第26回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会

詳細：第26回イオンビーム研究会2025

主催： 応用物理学会　薄膜・表面物理分科会

協賛：依頼中

日時

2025年11月28日(金)13:00〜11月29日(土)16:00（予定）

開催形式

現地会場のみでの開催

会場

神奈川大学 横浜キャンパス (対面形式) 3号館305講堂 東急東横線白楽駅より徒歩15分 または 横浜駅より市営バス20分+徒歩5分 アクセス:https://www.kanagawa-u.ac.jp/access/yokohama/

内容

イオンビームを用いた固体表面・界面の分析および改質、イオンビームと固体表面との相互作用。招待講演数件。

参加費

・応用物理学会 薄膜・表面物理分科会会員 １０００円
・協賛団体会員・関連団体会員（日本表面真空学会、日本物理学会、応用物理学会） 　　　　２０００円
・一般 　　　　　　　　　　　　　　　　３０００円
・学生、招待講演者 　　　　　　　　　　無料

言語

日本語 (英語も可 (スライドは英語))

懇親会

11月28日(金) 18:00〜 　（費用は別途）

講演申込み締め切り

10月31日(金)(A4で1頁のアブストラクト(英文)を提出して頂きます) https://www.t.kyoto-u.ac.jp/fs/qsec/ionbeam/2025/abstractsubmission 参加申込み締め切り:11月14日(金) https://eventpay.jp/event_info/?shop_code=1804158131583761&EventCode=0243142443

※ 宿泊施設の確保は各自でお願いします。

問い合わせ連絡先:

連絡先:
〒221-8686 横浜市 神奈川区 六角橋 3−27−1 神奈川大学 理学部 理学科 物理分野 星野 靖
E-mail: yhoshino@kanagawa-u.ac.jp, Tel: 045-481-5661(代表)

第53回　薄膜・表面物理セミナー (2025)

詳細PDF：第53回薄膜表面物理セミナー

日時：2025年7月4日(金) 9:45-16:35

場所：大阪大学　中之島センター10F　佐治敬三メモリアルホール４ （ハイブリッド開催）

１．プログラム

２．参加費，テキスト代，消費税を含む．

* 薄膜・表面物理分科会賛助会社の方は分科会会員扱いといたします．

** 応用物理学会賛助会社の方は，応用物理学会会員扱いといたします．

現在非会員の方でも，参加登録時に薄膜・表面物理分科会(年会費：正会員：2,200円，準会員：3,000円)にご入会いただければ，本セミナーより会員扱いとさせていただきます．
https://www.jsap.or.jp/ より入会登録を行い，会費支払及び仮会員番号を取得後，本セミナーにお申込み下さい．（年会費をセミナー参加費と同時にお振込なさらないで下さい．）

３．参加申込期間：2025年4月23日(水)～6月28日(土)

４．参加申込方法：

下記URLあるいはQRコードからイベントペイのサイトにアクセスし，参加登録してください．

https://eventpay.jp/event_info/?shop_code=1804158131583761&EventCode=0797159211

コンビニ支払い，ペイジー決済可．
原則として，参加費の払い戻し，請求書の発行はできません．
領収書は申し込みサイトからダウンロード可能です．

５．参加費支払期限：2025年7月1日(火)

