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基礎講座：走査プローブ顕微鏡による表面・界面研究：基礎と応用 ※学生参加費が無料
第53回 薄膜・表面物理 基礎講座（2024）
協力応用物理学会分科会・研究会
有機分子・バイオエレクトロニクス分科会
協賛学会
日本表面真空学会，日本物理学会，日本磁気学会，日本化学会，日本顕微鏡学会，ナノ学会，触媒学会
後援
早稲田大学アンビエントロニクス研究所
開催趣旨
走査型プローブ顕微鏡が普及し始めてからおよそ30年が経過しており，すでに定番の形状／物性評価法として広く使われています．それに伴って二つの問題が生じているように思われます．一つは，ユーザーフレンドリーな市販装置が普及するに従って，しくみを理解しないまま使う学生が増えてきているという点，もう一つは，新しい測定法の開発やこれまで出来なかったことができる新装置の開発が止まったわけではないのに，最新事情が幅広い分野の研究者／技術者に届きにくくなっているという点です．そこで，応用物理学会における走査型プローブ顕微鏡の総本山である薄膜・表面物理分科会として，今一度走査型プローブ顕微鏡という装置の根本についてしっかり学べるとともに，走査型プローブ顕微鏡の最新事情もまとめて聞くことができる機会として，本基礎講座を企画しました．
日時：
2024年11月13日（水） 9:50 – 17:20
場所：
早稲田大学西早稲田キャンパス 森村市左衛門記念会議室（63号館 2階 03会議室）（ハイブリッド開催）
１．プログラム：
（敬称略）
| 時間 | 講演テーマ（仮） | 講師 |
|---|---|---|
| 09:50-10:00 | 開会 | |
| 10:00-10:55 | 原子間力顕微鏡の基礎とその応用展開 −装置構成から最新の測定手法まで− | 山田 啓文 (京都大学名誉教授) |
| 10:55-11:40 | 超高真空中FM-AFMの基礎とその応用展開 | 杉本 宜昭 (東京大学) |
| 11:40-13:00 | 休憩 | |
| 13:00-13:45 | 高速AFMの基礎からバイオ応用まで | 安藤 敏夫 (金沢大学) |
| 13:45-14:30 | 光誘起力顕微鏡と静電気力顕微鏡の最近の展開 | 菅原 康弘 (大阪大学) |
| 14:30-15:00 | 休憩 | |
| 15:00-15:45 | 時間分解SPM技術の開拓-基礎から展望まで | 重川 秀実 (筑波大学) |
| 15:45-16:30 | スピン偏極STMと走査トンネルポテンショメトリの最近の展開 | 長谷川 幸雄 (東京大学） |
| 16:30-17:15 | 低温強磁場STMによる物性研究の最近の展開 | 花栗 哲郎 (理化学研究所) |
| 17:15-17:20 | 閉会 | |
２．参加費：
テキスト代, 消費税を含む
| 薄膜・表面物理分科会会員 * | 応用物理学会会員 ** 協賛学会会員・ 協賛分科会会員 | 学生 | その他 |
|---|---|---|---|
| 10,000円 | 15,000円 | 無料 | 25,000円 |
* 薄膜・表面物理分科会賛助会社の方は分科会会員扱いといたします．
** 応用物理学会賛助会社の方は応用物理学会会員扱いといたします．
現在非会員の方でも，参加登録時に薄膜・表面物理分科会（年会費正会員：2,200円,準会員：3,000円）にご入会いただければ，本基礎講座より会員扱いとさせていただきます．
https://www.jsap.or.jp/より入会登録を行い，会費支払及び仮会員番号を取得後，本基礎講座にお申込み下さい．（年会費を基礎講座参加費と同時にお振込なさらないで下さい．）
３．参加申込期間：
2024年10月1日(火) ~ 11月8日（金）
４．参加申込方法：
下記URLあるいはQRコードからイベントペイのサイトにアクセスし，参加登録してください．
https://eventpay.jp/event_info/?shop_code=1804158131583761&EventCode=6340142826
コンビニ支払い，ペイジー決済可．原則として，参加費の払い戻し，請求書の発行はできません．領収書は申し込みサイトからダウンロード可能です．
５．参加費支払期限：
2024年11月8日（金）
６．企画に関する問合せ先：
千葉大学 山田 豊和
E-Mail: toyoyamada@faculty.chiba-u.jp
奈良先端科学技術大学 中村 雅一
E-Mail: nakamura.masakazu@naist.ac.jp
7．参加登録問合せ先：
応用物理学会事務局 分科会担当 岡本 普一
TEL: 03-3828-7723
E-Mail: divisions@jsap.or.jp
更新：2024/5/30
第24回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会
第24回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会のご案内
詳細PDF： 第24回イオンビーム特別研究会案内
主催： 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会
協賛： （予定）日本表面真空学会、日本物理学会
日時
2024年10月16日(水)13:00〜17日(木)15:00
開催形式
現地会場のみでの開催
現地会場
日本原子力研究開発機構 JAEA Tokai Mirai Base 3階研修室
JR東海駅から徒歩6分程度
内容
イオンビームを利用した表面・界面の各種解析および改質に関わる基礎と応用
招待講演：数件、一般講演：１０数件程度
プログラム
準備中
招待講演
・ Prof. Marko Karlušić, Ruđer Boškovic Institute (Croatia)
「Role of the ion track formation threshold in the nanostructuring of materials by swift heavy ion beams」
その他
