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研究会

第1回研究会 (1959.6)
合成雲母について
 野田 稲吉 (名大工)
 

第2回研究会 (1959.9)
昭和34年9月22日
35kc/sのADP送受信器とその応用
 和田 八三久 (東大工)
チリ硝石を用いた偏光器
 山口 太三郎 (千葉大工)
 

第3回研究会 (1959.11)
昭和34年11月17日
人工水晶(育成の方法、結晶の性質、振動子への応用)
 武田、秋津 (小林理研)、松木五郎、品田敏雄 (金石舎)
灰色錫の作り方(文献紹介)
 小川 智哉 (理研)
 

第4回研究会 (1959.12)
昭和34年12月22日
チタン酸バリウム単結晶の育成
 和久 茂 (通研)
チタン酸バリウム単結晶の応用
 伏見 和郎 (通研)
 

第5回研究会 (1960.2)
昭和35年2月12日
人造宝石
 国富 稔 (山梨大工)
人造真珠顔料
 蓮 精 (教育大光研)
 

第6回研究会 (1960.4)
Paramagnetic solid state maserと結晶
 岩崎 秀夫 (電波研)
Bubble model of a crystal at high temperature
 福島 栄之助 (都立大)
 

第7回研究会 (1960.6)
水晶内転位のエネルギー定数
 岩崎 秀夫 (電波研)
水晶(0001)面上の成長模様
 武田、秋津 (小林理研)
 

第8回研究会 (1960.9)
マイクロ波に於けるADP結晶のr63
 藤沢 義夫、越川 純男 (千葉大工)
光伝導結晶について
 田中 利雄 (東大工)
 

第9回研究会 (1960.10)
電子ビームの応用
 難波 進 (理研)
熱電現象の諸問題
 大室 雄三 (小松電子)
 

第10回研究会 (1961.1)
新しい複素誘電率の測定法
 小川 智哉 (理研)
太陽電池について
 林 一雄 (日電)
 

第11回研究会 (1961.3)
シンチレイション用アンスラセン結晶
 岩崎 文子 (金石舎)
CdS単結晶の育成
 小川 智哉 (理研)
 

第12回研究会 (1961.5)
BaTiO3単結晶に於けるESR
 岩崎 秀夫 (電波研)
結晶成長の機構
 中村 輝太郎 (お茶の水大)
 

第13回研究会 (1961.9)
ADP結晶の偏光測定への応用
 高崎 宏 (静大工)
 

第14回研究会 (1961.11)
光メーザー
 宅間 宏 (東大工)
 

第15回研究会 (1962.2)
水晶のthemoluminescence
 山本 格治 (都立RI研)
 

第16回研究会 (1962.5)
CdS単結晶による超音波の減衰と増幅
 小川 智哉 (理研)
 

第17回研究会 (1962.6)
β線を照射したGASHのESR
 岩崎 秀夫 (電波研)
ベルヌイ法による人工結晶(ルビーを中心にして)
 白木 健一 (日電中研)
 

第18回研究会 (1962.7)
NaIシンチレーター
 大浦 政弘 (堀場製作所)
半導体カウンター
 小林 久信 (理研)
 

第19回研究会 (1962.9)
赤外線用photoconductive cellについて
 上藤 恵栄、小川 力 (教育大光研)
高庄溶触法によるZnS単結晶育成とその光学的性質
 甲府田 隆夫 (東大物性研)
 

第20回研究会 (1962.10)
ハロゲン化銀単結晶の育成と結晶内電子の散乱機構
 真隅 泰三 (理研)
GaAsのエピタクシャルグロース
 武藤 準一郎、青木 昌治 (東大工)
 

第21回研究会 (1962.11)
極紫外線の検知
 瀬谷 正男 (教育大光研)
ルビーレーザーとその2、3の応用
 難波 進、金 弼鉱 (理研)
 

第22回研究会 (1962.12)
結晶の電気光学効果とnonlinear optical effect
 小川 智哉 (理研)
半導体のjunction laser
 神山 雅英、井上 久遠 (東大工)
 

第23回研究会 (1963.2)
固体レーザー材料
 塩谷 繁雄 (東大物性研)
レーザのその後の情勢
 宅間 宏 (東大工)
 

