「第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会
－材料・プロセス・デバイス特性の物理－」(EDIT27)のご案内

開催案内：EDIT27

主催：　応用物理学会・薄膜表面物理分科会

共催：　応用物理学会・シリコンテクノロジー分科会

協賛：　日本物理学会，日本化学会，日本金属学会，日本表面真空学会，電子情報通信学会，電気学会，触媒学会，電気化学会，表面技術協会，日本顕微鏡学会，日本セラミックス協会，精密工学会

開催助成：　公益財団法人 村田学術振興財団

日時

2022 年1 月28 日(金)～29 日(土)

場所

Webexによるオンライン開催(Live配信)

概要

IoTやセンサネットワークの基盤となる半導体電子デバイスにおいて，その開拓と変革が急速に進んでいます。従来のロジックLSIやメモリにおける新構造，新材料の導入はもとより，SiCやGaNなどのパワーデバイスの開発が進展し，各種センサ，MEMS/NEMS，電源デバイスの高性能化・集積化を進めるべく新しい展開が始まっています。多様な電子デバイスの性能向上，集積化と実用化に向けて，その鍵を握るのが界面テクノロジーです。異種材料界面の科学的な理解と制御がデバイス研究開発に不可欠となっています。本研究会は産･官･学の第一線の研究者がデバイス界面に関する様々なテーマについて基礎から応用まで理論と実験の両面から深く議論し，関連分野の発展に貢献することを目的としています。本研究会は1996年から2015年まで20回にわたり開催されてきた「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性研究会」,「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」の歴史を継承し，第21回より対象を広げ，新たな名称のもとスタートしました。各分野からの招待講演者のほかに，一般の口頭発表，ポスター発表を広く募集します。皆様のふるってのご参加をお待ちしております。

招待講演者（敬称略）

Ⅰ チュートリアル講演
・守屋剛(東京エレクトロン) 「インテリジェント制御による半導体製造装置のイノベーション」

Ⅱ 基調講演
・中野大樹(日本アイ・ビー・エム)「日本で初めての商用ゲート型量子コンピュータ」
・高木信一(東京大学)「先端ロジックCMOSのためのチャネル材料・デバイス技術」
・湯之上隆(微細加工研究所)「(仮)人類の文明に必要不可欠な半導体」

Ⅲ 海外招待講演
・Roger Loo (imec)「Epitaxial Ge Virtual Substrates and Ge-on Nothing on Si: Comparison of Material Properties」
・あと1名程度予定

Ⅳ 企画セッション
“半導体エレクトロニクス産業・工学の現在と将来展望（仮題）”
・世界的な半導体需要の高まりと各界の動向
・業界で求められている研究開発・人材像と将来展望
・製造装置・メモリ・アナログ・モビリティ 4 件の講演を予定

Ⅴ 招待講演
・長汐晃輔(東大) 「２次元層状物質の新機能デバイスへの展開」
・成田哲生(豊田中央研究所) 「AlSiO ゲート酸化膜を用いた GaN パワーMOSFET の進展と課題」
・小林正治(東大) 「酸化物材料による三次元集積メモリデバイスの新展開」
・中山隆史(千葉大) 「HfO2 強誘電相の安定化の仕組み：第一原理計算に基づく考察」
・吹留博一(東北大) 「SiC をプラットフォームとした低環境負荷Beyond 5G デバイスの創出とデバイス物理の研究」
・喜多浩之(東大) 「SiC の酸化反応と窒化反応の界面科学（仮題）」

定員

なし

参加費(消費税込)

EDIT27オンライン開催特別価格（PDFダウンロード資料代込み、冊子印刷無し）

• 薄膜・表面物理分科会 及び Siテクノロジー分科会会員 12,000円（税込）
• 応用物理学会・協賛学協会員 15,000円（税込）
• 一般 20,000円（税込）
• 学生およびシニア(2021年12月31日時点で満65歳以上) 4,000円（税込）

※薄膜及びSiテクノロジー分科会賛助会社の方は分科会会員扱い，応用物理学会賛助会社の方は応用物理学会会員扱いとします．

参加登録･決済

参加申込ページにてお申込下さい．登録完了後にクレジットカード決済ページへ進めます．

参加登録締切・決済期限

• • 早期登録締切・決済期限：2021年12月24日（金）【登壇予定者は厳守をお願いいたします】
  • 最終登録締切・決済期限：2022年1月29日（水）【会期中も登録可能です】