参加費
・応用物理学会 薄膜・表面物理分科会会員 １０００円
・協賛団体会員・関連団体会員
（日本表面真空学会、日本物理学会、応用物理学会） ２０００円
・一般 ３０００円
・学生 無料
・招待講演者 無料
講演申込み締め切り： 8月30日（金）
A4で１頁のアブストラクト（英文）を提出して頂きます。
アブストラクト提出：https://www.t.kyoto-u.ac.jp/fs/qsec/ionbeam/2024/abstractsubmission
参加申込み締め切り：9月30日（月）
参加登録：https://eventpay.jp/event_info/?shop_code=1804158131583761&EventCode=P864761205
世話人
石川法人（日本原子力研究開発機構）
連絡先
〒319-1195 茨城県那珂郡東海村白方2-4
国立研究開発法人 日本原子力研究開発機構 照射材料工学研究グループ
石川法人
Tel: 029-282-6089
E-mail: ishikawa.norito@jaea.go.jp
更新：2024/5/8
Controlled growth and characterization 研究会
Controlled growth and characterization 研究会
日時
2024年3月29日(金)13:40〜3月30日(土)12:20
会場
名古屋大学 ES総合館 1F ES会議室
プログラム
3 月 29 日
13：40-14：00 受付
14：00-14：05 開会
14：05-14：40 SiC 表面反応の考察に基づく MOS 界面特性の制御
喜多浩之 （東京大学 新領域創成科学研究科物質系専攻）
14：40-15：15 表面科学的手法によるエピタキシャル二次元材料の構造・電子状態評価
高村(山田) 由起子 （北陸先端科学技術大学院大学 先端科学技術研究科）
15：15-15：35 休憩
15：35-16：10 成長核制御による特殊薄膜の成長とその熱電特性
中村芳明 （大阪大学 大学院基礎工学研究科）
16：10-16：45 脂質二分子膜と基板表面との相互作用
住友弘二 （兵庫県立 大学大学院工学研究科）
16：45-17：20 半導体薄膜形成に対する計算科学的アプローチ
秋山亨 （三重大学 大学院工学研究科)
17：20-17：40 自由討論
17：40-17：45 挨拶
3 月 30 日
9：40-9：55 受付
9：55-10：00 挨拶
10：00-10：35 機能性材料の保護と高度化を両立させる二次元物質コーティング
小川修一 （日本大学生産工学部）
10：35-11：10 原子間力顕微鏡による溶融金属中合金結晶成長過程の原子スケール その場観察
一井 崇 （京都大学 大学院工学研究科）
11：10-11：25 休憩
11：25-11：55 減圧 CVD による Si 量子ドットの自己組織化形成
牧原克典 （名古屋大学大学院 工学研究科）
11：55-12：15 自由討論
12：15-12：20 閉会
定員
50人
参加費
無料
世話人
住友弘二（兵庫県大），中村芳明（大阪大学）
更新：2024/3/2
セミナー：先端集積回路の技術動向と光機能融合技術
第52回 薄膜・表面物理セミナー (2024)
詳細PDF：第52回薄膜表面物理セミナー
集積回路市場は急激に成長しており，世界的な需要増加に対応するための製造能力の拡大が急務となっています．COVID-19の影響でサプライチェーンに大きな混乱が生じましたが，アジア太平洋地域を中心に急成長が見込まれ続けており，工場の新設や投資が相次ぎ，技術競争が激化しています．本セミナーでは，重要な社会基盤である集積回路技術の最新の動向を講演いただくとともに，集積回路性能のさらなる向上のアプローチとして期待される光機能融合技術について薄膜・表面技術との関連にも着目しながら講演をいただきます．
日時：2024年7月4日(木) 13:00-16:45
場所：北陸先端科学技術大学院大学 東京サテライト 研修室C, D, E （ハイブリッド開催）
１．プログラム
| 日時 | 講演テーマ | 講師 (敬称略) |
|
|
7 月 4 日 （木） |
13:00－13:05 | 開会 | |
| 13:05－13:55 | 最先端ロジックプロセス技術の最新動向 | 山本 知成
（東京エレクトロン） |
|
| 13:55－14:45 | ナノスケールトランジスタの課題 | 内田 建
（東大） |
|
| 14:45－15:00 | 休憩 | ||
| 15:00－15:50 | フォトニクス応用に向けたIV族混晶ヘテロ構造の結晶成長技術 | 中塚 理
（名大） |
|
| 15:50－16:40 | シリコンフォトニクス最新動向 | 竹中 充
（東大） |
|
| 16:40－16:45 | 閉会 | ||
２．参加費，テキスト代，消費税を含む．
| 薄膜・表面物理 分科会会員* |
応用物理学会会員** 協賛学協会会員 |
学生 | その他 |
| 7,000円 | 10,000円 | 0円 | 17,000円 |
* 薄膜・表面物理分科会賛助会社の方は分科会会員扱いといたします．
** 応用物理学会賛助会社の方は，応用物理学会会員扱いといたします．
現在非会員の方でも，参加登録時に薄膜・表面物理分科会(年会費：正会員：2,200円，準会員：3,000円)にご入会いただければ，本セミナーより会員扱いとさせていただきます．
より入会登録を行い，会費支払及び仮会員番号を取得後，本セミナーにお申込み下さい．
（年会費をセミナー参加費と同時にお振込なさらないで下さい．）
３．現地会場定員：70名
（現地参加申込者が70名になり次第締め切りますので，以降はオンライン参加にてお申込みください．）
４．参加申込期間：2024年4月29日(月)～6月28日(金)
５．参加申込方法：
下記URLあるいはQRコードからイベントペイのサイトにアクセスし，参加登録してください．
https://eventpay.jp/event_info/?shop_code=1804158131583761&EventCode=0053570503
コンビニ支払い，ペイジー決済可.