６．企画に関する問合せ先：

大阪大学　　　有馬 健太

E-Mail: arima@prec.eng.osaka-u.ac.jp

大阪大学　　　須藤 孝一

E-Mail: sudoh@sanken.osaka-u.ac.jp

７．参加登録問合せ先：

応用物理学会事務局分科会担当 岡本 晋一
TEL: 03-3828-7723
E-Mail: divisions@jsap.or.jp

Controlled growth and characterization 研究会 2024-II

日時

2024年12月20日(金)14:00〜12月21日(土)12:00

会場

TKP 新大阪ビジネスセンター　カンファレンスルーム 3B

プログラム

12 月 20 日

14：00-14：20　受付

14：20-14：30　開会

14：30-15：00　二次元有機量子ビット配列の表面合成

　　　　　　　　　千葉大学　山田豊和

15：00-15：30　HfO₂系強誘電体薄膜/電極の界面設計による結晶構造制御

　　　　　　　　　東京大学　女屋 崇

15：30-16：00　計算科学手法を用いた界面電子構造の解析・予測

　　　　　　　　　神戸大学　小野倫也

16：00-16：30　休憩

16：30-17：00　 多層薄膜界面の可視化と制御に向けた角度分解XPSビッグデータ計測シミュレーション技術の開発

　　　　　　　　　 シエンタオミクロン株式会社　豊田智史

17：00-17：30　 原子状水素を利用した表面改質と薄膜形成技術の開発

　　　　　　　　　 兵庫県立大学　部家 彰

17：30-18：00　 テラヘルツ電磁波発生検出素子応用に向けた低温成長Bi系III-V族半導体混晶

　　　　　　　　　 広島大学　富永依里子

12 月 21 日

9：20-9：30　受付

9：30-10：00　 原子間力顕微鏡による光触媒表面の構造と物性計測

　　　　　　　　　 ファインセラミックスセンター　勝部大樹

10：00-10：30　 制御界面導入による熱電薄膜の高性能化

　　　　　　　　　 大阪大学　石部貴史

10：30-10：45　休憩

10：45-11：15　 光学的な共鳴を示すシリコンナノ粒子の開発と応用

　　　　　　　　　 神戸大学　杉本 泰

11：15-11：45　 SiC MOSFET性能向上に向けたSiO₂/SiC界面制御

　　　　　　　　　関西学院大学　細井卓治

11：45-12：00　閉会

PDF版プログラム

定員

50人

参加費

無料

世話人

住友弘二（兵庫県立大学），中村芳明（大阪大学）

第53回 薄膜・表面物理 基礎講座（2024）

協力応用物理学会分科会・研究会

有機分子・バイオエレクトロニクス分科会

協賛学会

日本表面真空学会，日本物理学会，日本磁気学会，日本化学会，日本顕微鏡学会，ナノ学会，触媒学会

後援

早稲田大学アンビエントロニクス研究所

開催趣旨

　走査型プローブ顕微鏡が普及し始めてからおよそ30年が経過しており，すでに定番の形状／物性評価法として広く使われています．それに伴って二つの問題が生じているように思われます．一つは，ユーザーフレンドリーな市販装置が普及するに従って，しくみを理解しないまま使う学生が増えてきているという点，もう一つは，新しい測定法の開発やこれまで出来なかったことができる新装置の開発が止まったわけではないのに，最新事情が幅広い分野の研究者／技術者に届きにくくなっているという点です．そこで，応用物理学会における走査型プローブ顕微鏡の総本山である薄膜・表面物理分科会として，今一度走査型プローブ顕微鏡という装置の根本についてしっかり学べるとともに，走査型プローブ顕微鏡の最新事情もまとめて聞くことができる機会として，本基礎講座を企画しました．

日時：

2024年11月13日（水） 9:50 – 17:20

場所：

早稲田大学西早稲田キャンパス 森村市左衛門記念会議室（63号館 2階 03会議室）（ハイブリッド開催）

１．プログラム：

（敬称略）

２．参加費：

テキスト代, 消費税を含む

* 薄膜・表面物理分科会賛助会社の方は分科会会員扱いといたします．
** 応用物理学会賛助会社の方は応用物理学会会員扱いといたします．

現在非会員の方でも，参加登録時に薄膜・表面物理分科会（年会費正会員：2,200円,準会員：3,000円）にご入会いただければ，本基礎講座より会員扱いとさせていただきます．

https://www.jsap.or.jp/より入会登録を行い，会費支払及び仮会員番号を取得後，本基礎講座にお申込み下さい．（年会費を基礎講座参加費と同時にお振込なさらないで下さい．）