第24回研究会
CdSのHall効果
 板倉 正幸 (通研)
CdSのサイクロトロン共鳴
 沢本 健一 (通研)
 

第25回研究会
電子工学に関係のある結晶とその育成
 犬塚 英夫 (東芝中研)
高圧実験法
 秋本 俊一 (東大物性研)
 

第26回研究会
GaAs単結晶の育成
 丸山 光弘 (日電礎研)
BeOセラミックス
 西垣 進 (日本碍子研)
 

第27回研究会
フェライト単結晶の育成
 宮田 直憲 (横浜国大)
2、3の方法によるYIGの育成
 高須 新一郎 (東芝中研)
 

第28回研究会
アントラセンの結晶育成と電気伝導
 中田 一郎 (東大物性研)
アセチレン重合体の結晶性と伝導性
 簸野 昌弘 (東工大)
 

第29回研究会
ZnS結晶内の光学中心の構造
 国府田 隆夫 (東大物性研)
パイパー法によるCdS単結晶の育成とその性質
 雨宮 正博、志賀 一雅 (松下東研)
 

第30回研究会
CbS単結晶の成長機構
 千川 純一 (NHK技研)
CbSにおける積層不整
 佐藤 亮一郎 (三菱金属鉱業中研)
 

第31回研究会
水晶の性質
 武田、秋津 (通研)
CdSのAcoustoelectric effect
 小川 智哉 (学習院大)
 

第32回研究会
NaNO2、SbSIなどの強誘電性と圧電性
 浜野 勝美 (小林理研)
マイクロ波、ミリ波、光波の検波器としての強誘電結晶
 岩崎 秀夫 (電波研)
 

第33回研究会
SbSI単結晶の育成とその物性
 古畑 芳男、佐々木 行彦 (日立中研)
強誘電体のwhiskerの育成と物性
 小野 雅敏、上田 隆三 (早大理工)
 

第34回研究会
InSbの発振現象
 戸田 実 (RCA東研)
GaAsの発振現象
 生駒 英明 (東芝中研)
 

第35回研究会
蒸着による単結晶薄膜の製作
 難波 進、河津 璋 (理研)
表面構造の研究法
 砂川 一郎 (地質調査所)
 

第36回研究会
物質内電磁波のdynamics
 豊沢 豊 (東大物性研)
無極性物質における三周波光混合
 高辻 正基 (日立中研)
 

第37回研究会
結晶の施光測定法と強誘電体への応用
 二馬 秀夫 (大理大)
金属whiskerの量産と応用
 岸 清 (東理大)
 

第38回研究会
光変調
 内田 禎二 (日電中研)
 

第39回研究会
引上げ法によるルビー単結晶の育成
 丸山 光弘 (日電中研)
LiNbO2単結晶の育成
 新関 暢一 (通研)
 

第40回研究会
最近の強誘電体および反強誘電体
 古畑 芳男 (日立中研)
針状水晶の成長に関する2、3の考察
 山下 秀治 (都立RI研)
 

第41回研究会
光変調における結晶の応用
 斉藤 成文、藤井 陽一、小野 健 (東大生研)
電気光学結晶を用いた新しい通信方式
 長谷川 幸雄 (日立中研)
 

第43回研究会 (1968.6)
昭和43年6月14日
ニッケル亜鉛フェライト単結晶の育成
 明石 雅夫、松海 紘一、岡田 隆、水谷 卓之(日電中研)
フラックス法によるYGaG:Nd単結晶の育成
 鈴石 正継、伊藤 博夫、川村 和民 (沖電気研)
 

第44回研究会 (1968.9)
昭和43年9月20日
人工水晶振動子と格予欠陥
 品田 敏雄、松木 五郎、生沼 進、木村 棟一、岩崎 文子 (金石舎研)
Etchingによる格子欠陥と人工水晶振動子との関係
 浅原 準平、滝 貞男、久玉 輝美 (東洋通信機)
人工水晶中の欠陥のX線トポグラフによる研究
 高木 ミエ子、赤堀 侃司 (東工大)、岩崎 文子 (金石舎研)
 