原則として，参加費の払い戻し，請求書の発行はできません．
領収書は申し込みサイトからダウンロード可能です．
６．参加費支払期限：2024年7月1日(月)
７．企画に関する問合せ先：
九州大学 佐道泰造
E-Mail: sadoh@ed.kyushu-u.ac.jp
（株）ダイセル／金沢大学 吉川太朗
E-Mail: tr_yoshikawa@jp.daicel.com
８．参加登録問合せ先：
応用物理学会事務局分科会担当 岡本 晋一
TEL: 03-3828-7723
E-Mail: divisions@jsap.or.jp
更新：2024/2/20
IWDTF 2023
2023 International Workshop on
DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES
─ Science and Technology ─
October 23 – 25, 2023,
Kanazawa Chamber of Commerce and Industry, Ishikawa, Japan
Sponsored by The Japan Society of Applied Physics, Thin Film and Surface Physics Division
Endorsed by The Japan Society of Applied Physics, Silicon Technology Division / IEEE Electron Device Society Japan Chapter / IEICE Electronics Society
Corporate sponsor: KIOXIA / Tokyo Electron
日 時：2023年10月23日(月) − 25日(水)
場 所：金沢商工会議所
URL： http://iwdtf.org
SCOPE:
The 2023 International Workshop on “Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology” (IWDTF2023) will be held on Oct. 23 –25, 2023 at Kanazawa Chamber of Commerce and Industry, Ishikawa, Japan. The IWDTF started in 1999, based on a domestic annual workshop on ultrathin silicon dioxide films. The IWDTF2023 is the 11th workshop, which will focus on the science and technologies of dielectric films for electron devices, such as ultrathin dielectrics, high-k dielectrics, and ferroelectrics. In addition to the papers on materials and processes of dielectrics for conventional logic devices, the papers for various electron devices including the memory, the power, the analog, the sensor, and the display devices are welcomed. The IWDTF will provide a great opportunity for information exchange and discussions at forefront of the researchers on future electron devices. The papers on both experimental and theoretical studies, for the deep understanding of the properties of dielectric films and their interfaces, are welcomed. The workshop will consist of invited and contributed talks. Selected topics of current interests will be reviewed by several invited talks.
Focus Session Topics
⚫ Functional Thin Films for AI Applications
⚫ h-BN and 2-Dimensional-Layered Dielectrics
Papers are solicited in, but not limited to, the following area:
⚫ Emerging Memory and Applications
⚫ Advanced Channel Materials
⚫ Electrical and Optical Characterization
⚫ Functional Oxides and Interface
⚫ Channel Technologies
⚫ Ferroelectric Thin Films
⚫ SiC MOS Device and Processes
⚫ Widegap Semiconductor
⚫ Interfaces, Materials and Characterizations
KEYNOTE SPEAKER:
Hideo Hosono (Tokyo Institute of Technology & National Institute for Materials Science) “Oxide Semiconductor: fundamentals and progress”
Cheol Seong Hwang (Seoul National University) “Functional memristive hardwares for unconventional computing”
INVITED SPEAKERS:
Konrad Seidel (Fraunhofer IPMS, Germany) “Integration of Ferroelectric Devices for Advanced in-Memory Computing Concepts (tentative)”
Takeaki Yajima (Kyushu University) “Designing neuromorphic devices using protons”
Hiroki Ago (Global Innovation Center (GIC), Kyushu University) “Wafer-scale synthesis and applications of multilayer hexagonal boron nitride (tentative)”
Tomoki Machida (Institute of Industrial Science, University of Tokyo) “Carrier transport in van der Waals junctions of h-BN and two-dimensional materials”
Hisanori Aikawa (Kioxia Korea Corporation, Seoul, Korea) “First demonstration of full integration and characterization of 4F2 1S1M cells with 45 nm of pitch and 20 nm of MTJ size”
Tsunenobu Kimoto (Kyoto University) “Physics and Performance Improvement of SiC MOSFETs”
Hiroshi Funakubo (Tokyo Institute of Technology) “Stabilization and identification of ferroelectric HfO2 thin films”
Toshiki ITO (Canon Inc.) “Development of Nanoimprint Lithography Tool”
Jin-Seong Park (Hanyang University) “Atomic Layer Deposited Oxide Semiconductor as a New Channel Material for BEOL FET Application: Potential & Prospect”
Sanghun Jeon (Korea Advanced Institute of Science and Technology) TBA
IMPORTANT DATES:
Abstract deadline: August 10, 2023
Deadline for Early Registration: September 23, 2023
Workshop: October 23-25, 2023
Full paper (JJAP) deadline: November 30, 2023
SUBMISSION OF PAPERS:
Paper acceptance is based on the submitted abstracts. The work must be original and unpublished. The authors are encouraged to submit a 2-page maximum camera-ready abstract written in English in A4-size by Aug 10, 2023, to the workshop website at http://iwdtf.org
The extended abstract should clearly and concisely state the originality and specific results of the work. The detailed information about the format will be provided at the workshop website. Papers to be presented at the workshop will be selected by the program committee on the basis of the content of submitted abstracts.