３．参加申込期間：

2024年10月1日(火) ~ 11月8日（金）

４．参加申込方法：

下記URLあるいはQRコードからイベントペイのサイトにアクセスし，参加登録してください．

https://eventpay.jp/event_info/?shop_code=1804158131583761&EventCode=6340142826

コンビニ支払い，ペイジー決済可．原則として，参加費の払い戻し，請求書の発行はできません．領収書は申し込みサイトからダウンロード可能です．

５．参加費支払期限：

2024年11月8日（金）

６．企画に関する問合せ先：

千葉大学　山田 豊和

E-Mail: toyoyamada@faculty.chiba-u.jp

奈良先端科学技術大学　中村 雅一

E-Mail: nakamura.masakazu@naist.ac.jp

7．参加登録問合せ先：

応用物理学会事務局 分科会担当 岡本 普一
TEL: 03-3828-7723
E-Mail: divisions@jsap.or.jp

第25回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会のご案内

詳細PDF：　第25回イオンビーム特別研究会案内

主催： 応用物理学会　薄膜・表面物理分科会

協賛： 日本表面真空学会、日本物理学会

日時

2024年10月16日(水)13:00〜17日(木)17:15

開催形式

現地会場のみでの開催

現地会場

日本原子力研究開発機構　JAEA Tokai Mirai Base　3階研修室
JR東海駅から徒歩6分程度

内容

イオンビームを利用した表面・界面の各種解析および改質に関わる基礎と応用
招待講演：３件、一般講演：２４件

プログラム

PDF版プログラム

招待講演

・ Prof. Wataru Kada, Tohoku University (Japan)
「Microscopic analysis and imaging of ion-beam-induced luminescence (IBIL) and ion-beam-induced fluorescence (IBIF) using a MeV-focused ion microprobe」

・ Prof. Marko Karlušić, Ruđer Boškovic Institute (Croatia)
「Surface nano-structuring by high-energy heavy ion beams: examples from the RBI」

・ Dr. Shinichiro Abe, Japan Atomic Energy Agency (Japan)
「Investigation of Cosmic-Ray Induced Soft Errors by Simulation」

参加費

・応用物理学会 薄膜・表面物理分科会会員 １０００円
・協賛団体会員・関連団体会員
　（日本表面真空学会、日本物理学会、応用物理学会） ２０００円
・一般 ３０００円
・学生 無料
・招待講演者 無料

講演申込み締め切り： 8月30日（金）

A4で１頁のアブストラクト（英文）を提出して頂きます。
アブストラクト提出：https://www.t.kyoto-u.ac.jp/fs/qsec/ionbeam/2024/abstractsubmission

参加申込み締め切り：9月30日（月）

参加登録：https://eventpay.jp/event_info/?shop_code=1804158131583761&EventCode=P864761205

世話人

石川法人（日本原子力研究開発機構）

連絡先

〒319-1195 茨城県那珂郡東海村白方2-4
国立研究開発法人　日本原子力研究開発機構　照射材料工学研究グループ
石川法人
Tel: 029-282-6089
E-mail: ishikawa.norito@jaea.go.jp

Controlled growth and characterization 研究会

日時

2024年3月29日(金)13:40〜3月30日(土)12:20

会場

名古屋大学 ES総合館　1F ES会議室

プログラム

3 月 29 日

13：40-14：00 受付

14：00-14：05 開会

14：05-14：40 SiC 表面反応の考察に基づく MOS 界面特性の制御

喜多浩之 （東京大学 新領域創成科学研究科物質系専攻）

14：40-15：15 表面科学的手法によるエピタキシャル二次元材料の構造・電子状態評価

高村(山田) 由起子 （北陸先端科学技術大学院大学 先端科学技術研究科）

15：15-15：35 休憩

15：35-16：10 成長核制御による特殊薄膜の成長とその熱電特性

中村芳明 （大阪大学 大学院基礎工学研究科）

16：10-16：45 脂質二分子膜と基板表面との相互作用

住友弘二 （兵庫県立 大学大学院工学研究科）

16：45-17：20 半導体薄膜形成に対する計算科学的アプローチ

秋山亨 （三重大学 大学院工学研究科)