開催日に近い時期に登録されると，開催日にスムーズに参加できない場合があります．また，Webexの収容人数を超えた場合に参加をお断りすることがありますので，早期にご登録いただくことをお勧めします．

問合わせ先

EDIT27事務局 （E-mail: M-EDIT27-secretariat-ml@aist.go.jp）

ホームページ： http://www.edit-ws.jp/

*本研究会をご支援くださるスポンサーを募集しています（１口あたり 5万円）：予稿集(PDF 版)への広告掲載，研究会 HP や会期中の広告，参加 1 名無料などの特典あり。詳細は http://edit-ws.jp/sponsorship.html をご覧ください．

「第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会
－材料・プロセス・デバイス特性の物理－」(EDIT26)のご案内

開催案内：EDIT26

主催：　応用物理学会・薄膜表面物理分科会

共催：　シリコンテクノロジー分科会

協賛（予定）：　日本物理学会，日本化学会，日本金属学会，日本表面科学会，電子情報通信学会，電気学会，触媒学会，日本真空協会，電気化学会，表面技術協会，日本顕微鏡学会，日本セラミックス協会，精密工学会

日時

2021 年1 月22 日(金)～23 日(土)

場所

Webexによるオンライン開催(Live配信)

概要

IoTやセンサネットワークの基盤となる半導体電子デバイスにおいて，その開拓と変革が急速に進んでいます。従来のロジックLSIやメモリにおける新構造，新材料の導入はもとより，SiCやGaNなどのパワーデバイスの開発が進展し，各種センサ，MEMS/NEMS，電源デバイスの高性能化・集積化を進めるべく新しい展開が始まっています。多様な電子デバイスの性能向上，集積化と実用化に向けて，その鍵を握るのが界面テクノロジーです。異種材料界面の科学的な理解と制御がデバイス研究開発に不可欠となっています。本研究会は産･官･学の第一線の研究者がデバイス界面に関する様々なテーマについて基礎から応用まで理論と実験の両面から深く議論し，関連分野の発展に貢献することを目的としています。本研究会は1996年から2015年まで20回にわたり開催されてきた「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性研究会」,「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」の歴史を継承し，第21回より対象を広げ，新たな名称のもとスタートしました。各分野からの招待講演者のほかに，一般の口頭発表，ポスター発表を広く募集します。皆様のふるってのご参加をお待ちしております。

招待講演者（敬称略）

Ⅰ 特別基調講演（スペシャルレクチャー）
・鳥海明(元・東京大学) 「強誘電性の基礎とHfO2強誘電性の特徴(仮)」
Ⅱ 基調講演
・内山邦男(産総研) 「AIチップ設計拠点―日本のAIチップに向けた取り組みと世界の動きー」
・津田建二(国際技術ジャーナリスト) 「日本半導体の復活に世界の知恵を活かそう」
Ⅲ 招待講演
・森貴洋(産総研) 「シリコン量子計算機実現に向けたTFET型高温動作量子ビットの開発」
・中島寛(九大) 「DLTS法によるGeゲートスタック中のトラップ解析」
・若林整(東工大) 「TBA」
・高宮真(東大) 「ICとAIを用いたパワーデバイスの新たな価値創造」
・大原隆裕(ルネサス) 「強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中のAlナノクラスターおよび単層Si層がメモリ特性に与える効果」
・奥野潤(ソニーセミコンダクタソリューションズ) 「TBA」
Ⅳ 海外招待講演
・Hiroaki Arimura(imec)「Recent progress on Ge-based high mobility channel Logic technologies」
・あと１名程度予定
Ⅴ 企画セッション
“緊急開催！Web討論～日本の半導体産業のグローバル化と今後～”
・グローバル？オープンorクローズ市場
・コロナ禍が落とした影とこれから
・国内外４名程度のパネラーとのパネルディスカッションを企画

定員

200名

参加費(消費税込)