SUBMISSION OF FULL-PAPERS TO THE SPECIAL ISSUE OF JJAP:
Authors of papers accepted in IWDTF2023 are encouraged to submit the original and significant part of the papers to the Special Issue of the Japanese Journal of Applied Physics (JJAP). The deadline of the paper submission is Nov. 30, 2023. Please refer to the IWDTF2023 website for the detailed information. Those who wish to submit a paper to the special issue should follow the instructions for preparation of manuscript for JJAP. Please note that the manuscript will be published after the usual review process in JJAP.
REGISTRATION:
Registration for the IWDTF2023 should be made on the workshop website.
| Registration Fees | Early-Registration | Regular Registration |
| General Participants | ¥30,000 | ¥35,000 |
| JSAP or IEEE member | ¥25,000 | ¥30,000 |
| JSAP, Thin Film and Surface Physics Division Members | ¥23,000 | ¥28,000 |
| Student Participants | ¥10,000 | ¥10,000 |
| Banquet Fees | |
| General Participants | ¥5,000 |
| JSAP or IEEE member | ¥5,000 |
| JSAP, Thin Film and Surface Physics Division Members | ¥5,000 |
| Student Participants | ¥2,000 |
COMMITTEE:
Organizing Committee
Chairperson: Eisuke Tokumitsu (Japan Advanced Institute of Science and Technology)
Members: Hiroshi Nohira (Tokyo City University), Tetsuro Endo (Tohoku University), Kazuyuki Hirose (Japan Aerospace Exploration Agency), Chihoko Kaneda (Tohoku University), Seiichi Miyazaki (Nagoya University), Akira Nishiyama (KIOXIA), Kenji Shiraishi (Nagoya University), Hiroyuki Kageshima (Shimane University), Yukinori Morita (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Shin’ichi Takagi (The University of Tokyo), Heiji Watanabe (Osaka University)
Steering Committee
Chairperson: Shinji Migita (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
Vice Chairperson: Akinobu Teramoto (Hiroshima University)
Secretary: Takeshi Kawae (Kanazawa University)
Treasurer: Dai Okamoto (Toyama Prefectural University)
Members: Kuniyuki Kakushima (Tokyo Institute of Technology)
Program Committee
Chairperson: Shun-ichiro Ohmi (Tokyo Institute of Technology)
Vice Chairperson: Yuichiro Mitani (Tokyo City University), Kenji Okada (Rapidus)
Chief Editor of JJAP Special Issue: Keisuke Yamamoto (Kyushu University), Akio Ohta (Fukuoka University)
Secretary: Tomoyuki Suwa (Tohoku University), Takaaki Miyasako (Murata Manufacturing)
Members: Kojii Kita (The University of Tokyo), Toru Akiyama (Mie University), Reika Ichihara (KIOXIA), Jun Okuno (Sony Semiconductor Solutions), Tomiya Ono (Kobe University), Hiroshi Ashihara (KOKUSAI Electric), Hisashi Shima (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Takanobu Watanabe (Waseda University), Masao Inoue (Renesas Electronics), Noriyuki Taoka (Nagoya University), Mitsuru Sometani (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Motoyuki Sato (Tokyo Electron), K. S. Chang-Liao (National Tsing Hua University), Shengkai Wang (Institute of Microelectronics of the Chinses Academy of Sciences), Changhwan Choi (Hanyang University), Yao-Jen Lee (Yangming Jiaotong University), S.M. Yoon (Kyung Hee University)