17：20-17：40 自由討論

17：40-17：45 挨拶

3 月 30 日

9：40-9：55 受付

9：55-10：00 挨拶

10：00-10：35 機能性材料の保護と高度化を両立させる二次元物質コーティング

小川修一 （日本大学生産工学部）

10：35-11：10 原子間力顕微鏡による溶融金属中合金結晶成長過程の原子スケール その場観察

一井 崇 （京都大学 大学院工学研究科）

11：10-11：25 休憩

11：25-11：55 減圧 CVD による Si 量子ドットの自己組織化形成

牧原克典 （名古屋大学大学院 工学研究科）

11：55-12：15 自由討論

12：15-12：20 閉会

PDF版プログラム

定員

50人

参加費

無料

世話人

住友弘二（兵庫県大），中村芳明（大阪大学）

第52回　薄膜・表面物理セミナー (2024)

詳細PDF：第52回薄膜表面物理セミナー

日時：2024年7月4日(木) 13:00-16:45

場所：北陸先端科学技術大学院大学　東京サテライト研修室 C, D, E（ハイブリッド開催）

１．プログラム

２．参加費，テキスト代，消費税を含む．

* 薄膜・表面物理分科会賛助会社の方は分科会会員扱いといたします．

** 応用物理学会賛助会社の方は，応用物理学会会員扱いといたします．

現在非会員の方でも，参加登録時に薄膜・表面物理分科会(年会費：正会員：2,200円，準会員：3,000円)にご入会いただければ，本セミナーより会員扱いとさせていただきます．

https://www.jsap.or.jp/

より入会登録を行い，会費支払及び仮会員番号を取得後，本セミナーにお申込み下さい．
（年会費をセミナー参加費と同時にお振込なさらないで下さい．）

３．参加申込期間：2024年4月29日(月)～6月28日(土)

４．参加申込方法：

下記URLあるいはQRコードからイベントペイのサイトにアクセスし，参加登録してください．

https://eventpay.jp/event_info/?shop_code=1804158131583761&EventCode=0053570503

コンビニ支払い，ペイジー決済可.
原則として，参加費の払い戻し，請求書の発行はできません．
領収書は申し込みサイトからダウンロード可能です．

５．参加費支払期限：2025年7月1日(火)

６．企画に関する問合せ先：

大阪大学　　　有馬 健太

E-Mail: arima@prec.eng.osaka-u.ac.jp

大阪大学　　　須藤 孝一

E-Mail: sudoh@sanken.osaka-u.ac.jp

７．参加登録問合せ先：

応用物理学会事務局分科会担当 岡本 晋一
TEL: 03-3828-7723
E-Mail: divisions@jsap.or.jp

2023 International Workshop on
DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES
─  Science and Technology  ─

October 23 – 25, 2023,
Kanazawa Chamber of Commerce and Industry, Ishikawa, Japan

Sponsored by The Japan Society of Applied Physics, Thin Film and Surface Physics Division
Endorsed by The Japan Society of Applied Physics, Silicon Technology Division / IEEE Electron Device Society Japan Chapter / IEICE Electronics Society
Corporate sponsor: KIOXIA / Tokyo Electron

日 時：2023年10月23日(月) − 25日(水)  

場 所：金沢商工会議所

URL： http://iwdtf.org

SCOPE:

The 2023 International Workshop on “Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology” (IWDTF2023) will be held on Oct. 23 –25, 2023 at Kanazawa Chamber of Commerce and Industry, Ishikawa, Japan. The IWDTF started in 1999, based on a domestic annual workshop on ultrathin silicon dioxide films. The IWDTF2023 is the 11th workshop, which will focus on the science and technologies of dielectric films for electron devices, such as ultrathin dielectrics, high-k dielectrics, and ferroelectrics. In addition to the papers on materials and processes of dielectrics for conventional logic devices, the papers for various electron devices including the memory, the power, the analog, the sensor, and the display devices are welcomed. The IWDTF will provide a great opportunity for information exchange and discussions at forefront of the researchers on future electron devices. The papers on both experimental and theoretical studies, for the deep understanding of the properties of dielectric films and their interfaces, are welcomed. The workshop will consist of invited and contributed talks. Selected topics of current interests will be reviewed by several invited talks.

