbeam/2021/registration
）よりお申し込み下さい。

世話人

土屋文（名城大学理工学部）

連絡先

〒468-8502 名古屋市天白区塩釜口1-501　
名城大学理工学部教養教育 　土屋文 
E-mail: btsuchiya@meijo-u.ac.jp、 Tel: 052-832-1151 

現地会場地図