第45回研究会 (1969.4)
昭和44年4月25日
CuCl単結晶育成とその2、3の性質
 猪口 敏夫、中沢 勝郎、木場 誠義、岡本 高明(早川電気中研)
Electro-optic効果を用いた光変調
 末田 正、後藤 幸一 (阪大基礎工)
液晶のエレクトロニクスへの応用
 鳥山 和久、野村 貞夫 (日立中研)
 

第47回研究会 (1969.11)
昭和44年11月28日
TeO2単結晶の育成と超音波光回折素子としての応用
 岩崎 裕、宮澤 信太郎、内田 直也 (通研)
モリブデン酸ガドリニウム単結晶の育成と2、3の性質
 湯元 浩 (日立中研)
 

第48回研究会 (1970.2)
昭和45年2月6日
引上げ法による単結晶成長 —回転数の影響
 白木 健一 (日電中研)
半導体ICの結晶について
 丸山 光弘 (日電半導体事業部)
 

第49回研究会 (1970.6)
昭和45年6月5日
シリコン・ビジコンについて
 山戸 利美 (NHK技研)
点欠陥とその集合体のX線回折による検出
 千川 純一 (NHK技研)
NHK技研内見学
 

第50回研究会 (1970.9)
昭和45年9月25日
GaAs気相成長の技術的ポイント
 飯田 進也 (日立中研)
強誘電体の温度トランスデューサーへの応用
 高見 勝巳 (日立中研)
 

第51回研究会 (1971.2)
昭和46年2月3日
GaNの結晶成長
 青木 昌治、松本 俊 (東大工)
シリコン単結晶中の転位観察
 小竹 雄 (電総研)
ZnSeの結晶成長とその性質
 宮本 重弘 (NHK基礎研)、塩谷 繁雄 (東大物性研)
 

第60回研究会 (1972.12)
引上法の理論と実際
昭和48年3月26日
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
引上法の理論について
 小林 信之 (富山大工)
引上法の実際(シリコンを中心に)
 阿部 孝夫 (信越半導体)
引上法の実際(化合物を中心に)
 芦田 佐吉 (日立中研)
ミニ引上装置
 新関 暢一 (日本電信電話公社武蔵野通研)
手づくりの引上装置
 高須 新一郎、菅原 武雄、牛沢 次三郎 (東芝総合研究所)
 

第61回研究会 (1973.3)
応用磁性結晶
昭和48年3月26日
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
Mn-Znフェライト単結晶の電磁歪効果
 永島 敬一郎、小川 智哉 (学習院大理)
フェリ磁性結晶の気相エピタキシャル成長
 皆川 重量、桜井 洋 (日立中研)
F-Z法によるオルソフェライト単結晶の育成
 岡田 隆 (日電中研)
バブル・メモリーの物理
 近角 聡信 (東大物性研)
 

第62回研究会 (1973.8)
固体の分析技術
昭和48年8月6日
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
イオンマイクロアナライザ
 田村 一二三 (日立中研那珂分室)
半導体中の不純物分析
 飯田 進也 (日立中研)
光学ガラス中の不純物について
 川島 敏 (茨城通研)
14MeV中性子を利用した酸素の分析
 藤井 勲 (東芝総研エネルギー研)
 

第63回研究会 (1973.11)
高圧合成
昭和48年11月15日
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
高分解圧化合物半導体の組成制御
—特にGaPのLEC法について—

 赤井 慎一、青柳 勝乃祐、平田 靖(住友電気)
ガス圧力下での無機合成
—とくに高酸素圧力下での異常原子価酸化物の合成

 小泉 光恵 (阪大産研)
衝撃波超高圧下の合成実験
 庄野 安彦 (東北大金研)
非晶質半導体における圧力誘起の相転移
 箕村 茂 (東大物性研)
 

第64回研究会 (1974.7)
化合物結晶のストイキオメトリ
昭和49年7月29日
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誘電体結晶SBNのcongruent組成
 古畑 芳男、柏田 泰利、長妻 一之、恵 弘一(日立中研)
二元化合物の化学量論組成よりの偏差とその制御
(IV-VIおよびII-VI化合物について)

