Monthly Archives: 12月 2021

分科会幹事選挙結果のお知らせ

2022年度幹事選挙が実施されました。

第51-52期（2022年度）薄膜・表面物理分科会幹事選挙結果報告標記選挙の結果，下記の通り候補者が信任されました。なお，有効投票数141，白票0，無効0でした。

氏名	所属
大西洋	神戸大学
影島博之	島根大学
神谷利夫	東京工業大学
神吉輝夫	大阪大学
喜多浩之	東京大学
組頭広志	東北大学
小林慶裕	大阪大学
近藤大雄	（株）富士通
坂間弘	上智大学
笹川薫	筑波大学
佐々木成朗	電気通信大学
佐々木正洋	筑波大学
繁野雅次	(株)日立ハイテク
島政英	日本電子(株)
鈴木哲	兵庫県立大学
鈴木拓	物質・材料研究機構
須藤孝一	大阪大学
武田さくら	奈良先端科学技術大学院大学
寺地徳之	物質・材料研究機構
徳田規夫	金沢大学

土佐正弘	物質・材料研究機構
中塚理	名古屋大学
永村直佳	物質・材料研究機構
中村芳明	大阪大学
野平博司	東京都市大学
橋詰富博	(株)日立製作所
長谷川剛	早稲田大学
古川貴司	(株)日立ハイテク
堀尾吉已	大同大学
松本祐司	東北大学
三宅晃司	産業技術総合研究所
浅沼周太郎	産業技術総合研究所
宮崎久夫	(株)東芝
目良裕	滋賀医科大学
山田貴壽	産業技術総合研究所
柳原英人	筑波大学
山本哲也	高知工科大学
吉越章隆	日本原子力研究開発機構
渡邉孝信	早稲田大学
渡部平司	大阪大学

更新：2021/12/24

ニュースレターへのアクセスの不具合について

ニュースレターバックナンバーのNo.170（2020年3月）〜No176（2021年9月）分へのアクセスができない不具合が生じております。暫定的に下記のリンクにて
https://annex.jsap.or.jp/tfspd/newsletter/2020/
上記バックナンバーへアクセスが可能です。不具合解消までの暫くの間お手数をおかけしまして誠に恐縮ですが、どうぞ宜しくお願い申し上げます。

更新：2021/12/8

第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会

「第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会
－材料・プロセス・デバイス特性の物理－」(EDIT27)のご案内

開催案内：EDIT27

主催：　応用物理学会・薄膜表面物理分科会

共催：　応用物理学会・シリコンテクノロジー分科会

協賛：　日本物理学会，日本化学会，日本金属学会，日本表面真空学会，電子情報通信学会，電気学会，触媒学会，電気化学会，表面技術協会，日本顕微鏡学会，日本セラミックス協会，精密工学会

開催助成：　公益財団法人村田学術振興財団

日時

2022 年1 月28 日(金)～29 日(土)

場所

Webexによるオンライン開催(Live配信)

概要

IoTやセンサネットワークの基盤となる半導体電子デバイスにおいて，その開拓と変革が急速に進んでいます。従来のロジックLSIやメモリにおける新構造，新材料の導入はもとより，SiCやGaNなどのパワーデバイスの開発が進展し，各種センサ，MEMS/NEMS，電源デバイスの高性能化・集積化を進めるべく新しい展開が始まっています。多様な電子デバイスの性能向上，集積化と実用化に向けて，その鍵を握るのが界面テクノロジーです。異種材料界面の科学的な理解と制御がデバイス研究開発に不可欠となっています。本研究会は産･官･学の第一線の研究者がデバイス界面に関する様々なテーマについて基礎から応用まで理論と実験の両面から深く議論し，関連分野の発展に貢献することを目的としています。本研究会は1996年から2015年まで20回にわたり開催されてきた「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性研究会」,「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」の歴史を継承し，第21回より対象を広げ，新たな名称のもとスタートしました。各分野からの招待講演者のほかに，一般の口頭発表，ポスター発表を広く募集します。皆様のふるってのご参加をお待ちしております。

招待講演者（敬称略）

Ⅰ チュートリアル講演
・守屋剛(東京エレクトロン) 「インテリジェント制御による半導体製造装置のイノベーション」

Ⅱ 基調講演
・中野大樹(日本アイ・ビー・エム)「日本で初めての商用ゲート型量子コンピュータ」
・高木信一(東京大学)「先端ロジックCMOSのためのチャネル材料・デバイス技術」
・湯之上隆(微細加工研究所)「(仮)人類の文明に必要不可欠な半導体」

Ⅲ 海外招待講演
・Roger Loo (imec)「Epitaxial Ge Virtual Substrates and Ge-on Nothing on Si: Comparison of Material Properties」
・あと1名程度予定

Ⅳ 企画セッション
“半導体エレクトロニクス産業・工学の現在と将来展望（仮題）”
・世界的な半導体需要の高まりと各界の動向
・業界で求められている研究開発・人材像と将来展望
・製造装置・メモリ・アナログ・モビリティ 4 件の講演を予定

Ⅴ 招待講演
・長汐晃輔(東大) 「２次元層状物質の新機能デバイスへの展開」
・成田哲生(豊田中央研究所) 「AlSiO ゲート酸化膜を用いた GaN パワーMOSFET の進展と課題」
・小林正治(東大) 「酸化物材料による三次元集積メモリデバイスの新展開」
・中山隆史(千葉大) 「HfO2 強誘電相の安定化の仕組み：第一原理計算に基づく考察」
・吹留博一(東北大) 「SiC をプラットフォームとした低環境負荷Beyond 5G デバイスの創出とデバイス物理の研究」
・喜多浩之(東大) 「SiC の酸化反応と窒化反応の界面科学（仮題）」

定員

なし

参加費(消費税込)

EDIT27オンライン開催特別価格（PDFダウンロード資料代込み、冊子印刷無し）

薄膜・表面物理分科会及び Siテクノロジー分科会会員 12,000円（税込）
応用物理学会・協賛学協会員 15,000円（税込）
一般 20,000円（税込）
学生およびシニア(2021年12月31日時点で満65歳以上) 4,000円（税込）

※薄膜及びSiテクノロジー分科会賛助会社の方は分科会会員扱い，応用物理学会賛助会社の方は応用物理学会会員扱いとします．

参加登録･決済

参加申込ページにてお申込下さい．登録完了後にクレジットカード決済ページへ進めます．

参加登録締切・決済期限

- 早期登録締切・決済期限：2021年12月24日（金）【登壇予定者は厳守をお願いいたします】
- 最終登録締切・決済期限：2022年1月29日（水）【会期中も登録可能です】

開催日に近い時期に登録されると，開催日にスムーズに参加できない場合があります．また，Webexの収容人数を超えた場合に参加をお断りすることがありますので，早期にご登録いただくことをお勧めします．

問合わせ先

EDIT27事務局（E-mail: M-EDIT27-secretariat-ml@aist.go.jp）

ホームページ： http://www.edit-ws.jp/

*本研究会をご支援くださるスポンサーを募集しています（１口あたり 5万円）：予稿集(PDF 版)への広告掲載，研究会 HP や会期中の広告，参加 1 名無料などの特典あり。詳細は http://edit-ws.jp/sponsorship.html をご覧ください．