EDIT26オンライン開催特別価格（PDFダウンロード資料代込み、冊子印刷無し）

• 薄膜・表面物理分科会 及び Siテクノロジー分科会会員 12,000円（税込）
• 応用物理学会・協賛学協会員 15,000円（税込）
• 一般 20,000円（税込）
• 学生およびシニア(2020年12月31日時点で満65歳以上) 4,000円（税込）

※薄膜及びSiテクノロジー分科会賛助会社の方は分科会会員扱い，応用物理学会賛助会社の方は応用物理学会会員扱いとします。

参加登録締切・決済期限

• 早期登録締切・決済期限：2020年12月25日（金）【登壇予定者は厳守】
• 最終登録締切・決済期限：2021年1月20日（水）

研究会ウェブサイトにてお申込下さい。

問合わせ先

岡本 大(筑波大） E mail: okamoto.dai.gb@u.tsukuba.ac.jp
参加担当：応用物理学会事務局 五十嵐 周 E mail: registration@edit-ws.jp
ホームページ： http://www.edit-ws.jp/
*予稿集への広告掲載を募集します（5 万円/A4 白黒1 ページ）。詳細は上記までお問い合わせ下さい。

「電子デバイス界面テクノロジー研究会
　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（第24 回）のご案内

開催案内：EDIT24

主催：　応用物理学会・薄膜表面物理分科会

共催：　シリコンテクノロジー分科会

協賛：　日本物理学会，日本化学会，日本金属学会，日本表面真空学会，電子情報通信学会，電気学会，触媒学会，電気化学会，表面技術協会，日本顕微鏡学会，日本セラミックス協会，精密工学会

日時

2019 年1 月25 日(金)～26 日(土)[研究会]。
前日(24 日(木))夜にチュートリアルを開催。

場所

東レ総合研修センター
　〒411-0032 静岡県三島市末広町21-9
　Tel：055-980-0333 Fax :055-980-0350
　https://www.toray.co.jp/network/head/hea_004.html

招待講演者（敬称略）

Ⅰ 基調講演
　・田村 泰孝 (富士通研)
　　「集積回路の将来とデジタルアニーラ」
　・橋詰 保（北大）
　　「GaN MOSFET の絶縁ゲート技術(仮)」
Ⅱ 招待講演
　・木原 嘉英（東京エレクトロン）
　　「原子層制御技術(ALD/ALE)の微細加工への適用」
　・東 清一郎（広大）
　　「メニスカス力を利用した転写法によるプラスチック基板上単結晶シリコンCMOS 回路作製技術」
　・右田 真司（産総研）
　　「負性容量トランジスタは実現できるのか？(仮)」
　・宮﨑 誠一（名大）
　　「電子デバイス・材料開発に向けたナノスケールスタック構造・界面の光電子分光分析（仮）」
Ⅲ 企画セッション
　「センシングとLSI の融合がもたらす革新」
　　招待講演4 名を予定
Ⅳ チュートリアル講演（1 月24 日夜）
　・常行 真司（東大）
　　「データ科学と計算・実験の連携による物質・材料研究」
　＊予定分は、決定次第随時ホームページ、ウェブ広告で更新いたします。

定員

２００名
(ただし会場の宿泊定員は80 名（木曜夜）および100 名（金曜夜）（予定）。満員になり次第締切ります。)

参加費および宿泊費(消費税込、予定)

○ 参加費(含資料代)：
　薄膜及びSi ﾃｸﾉﾛｼﾞｰ分科会会員15,000 円，応用物理学会・協賛学協会員19,000 円，一般24,000 円，学生／シニア＊8,000 円 （＊2018 年末時点で満65 歳以上の方）
※但し薄膜及びSi ﾃｸﾉﾛｼﾞｰ分科会賛助会社の方は分科会会員扱い，応用物理学会賛助会社の方は応用物理学会会員扱いとします。
○ 宿泊費：
　前日（24 日）宿泊費（初日朝食付）：8,000 円，初日（25 日）宿泊費（2 日目朝食，初日および2 日目の昼食付）：9,500 円。
宿泊は個室となります。宿泊されない方が昼食（両日共）を希望される場合，事前申し込みによりお受け可能です。

講演申込み締切：2018 年10 月29 日(月) 11月10日(土)　締切を延長しました.