 井垣 謙三 (東北大工)
Hg1-xCdxTeの格子欠陥と電気的特性
 瀧川 宏、植田 隆一 (東北大工)
 

第65回研究会 (1975.3)
分子線結晶成長
昭和50年3月13日
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化合物半導体の分子線エピタキシー
 権田 俊一 (電総研)
分子線結晶成長と電子素子への応用
 高橋 清 (東工大)
 

第66回研究会 (1975.7)
CVDとLPE技術の比較 —case study—
昭和50年7月10日
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エピタキシャル成長に伴う格子欠陥
 岸野 正剛 (日立中研八部)
GaP・LEDにおける液相成長と気相成長
 内藤 誠 (東芝総研電部研)
GaAsのエピタキシャル成長(LPEとVPE)
 原 徹 (松下技研)
磁気バブル用ガーネットのエピタキシャル成長
 石田 文彦 (日立中研二部)
 

第67回研究会 (1975.12)
エッチング
昭和50年12月19日
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蝕像と結晶の対称性
 芦田 佐吉 (日立中研)
金属と酸化物の化学エッチング
 楢岡 清威 (日立武蔵工場)
半導体デバイス製造におけるプラズマ加工
 西岡 久作 (三菱電機北伊丹)、阿部 東彦、小宮 啓義 (三菱電機中研)
III-V化合物結晶の高精度エッチング技術とその応用
 梅鉢 昭太郎 (松下電子中研)
 

第68回研究会 (1976.4)
青色発光素子用半導体
昭和51年4月16日
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青色領域にみられるルミネッセンス
 青木 昌治、佐野 雅敏、蟹江 寿、荻野 俊郎(東大工)
青色発光ダイオード材料としてのZnS
 柊元 宏 (東工大工)
ZnSe青色発光素子
 山口 真史、山本 暠勇 (電々茨城)
発光素子用窒化ガリウム
 新谷昭、皆川重量 (日立中研)
SiCのエピタキシャル成長と青色発光素子
 松波 弘之 (京大工)
総合討論
 

第69回研究会 (1976.9)
GaAsサブミクロンエピタキシャル結晶の問題点 ~GaAsプレーナ素子用結晶~
昭和51年9月27日
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
GaAsプレーナデバイスにおけるエピ−基板境界層の問題について
 生駒 俊明、伊東 朋弘、原 和裕 (東大生研)、滝川 正彦、栗原 由起子、柳井 久義 (東大工)
GaAsサブミクロン層の電気的評価法
 新井 道夫 (ソニー中研)
GaAs FET用サブミクロン結晶のバッファ層
 青木 征男、平尾 元尚、古寺 博 (日立中研)
GaAs VPEにおける界面特性
 柴富 昭洋、中井 建弥、大川 潭二、横山 直樹、三村 尚志、石川 元 (富士通研)
GaAs MESFET用サブミクロン結晶成長
 野崎 忠敏、渡辺 久恒 (日電中研)
 

第70回研究会 (1977.3)
最近の光学顕微鏡 —結晶・素子評価のための光学顕微鏡の現状と問題点—
昭和52年3月25日
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
偏光顕微鏡について
 正田 篤五郎 (専修大)
偏光反射顕微鏡(鉱石顕微鏡・Ore Microscope)
 渡辺 武男 (東大名誉教授)
位相差顕微鏡と微分干渉顕微鏡
 小松 啓 (東北大)
顕微分光測光法による結晶の分光学的特性の測定法
 黒田 晴雄 (東大)
超高温光学顕微鏡の結晶材料への応用
 田岡 忠美 (職業訓練大)、中島 文夫 (ユニオン光学)
微分干渉コントラスト法とその応用について
 菊池 恭孝 (ユニオン光学)
反射型位相差顕微鏡(VANOX-MPC)について
 相原 守 (オリンパス光学)
レーザー走査顕微鏡
 平 昭夫 (オリンパス光学)
位相差顕微鏡の構造と使い方
 秋山 裕爾 (日本光学)
偏光顕微鏡の構成
 黒羽 昇 (日本光学)
高温顕徴硬度計QM型の構造・原理と応用
 傍島 勝、伊東 博、木下 拓治 (日本光学)
総合討論
 