Focus Session Topics
⚫ Functional Thin Films for AI Applications
⚫ h-BN and 2-Dimensional-Layered Dielectrics

Papers are solicited in, but not limited to, the following area:
⚫ Emerging Memory and Applications
⚫ Advanced Channel Materials
⚫ Electrical and Optical Characterization
⚫ Functional Oxides and Interface
⚫ Channel Technologies
⚫ Ferroelectric Thin Films
⚫ SiC MOS Device and Processes
⚫ Widegap Semiconductor
⚫ Interfaces, Materials and Characterizations

KEYNOTE SPEAKER:

Hideo Hosono (Tokyo Institute of Technology & National Institute for Materials Science) “Oxide Semiconductor: fundamentals and progress”
Cheol Seong Hwang (Seoul National University) “Functional memristive hardwares for unconventional computing”

INVITED SPEAKERS: 

Konrad Seidel (Fraunhofer IPMS, Germany) “Integration of Ferroelectric Devices for Advanced in-Memory Computing Concepts (tentative)”
Takeaki Yajima (Kyushu University) “Designing neuromorphic devices using protons”
Hiroki Ago (Global Innovation Center (GIC), Kyushu University) “Wafer-scale synthesis and applications of multilayer hexagonal boron nitride (tentative)”
Tomoki Machida (Institute of Industrial Science, University of Tokyo) “Carrier transport in van der Waals junctions of h-BN and two-dimensional materials”
Hisanori Aikawa (Kioxia Korea Corporation, Seoul, Korea) “First demonstration of full integration and characterization of 4F2 1S1M cells with 45 nm of pitch and 20 nm of MTJ size”
Tsunenobu Kimoto (Kyoto University) “Physics and Performance Improvement of SiC MOSFETs”
Hiroshi Funakubo (Tokyo Institute of Technology) “Stabilization and identification of ferroelectric HfO2 thin films”
Toshiki ITO (Canon Inc.) “Development of Nanoimprint Lithography Tool”
Jin-Seong Park (Hanyang University) “Atomic Layer Deposited Oxide Semiconductor as a New Channel Material for BEOL FET Application: Potential & Prospect”
Sanghun Jeon (Korea Advanced Institute of Science and Technology) TBA

IMPORTANT DATES:

Abstract deadline: August 10, 2023
Deadline for Early Registration: September 23, 2023
Workshop: October 23-25, 2023
Full paper (JJAP) deadline: November 30, 2023

SUBMISSION OF PAPERS:

Paper acceptance is based on the submitted abstracts. The work must be original and unpublished. The authors are encouraged to submit a 2-page maximum camera-ready abstract written in English in A4-size by Aug 10, 2023, to the workshop website at http://iwdtf.org
The extended abstract should clearly and concisely state the originality and specific results of the work. The detailed information about the format will be provided at the workshop website. Papers to be presented at the workshop will be selected by the program committee on the basis of the content of submitted abstracts.

SUBMISSION OF FULL-PAPERS TO THE SPECIAL ISSUE OF JJAP:

Authors of papers accepted in IWDTF2023 are encouraged to submit the original and significant part of the papers to the Special Issue of the Japanese Journal of Applied Physics (JJAP). The deadline of the paper submission is Nov. 30, 2023. Please refer to the IWDTF2023 website for the detailed information. Those who wish to submit a paper to the special issue should follow the instructions for preparation of manuscript for JJAP. Please note that the manuscript will be published after the usual review process in JJAP.

REGISTRATION:

Registration for the IWDTF2023 should be made on the workshop website.