FURTHER INOFORMATION:
Please visit our workshop website: http://iwdtf.org
INQUIRY:
IWDTF 2023 Secretariat
E-mail:
更新：2023/8/5
基礎講座：電極界面の最新科学 ※学生参加費が無料
第52回 薄膜・表面物理 基礎講座（2023）
協力応用物理学会分科会・研究会
応用電子物性分科会，結晶工学分科会，有機分子・バイオエレクトロニクス分科会，先進パワー半導体分科会，固体量子センサ研究会
協賛学会
日本物理学会,日本化学会,日本表面真空学会,電子情報通信学会,電気化学会,日本結晶学会,日本結晶成長学会,日本分光学会,触媒学会,表面技術協会,日本材料学会,表面分析研究会,精密工学会,日本セラミックス協会,日本放射光学会，ナノ学会、日本MRS
開催趣旨
電極界面の理解が現在急速に進んでいます．そして，最近の研究トレンドである二次電池，燃料電池，水素貯蔵，などの研究開発において，電極界面の制御は極めて重要です．更に，電極界面に関係する物質合成，材料プロセス，及び計測評価の各技術も進展しています．このように近年進展している電極界面の科学に関して，その現状や課題を理解しておくことは，既にこの分野で活動している研究者にとっても，また新たに参入する研究者にとっても極めて有用です．そこで電極界面の最新科学について概観する機会として，本基礎講座を企画しました．
日時：
2023年11月24日（金） 9:50 – 17:30
場所：
東京理科大学森戸記念館第2フォーラム（ハイブリッド開催）
１．プログラム：
（敬称略）
| 時間 | 講演テーマ（仮） | 講師 |
|---|---|---|
| 9:50-10:00 | 開会 | 高見知秀 (工学院大) |
| 10:00-10:55 | 燃料電池の電極触媒 | 和田山智正 (東北大) |
| 10:55-11:40 | 酸化物抵抗変化素子 | 島 久 (産総研) |
| 11:40-13:00 | 休憩 | |
| 13:00-13:45 | 電池（電気化学）界面総論 | 安部武志 (京大) |
| 13:45-14:30 | 顕微鏡での直接観察(SEM/TEM,EELS) | 山本和夫 (JFCC) |
| 14:30-15:00 | 休憩 | |
| 15:00-15:45 | 蓄電固体材料の界面 | 高田和典 (NIMS) |
| 15:45-16:30 | 全固体電池電極における接触界面解析 | 折笠有基 (立命館大） |
| 16:30-17:15 | 硫化物全固体電池 | 林晃敏 (大阪公立大） |
| 17:15-17:20 | 閉会 | 住友弘二 幹事長 |
２．参加費：
テキスト代, 消費税を含む
| 薄膜・表面物理分科会会員 * | 応用物理学会会員 ** 協賛学会会員・ 協賛分科会会員 | 学生 | その他 |
|---|---|---|---|
| 10,000円 | 15,000円 | 無料 | 25,000円 |
* 薄膜・表面物理分科会賛助会社の方は分科会会員扱いといたします．
** 応用物理学会賛助会社の方は応用物理学会会員扱いといたします．
現在非会員の方でも，参加登録時に薄膜・表面物理分科会（年会費正会員：2,200円,準会員：3,000円）にご入会いただければ，本基礎講座より会員扱いとさせていただきます．
https://www.jsap.or.jp/より入会登録を行い，会費支払及び仮会員番号を取得後，本基礎講座にお申込み下さい．（年会費を基礎講座参加費と同時にお振込なさらないで下さい．）
３．参加申込期間：
2023年10月1日(日) ~ 11月15日(水) 22日（水）（延長しました）
４．参加申込方法：
下記URLあるいはQRコードからイベントペイのサイトにアクセスし，参加登録してください．
https://eventpay.jp/event_info/?shop_code=1804158131583761&EventCode=6331634989
コンビニ支払い，ペイジー決済可．原則として，参加費の払い戻し，請求書の発行はできません．領収書は申し込みサイトからダウンロード可能です．
５．参加費支払期限：
2023年11月15日(水) 22日（水）（延長しました）
６．企画に関する問合せ先：
工学院大学 高見知秀
E-Mail: takami@cc.kogakuin.ac.jp
物質・材料研究機構 鈴木 拓
E-Mail: SUZUKI.Taku@nims.go.jp
7．参加登録問合せ先：
応用物理学会事務局 分科会担当 岡本 普一
TEL: 03-3828-7723
E-Mail: divisions@jsap.or.jp
更新：2023/4/14
セミナー：ダイヤモンド研究の最前線
第51回 薄膜・表面物理セミナー (2023)
詳細PDF：第51回薄膜表面物理セミナー
ダイヤモンドは，極めて高い熱伝導率，移動度，絶縁破壊電界を有した次々世代パワー半導体やダイヤモンド中の窒素-空孔中心を用いた超高感度量子センサ等の量子技術応用への展開が期待されています．また，高濃度ホウ素ドープダイヤモンド電極は広い電位窓や長時間の電界還元に耐えうる高い安定性を有しているため，CO2を還元し有用な化合物へ変換するカーボンリサイクル技術への応用が注目されています．一方，高価なバルクダイヤモンドに対して，安価な直径数nmのダイヤモンドの製造が爆轟法により確立し，近年はカラーセンターナノダイヤモンドの合成や表面修飾ナノダイヤモンドを用いた生物・医療応用に関する研究開発も進められています．本セミナーでは，ダイヤモンドの研究開発で世界をリードする講師の方々に最新の成果をご紹介いただきます．
日時：2023年8月7日(月) 10:00-16:30
場所：金沢商工会議所 ホール （ハイブリッド開催）
１．プログラム
| 日時 | 講演テーマ | 講師 (敬称略) |
|
|
8 月 7 日 （月） |
10:00－10:05 | 開会 | |
| 10:05－10:55 | ダイヤモンドウェハ作製技術開発の現状と展望 | 山田 英明
（産総研） |
|
| 10:55－11:45 | ダイヤモンドMOSFETの高周波およびパワー半導体への展開 | 川原田 洋
（早大） |
|
| 11:45－13:00 | 休憩 | ||
| 13:00－13:50 | ダイヤモンド電極を用いたCO2からの有価物生成 | 栄長 泰明