第71回研究会 (1977.8)
結晶成長の歴史と将来
昭和52年8月27日
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
結晶成長、理論の現況
 大川 章哉 (学習院大)
融液からの結晶成長
 武居 文彦 (東北大)
溶液からの結晶成長
 小川 智哉 (学習院大)
水熱法による結晶育成
 滝 貞男 (山梨大)
Epitaxial成長
 野村 正敬 (超LSI共同研)
 

第72回研究会 (1978.3)
メモリーデバイスと材料
昭和53年3月10日
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
半導体メモリと材料
 西 義雄 (東芝総研)
磁気バブル
 浅間 邦彦 (富士通研)
垂直形磁気記録
 岩崎 俊一 (東北大通研)
 

第73回研究会 (1978.9)
引上法単結晶の不均一性
昭和53年9月22日
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GaP結晶のストリエーシヨンとダークコア
 渡辺 正晴 (東芝半導体)、渡辺 正幸、小竹 秀典、平原 奎治郎 (東芝総研)
ストリエーシヨンの欠陥構造
 千川 純一 (NHK基礎研)
引上法単結晶の不均一性と素子特性
 高須 新一郎 (超LSI共同研)
引上法における回転数による界面形状の変化
 白木 健一 (日電中研)
 

第74回研究会 (1979.5)
極端技術と結晶工学
昭和54年5月25日
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
無機材質研究所見学
高融点炭化物・窒化物・硼化物単結晶の作成
 熊代 幸伸、作間 栄一郎、伊藤 昭夫 (電総研)
超高圧力下の結晶工学
 福長 脩 (無機材研)
SORの現状と将来への展望
 高良 和武 (高エネルギー研)
 

第75回研究会 (1979.8)
プラズマによる加工技術
昭和54年8月24日
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リアクティブイオンビームエッチング
 岡野 晴雄、堀池 靖浩、柴垣 正弘 (東芝総研)
プラズマエッチング
 榎本 龍弥 (三菱電機LSI開発センター)
アルミニウム膜のドライエッチング
 井入 正博、木下 博 (日電東芝情報システム)
プラズマエッチングの半導体プロセスへの応用
 井上 森雄、大熊 徹、三井 健二、戸所 義博(松下電子半導体R&Dセンター)
イオンエッチングの応用
 後閑 博史、絵所 壮太郎 (日電中研)
反応性スパッタエッチング表面の評価
 尾嶋 正治、薮本 周邦 (日本電信電話公社武蔵野通研)
ドライエッチングの機構
 津田 穣 (千葉大薬)
 

第76回研究会 (1980.2)
表面波材料とデバイス
昭和55年2月15日
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表面波デバイス用新材料:試論
 御子柴 宣夫 (東北大通研)
LiTaO3単結晶の開発
 福田 承生 (東芝総研)
LiTaO3の表面波フィルタへの応用
 高橘 貞夫、児玉 利一 (東芝総研)
表面波素子用温度補償材料の探索
 竹内 裕之 (日立中研)
ZnO/Al2O3構造の作成と表面弾性波デパイスへの応用
 三露 常男 (松下材料研)
高周波用弾性表面波材料及び問題点
 吉川 昭吉郎、宝川 幸司 (武蔵野通研)
 

第77回研究会 (1980.5)
半導体のゲッタリング技術
昭和55年5月20,21日
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Introductory Talk
 渡辺 正睛 (東芝総研)
メカニカルゲッタリング
 渡辺 純二、澤田 廉士、唐木 俊郎 (電々公社武蔵野通研)
イントリンシックゲッタリング
 津屋 英樹 (日電中研)
塩素添加熱処理によるシリコン中の積層欠陥のゲッタリング
 服部 毅、鈴木 俊治 (ソニー中研)
レーザ照射によるシリコンの熱酸化積層欠陥制御
 川戸 清爾、簗田 鉄之助 (ソニー中研)
裏面ゲッターとMOS素子特性
 活田 健治 (電々公社武蔵野通研)
金属級シリコンから作製した拡散型太陽電池の不純物ゲッタリング
 斎藤 忠 (日立中研)
GaAs気相成長における不純物ゲッタリング作用とその応用
 米野 純次、柴富 昭洋、大川 潭二 (富士通研)
イオン注入によるGaAs中のCrのゲッタリング
 八木田 秀樹、小沼 毅、井上 薫 (松下半導体研)
CZシリコン欠陥分類と繰り返し熱処理におけるゲッタリング効果
 有村 誠一、清水 保弘、山根 唯弘、村上 克己(大阪チタニウム)
2段階アニールSiウエーハのライフタイム評価
 山本 和彦、岸野 正剛、飯塚 隆 (エル・エス・アイ技研)
 