COMMITTEE:

Organizing Committee

Chairperson: Eisuke Tokumitsu (Japan Advanced Institute of Science and Technology)
Members: Hiroshi Nohira (Tokyo City University), Tetsuro Endo (Tohoku University), Kazuyuki Hirose (Japan Aerospace Exploration Agency), Chihoko Kaneda (Tohoku University), Seiichi Miyazaki (Nagoya University), Akira Nishiyama (KIOXIA), Kenji Shiraishi (Nagoya University), Hiroyuki Kageshima (Shimane University), Yukinori Morita (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Shin’ichi Takagi (The University of Tokyo), Heiji Watanabe (Osaka University)

Steering Committee

Chairperson: Shinji Migita (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
Vice Chairperson: Akinobu Teramoto (Hiroshima University)
Secretary: Takeshi Kawae (Kanazawa University)
Treasurer: Dai Okamoto (Toyama Prefectural University)
Members: Kuniyuki Kakushima (Tokyo Institute of Technology)

Program Committee

Chairperson: Shun-ichiro Ohmi (Tokyo Institute of Technology)
Vice Chairperson: Yuichiro Mitani (Tokyo City University), Kenji Okada (Rapidus)
Chief Editor of JJAP Special Issue: Keisuke Yamamoto (Kyushu University), Akio Ohta (Fukuoka University)
Secretary: Tomoyuki Suwa (Tohoku University), Takaaki Miyasako (Murata Manufacturing)
Members: Kojii Kita (The University of Tokyo), Toru Akiyama (Mie University), Reika Ichihara (KIOXIA), Jun Okuno   (Sony Semiconductor Solutions), Tomiya Ono (Kobe University), Hiroshi Ashihara (KOKUSAI Electric), Hisashi Shima  (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Takanobu Watanabe (Waseda University), Masao Inoue (Renesas Electronics), Noriyuki Taoka (Nagoya University), Mitsuru Sometani (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Motoyuki Sato (Tokyo Electron), K. S. Chang-Liao (National Tsing Hua University), Shengkai Wang (Institute of Microelectronics of the Chinses Academy of Sciences), Changhwan Choi (Hanyang University), Yao-Jen Lee (Yangming Jiaotong University), S.M. Yoon (Kyung Hee University)

FURTHER INOFORMATION:

Please visit our workshop website: http://iwdtf.org

INQUIRY:

IWDTF 2023 Secretariat
E-mail:

第52回 薄膜・表面物理 基礎講座（2023）

協力応用物理学会分科会・研究会

応用電子物性分科会，結晶工学分科会，有機分子・バイオエレクトロニクス分科会，先進パワー半導体分科会，固体量子センサ研究会

協賛学会

日本物理学会,日本化学会,日本表面真空学会,電子情報通信学会,電気化学会,日本結晶学会,日本結晶成長学会,日本分光学会,触媒学会,表面技術協会,日本材料学会,表面分析研究会,精密工学会,日本セラミックス協会,日本放射光学会，ナノ学会、日本MRS

開催趣旨

　電極界面の理解が現在急速に進んでいます．そして，最近の研究トレンドである二次電池，燃料電池，水素貯蔵，などの研究開発において，電極界面の制御は極めて重要です．更に，電極界面に関係する物質合成，材料プロセス，及び計測評価の各技術も進展しています．このように近年進展している電極界面の科学に関して，その現状や課題を理解しておくことは，既にこの分野で活動している研究者にとっても，また新たに参入する研究者にとっても極めて有用です．そこで電極界面の最新科学について概観する機会として，本基礎講座を企画しました．

日時：

2023年11月24日（金） 9:50 – 17:30

場所：

東京理科大学森戸記念館第2フォーラム（ハイブリッド開催）

１．プログラム：

（敬称略）

２．参加費：

テキスト代, 消費税を含む

* 薄膜・表面物理分科会賛助会社の方は分科会会員扱いといたします．
** 応用物理学会賛助会社の方は応用物理学会会員扱いといたします．

現在非会員の方でも，参加登録時に薄膜・表面物理分科会（年会費正会員：2,200円,準会員：3,000円）にご入会いただければ，本基礎講座より会員扱いとさせていただきます．

https://www.jsap.or.jp/より入会登録を行い，会費支払及び仮会員番号を取得後，本基礎講座にお申込み下さい．（年会費を基礎講座参加費と同時にお振込なさらないで下さい．）