（慶応大） |
|
| 13:50－14:40 | ダイヤモンド量子技術応用へ向けたCVD成長・デバイス化技術の現状と展望 | 加藤 宙光
(産総研) |
|
| 14:40－15:00 | 休憩 | ||
| 15:00－15:50 | 爆轟法による蛍光ナノダイヤモンドの大規模合成と応用展開 | 牧野 有都
（ダイセル） |
|
| 15:50－16:40 | 生物医療応用に向けたナノダイヤモンド表面の機能化 | 小松 直樹
(京大) |
|
| 16:40－16:45 | 閉会 | ||
２．参加費，テキスト代，消費税を含む．
| 薄膜・表面物理 分科会会員* |
応用物理学会会員** 協賛学協会会員 |
学生 | その他 |
| 10,000円 | 15,000円 | 0円 | 25,000円 |
* 薄膜・表面物理分科会賛助会社の方は分科会会員扱いといたします．
** 応用物理学会賛助会社の方は，応用物理学会会員扱いといたします．
現在非会員の方でも，参加登録時に薄膜・表面物理分科会(年会費：正会員：2,200円,準会員：3,000円)にご入会いただければ，本セミナーより会員扱いとさせていただきます．
より入会登録を行い，会費支払及び仮会員番号を取得後，本セミナーにお申込み下さい．
（年会費をセミナー参加費と同時にお振込なさらないで下さい．）
３．現地会場定員：90名
（現地参加申込者が90名になり次第締め切りますので、以降はオンライン参加にてお申込みください．）
４．参加申込期間：
2023年5月22日(月)～7月28日(金)
５．参加申込方法：
下記URLあるいはQRコードからイベントペイのサイトにアクセスし、参加登録してください。
https://eventpay.jp/event_info/?shop_code=1804158131583761&EventCode=7983001574
コンビニ支払い、ペイジー決済可.
原則として、参加費の払い戻し、請求書の発行はできません．
領収書は申し込みサイトからダウンロード可能です．
６．参加費支払期限：
2023年7月28日(金)
７．企画に関する問合せ先：
金沢大学 徳田 規夫
E-Mail: tokuda@se.kanazawa-u.ac.jp
（株）東芝 宮崎 久生
E-Mail: hisao2.miyazaki@toshiba.co.jp
８．参加登録問合せ先：
応用物理学会事務局分科会担当 岡本 晋一
TEL: 03-3828-7723
E-Mail: divisions@jsap.or.jp
更新：2023/4/13
応用物理学会春季学術講演会2023チュートリアルおよびシンポジウム
第70回応用物理学会春季学術講演会HP
応物春季学術講演会開催期間：2023年3月15日(水)〜18日(土) 口頭講演およびポスター講演
場 所：上智大学四谷キャンパスおよびオンラインのハイブリッド開催
応物学術講演会において、以下の分科会企画のチュートリアルとシンポジウムが開催されます。
チュートリアル
マイクロ・ナノスケール微細加工の表面界面先端技術
マイクロ・ナノスケール微細加工の表面界面先端技術に関して、特にMEMSやEUVの基本的なところを理解したいといった方に、三田先生（東大）と岡崎先生（ALITECS株式会社）より、基礎的なところからわかりやすく講義いただきます。
日 時：2023年3月16日（水）9：00～11：30 (休憩10分)
会 場：A302会場（6号館）現地会場およびオンラインでのハイブリッド開催（Zoomウェビナー利用)
プログラム：
・MEMS技術の基礎と集積デバイスへの展開
三田 吉郎（東京大学）
・先端リソグラフィ技術の基礎とデバイス技術への展開
岡崎 信次（ALITECS株式会社）
受講料：社会人･学生(会員･非会員) 5000円(税込)
申込期限：2023年3月8日（水）正午までにお支払いを完了させてください。
申し込みについては
https://peatix.com/event/3418093/view
をご参照ください。
詳細･申込先：https://meeting.jsap.or.jp/tutorial
（応物講演会とは別申込になりますのでご注意ください。）
分科会企画シンポジウム
マイクロ・ナノスケール微細加工の表面界面先端技術
フォトリソグラフィや電子線描画等の微細加工技術によって作製されるマイクロからナノスケールの先端デバイスの微細化と高機能化は進展を続けています。それを支える要素技術は様々ありますが、特に表面界面技術に注目して、材料選定、合成、成膜、エッチング、パッシベーション等の各プロセスにおける表面処理と界面制御の最新技術とそれらを駆使して実現される先端デバイスについてご紹介いただきます。
日 時：2023年3月16日（木）13:30〜18:25
会 場：A302会場（6号館）現地会場およびオンラインでのハイブリッド開催（Zoomウェビナー利用)
プログラム：
| 13:30 | 招待講演 | エネルギー自立分散ロボットに向けた 集積MEMSテクノロジ | 三田 吉郎 | 東京大学 |
| 14:05 | 招待講演 | ３次元リソグラフィ技術を用いた メカニカルメタマテリアル発電 | 鈴木 孝明 | 群馬大学 |
| 14:40 | 招待講演 | シリコン酸化膜エレクトレットの ＭＥＭＳアクチュエータ・エナジーハーベスタ応用 | 年吉 洋 | 東京大学 |
| 15:15 | 招待講演 | Bio-sensors based on Thin-Film-Transistor Technology | ティクシエ 三田 アニエス | 東京大学 |
| 15:50 | 休憩 | |||
| 16:05 | 招待講演 | EUVリソグラフィー技術開発の 現状および今後の展開について | 渡邊 健夫 | 兵庫県立 大学 |
| 16:40 | 招待講演 | 半導体デバイス製造用 ナノインプリントリソグラフィの開発状況 | 酒井 啓太 | キヤノン 株式会社 |
| 17:15 | 招待講演 | 半導体リソグラフィの微細化、エッチング耐性の限界を 打破する「プラスα」技術：誘導自己組織化(DSA)と 逐次浸透合成(SIS) | 浅川 鋼児 | キオクシア 株式会社 |
| 17:50 | 18:25 | 招待講演 | CFET性能バランス整合に向けた 三次元異種チャネル集積技術 | 張 文馨 | 産総研 |
世話人･問合せ先：浅沼 周太郎(産総研)･shutaro-asanuma@aist.go.jp
曾根 逸人(群馬大)･hayatosone@gunma-u.ac.jp
詳細･申込先：https://meeting.jsap.or.jp/symposium
（応物講演会参加登録により参加いただけます。）
更新：2023/2/10
EM-NANO2023