３．参加申込期間：

2023年10月1日(日) ~ 11月15日(水) 22日（水）（延長しました）

４．参加申込方法：

下記URLあるいはQRコードからイベントペイのサイトにアクセスし，参加登録してください．

https://eventpay.jp/event_info/?shop_code=1804158131583761&EventCode=6331634989

コンビニ支払い，ペイジー決済可．原則として，参加費の払い戻し，請求書の発行はできません．領収書は申し込みサイトからダウンロード可能です．

５．参加費支払期限：

2023年11月15日(水) 22日（水）（延長しました）

６．企画に関する問合せ先：

工学院大学　高見知秀

E-Mail: takami@cc.kogakuin.ac.jp

物質・材料研究機構　鈴木 拓

E-Mail: SUZUKI.Taku@nims.go.jp

7．参加登録問合せ先：

応用物理学会事務局 分科会担当 岡本 普一
TEL: 03-3828-7723
E-Mail: divisions@jsap.or.jp

第51回　薄膜・表面物理セミナー (2023)

詳細PDF：第51回薄膜表面物理セミナー

ダイヤモンドは，極めて高い熱伝導率，移動度，絶縁破壊電界を有した次々世代パワー半導体やダイヤモンド中の窒素-空孔中心を用いた超高感度量子センサ等の量子技術応用への展開が期待されています．また，高濃度ホウ素ドープダイヤモンド電極は広い電位窓や長時間の電界還元に耐えうる高い安定性を有しているため，CO2を還元し有用な化合物へ変換するカーボンリサイクル技術への応用が注目されています．一方，高価なバルクダイヤモンドに対して，安価な直径数nmのダイヤモンドの製造が爆轟法により確立し，近年はカラーセンターナノダイヤモンドの合成や表面修飾ナノダイヤモンドを用いた生物・医療応用に関する研究開発も進められています．本セミナーでは，ダイヤモンドの研究開発で世界をリードする講師の方々に最新の成果をご紹介いただきます．

日時：2023年8月7日(月) 10:00-16:30

場所：金沢商工会議所 ホール （ハイブリッド開催）

１．プログラム

２．参加費，テキスト代，消費税を含む．

* 薄膜・表面物理分科会賛助会社の方は分科会会員扱いといたします．

** 応用物理学会賛助会社の方は，応用物理学会会員扱いといたします．

現在非会員の方でも，参加登録時に薄膜・表面物理分科会(年会費：正会員：2,200円,準会員：3,000円)にご入会いただければ，本セミナーより会員扱いとさせていただきます．

https://www.jsap.or.jp/

より入会登録を行い，会費支払及び仮会員番号を取得後，本セミナーにお申込み下さい．
（年会費をセミナー参加費と同時にお振込なさらないで下さい．）

３．現地会場定員：90名

（現地参加申込者が90名になり次第締め切りますので、以降はオンライン参加にてお申込みください．）

４．参加申込期間：

2023年5月22日(月)～7月28日(金)

５．参加申込方法：

下記URLあるいはQRコードからイベントペイのサイトにアクセスし、参加登録してください。

https://eventpay.jp/event_info/?shop_code=1804158131583761&EventCode=7983001574

コンビニ支払い、ペイジー決済可.
原則として、参加費の払い戻し、請求書の発行はできません．
領収書は申し込みサイトからダウンロード可能です．

６．参加費支払期限：

2023年7月28日(金)

７．企画に関する問合せ先：

金沢大学　徳田 規夫

E-Mail: tokuda@se.kanazawa-u.ac.jp

（株）東芝　宮崎 久生

E-Mail: hisao2.miyazaki@toshiba.co.jp

８．参加登録問合せ先：

応用物理学会事務局分科会担当 岡本 晋一
TEL: 03-3828-7723
E-Mail: divisions@jsap.or.jp