The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
(EM-NANO2023)
日時
2023 年 6 月 5 日（月）～ 8 日（木）
場所
石川県地場産業振興センター
ホームページ
https://smartconf.jp/content/em-nano2023
参加申し込み方法
会議ホームページの参加申込フォームからお申込み下さい
締切日（予定）
講演申し込み（2023.2.28）
事前参加申し込み（2023.5.10）
JJAP特集号投稿（2023.7.15）
主要題目
- A. Organic Materials and Devices for Electronics
- B. Inorganic Materials and Devices for Electronics
- C. Nanotechnologies for Electronics
- D. Special Sessions
- Photovoltaics
- Energy harvesting/ Battery-related technology and materials
- Wide-gap materials and devices
- Advanced oxide materials and their applications
- New developments in organic device
連絡先
EM-NANO 2023事務局
PCO富山
e-mail: emnano2023@pcojapan.jp
Tel: 076-461-7028
または
EM-NANO2023 組織委員会
幹事 松本翼（金沢大学）
Tel: 076-234-4890
e-mail：t-matsumoto@se.kanazawa-u.ac.jp
更新：2022/12/13
第23回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会
第23回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会のご案内
共催： 応用物理学会・薄膜表面物理分科会、（公財）若狭湾エネルギー研究センター
協賛： 日本表面真空学会、日本物理学会
日時
2022年12月2日(金)13:00〜3日(土)15:00
開催形式
現地会場（国内在住者）とオンライン（海外からの参加者）を予定
現地会場
若狭湾エネルギー研究センター 第一・第二会議室
JR敦賀駅から貸し切りバスで送迎予定
内容
イオンビームを利用した表面・界面の各種解析および改質に関わる基礎と応用
招待講演：数件、一般講演：１０数件程度
プログラム
Oral: 15 min. talk and 5 min. discussion
Friday, December 2, 13:00−17:50
| Opening | ||
| 13:00-13:05 | Opening remarks | SUZUKI Kohtaku (The Wakawa Wan Energy Research Center) |
| Session 1 | Chair: TSUCHIYA Bun (Meijo University) | |
| 13:05-13:45 | Invited 1(Online) | MATHAYAN Vairavel Uppsala University |
| In-operando profiling of light elements in energy materials using coincidence techniques | ||
| 13:45-14:05 | Oral 1 | MORITA Kenji Nagoya Industrial Science Research Institute |
| Analysis of Change in Li Depth Profiles of Au/Ge/LATP/LMO/Au Battery by Means of ERD and RBS Techniques with 9 MeV O+4 Ions | ||
| 14:05-14:25 | Oral 2 | KODERA Taku Meijo University |
| Hydrogen and Lithium Measurements in Near Surface of Water-soaked LATP Solid Electrolytes Using Elastic Recoil Detection Techniques | ||
| 14:25-14:40 | Break | |
| Session 2 | Chair: SEKI Toshio (Kyoto University) | |
| 14:40-15:00 | Oral 3 | TSUCHIYA Bun Meijo University |
| In-situ Hydrogen Distribution Analysis in LiCoO2 by Water Uptake at Room Temperature Using Elastic Recoil Detection in Air Atmosphere | ||
| 15:00−15:20 | Oral 4 | DAS Sudhansu Sekhar The University of Tokyo |
| Hydrogen depth profile in Platinum film using the 1H(15N,αγ)12C nuclear reaction analysis | ||
| 15:20−15:40 | Oral 5 | HASEGAWA Chika Kyoto Prefectural University |
| Development of TOF-ERDA system and application to ASSLB measurements | ||
| 15:40−15:55 | Break | |
| Session 3 | Chair: KINOMURA Atsushi (Kyoto University) | |
| 15:55-16:15 | Oral 6 | SUZUKI Taku National Institute for Materials Science |
| Spatial distribution analysis of oxygen vacancies injected into a rutile TiO2 single crystal at the electrode interface using SIMS and LEIS | ||
| 16:15-16:35 | Oral 7 | HIROE Masatoshi Kyoto University |
| Nanovoid evolution in hydrogen-implanted and annealed Si probed by slow positron beams | ||
| 16:35-16:55 | Oral 8 | WATANABE Hideo Kyusyu University |
| Hydrogen pickup of ion irradiated Zry-2 | ||
| 16:55-17:15 | Oral 9 | MORIBAYASHI Kengo National Institutes for Quantum Science and Technology (QST) |
| Effect of the thermalization of secondary electrons on plasma formation during the irradiation of heavy ions | ||
| 17:15-17:25 | Break | |
| Session for Sponsors | Chair: YASUDA Keisuke (Kyoto Prefectural University) | |
| 17:25-17:50 | Presentation 1 | KYOKUTO BOEKI KAISYA, Ltd. |
| Presentation 2 | ADCAP Vacuum Technology Co., Ltd. | |
| Presentation 3 | TechnoAP Co., Ltd. | |
| Presentation 4 | Pulsed Power Japan Laboratory Ltd. | |
Saturday, December 3, 9:00−13:00
| Session 4 | Chair: ISHIKAWA Norito (Japan Atomic Energy Agency) | |
| 9:00-9:40 | Invited 2(Online) | LANG Maik University of Tennessee |
| Characterization of Radiation Effects in Ceramics with Spallation Neutron Probes | ||
| 9:40−10:20 | Invited 3 | IWASE Akihiro The Wakasa Wan Energy Research Center |
| Surface modifications of lattice structures and physical properties of inorganic materials induced by energetic ion beam irradiation | ||
| 10:20−10:35 | Break | |
| Session 5 | Chair: TSUCHIDA Hidetsugu (Kyoto University) | |
| 10:35−10:55 | Oral 10 | ISHIKAWA Norito Japan Atomic Energy Agency (JAEA) |
| Nanostructure of Ceramics Irradiated with Swift Heavy Ions: TEM Study | ||
| 10:55−11:15 | Oral 11 | TOMITA Shigeo Tsukuba University |
| Projectile dependence on the convoy electron yield of fast molecular ions | ||
| 11:15−11:35 | Oral 12 | MAJIMA Takuya Kyoto University |
| Anion–Molecule Reactions Induced by MeV-energy heavy ions on the Methanol Droplet Surface | ||
| 11:35−11:55 | Oral 13 | UNO Naruki Kyoto University |
| Energy distribution of secondary electrons from single and multiple layer graphene bombarded by MeV Si cluster ions | ||
| 11:55−12:00 | Closing remarks | SUZUKI Kohtaku (The Wakawa Wan Energy Research Center) |
| 12:00 | Closing | |
| Tour | ||
| 12:00-13:00 | Tour for Wakasa Wan Energy Research Center | |
招待講演
・ Prof. Maik Lang, Department of Nuclear Engineering, University of Tennessee (USA)
「Characterization of Radiation Effects in Ceramics with Spallation Neutron Probes」
そのほか、Dr. Vairavel Mathayan, Applied Nuclear Physics Division, Department of Physics and Astronomy, Uppsala University (Sweden) 他を予定しています。
参加費
・応用物理学会 薄膜・表面物理分科会会員 １０００円
・協賛団体会員・関連団体会員
（日本表面真空学会、日本物理学会、応用物理学会） ２０００円
・一般 ３０００円
・学生 無料
・招待講演者 無料
講演申込み締め切り： 10月28日（金）
A4で１頁のアブストラクト（英文）を提出して頂きます。
アブストラクト提出：https://www.t.kyoto-u.ac.jp/fs/qsec/ionbeam/2022/abstractsubmission
参加申込み締め切り：11月14日（月）
参加登録：https://www.t.kyoto-u.ac.jp/fs/qsec/ionbeam/2022/registration
世話人
鈴木耕拓（若狭湾エネルギー研究センター）
連絡先
〒912-0192 福井県敦賀市長谷64-52-1
（公財）若狭湾エネルギー研究センター 研究開発部 鈴木耕拓
E-mail: ksuzuki@werc.or.jp、Tel: 0770-24-2300（代表）
更新：2022/11/30