第78回研究会 (1981.2)
結晶工学におけるマイクロコンピュータ
昭和56年2月27日
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Introductory Talk —物理測定とマイコン—
 宮島 英紀 (東大物性研)
X線測定とマイコン
 深町 共栄、中野 裕司 (埼玉工大)
分光測定とマイコン
 佐藤 勝昭 (NHK基礎研)
Deep-Level不純物分析(DLTS, ICTS)とマイコン
 大串 秀世、徳丸 洋三 (電総研)
CZ法による単結晶育成への応用
 宮沢 靖人 (無機材研)
顕微鏡とマイコン
 内藤 正幸 (オリンパス光学)
 

第79回研究会 (1981.6)
結晶成長とストイキオメトリー
昭和56年6月26日
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ストイキオメトリーとデバイス特性
—LiNbO3, LiTaO3結晶を中心として—

 平野 均 (東芝電技研)
As圧制御によるGaAsバルク結晶の高品質化
—ストイキオメトリコントロールの立場から—

 名西 憓之 (武蔵野通研)、J. M. Parsey、J. Lagowski、H. C. Gatos (MIT)
GaAsのストイキオメトリー
 西澤 潤一 (東北大通研)
地学現象からみた鉱物のストイキオメトリー
 長沢 宏 (学習院大理)
 

第80回研究会 (1982.2)
磁性材料の最近の展開 —材料からシステムまで—
昭和57年2月26日
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磁気バブル材料の最近の動向
 太田 憲椎、杉田 愃 (日立中研)
システムから見たビデオヘッドの動向
 西山 東郷 (日本ビクター)
磁気テープの最近の展望
 小林 深
アモルファス磁性合金の現状と将来
 増本 健、藤森 啓安 (東北大金研)
垂直磁気記録
 岩崎 俊一 (東北大通研)
磁性微粒子の最近の話題
 坂東 尚周 (京大化研)
 

第81回研究会 (1982.5)
分析技術のノウハウ
昭和57年5月14日
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ストイキオメトリの分析
 一国 雅己 (東工大総合理工)
湿式トレース分析 —前処理を中心に—
 多田 格三
原子吸光及び原子けい光法による極微量分析
 辻井 完次 (日立中研)
FPMAによる分析
 紀本 静雄 (エリオニクス)
蛍光X線分析
 合志 陽一 (東大工)
無反射試料坂による微量分析
 高須 新一郎 (東芝総研)
化学分析と顕微鏡
 飯山 敏道、島崎 英彦 (東大理)
 

第82回研究会 (1983.2)
赤外線の結晶工学への応用
昭和58年2月4日
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最近の赤外分光器
 新井 敏弘、小川 力 (筑波大物工)
フーリエ変換形赤外分光光度計の装置とソフトウェアー
 松本 普 (日本ディジラボ)
赤外レーザ分光法によるシリコン結晶評価法
 大沢 昭、本田 耕一郎 (富士通研)
CO2レーザエリプソメトリーによる半導体中のキャリヤ濃度深さ分布の測定
 本岡 輝昭、蕨迫 光紀、徳山 巍 (日立中研)、渡辺 俊典 (日立システム研)
シリコン中の酸素、炭素及び窒素濃度の測定
 宇佐美 俊郎 (東芝総研)
赤外線トモグラフィーによる半導体結晶欠陥の観察
 守矢 一男、小田 智哉 (学習院大理)
半導体研究への速赤外の応用
—不純物、格子欠陥の問題について—

 服部 武志 (阪大工)
赤外吸収によるSiのライフタイム測定
 蕨迫 光紀、徳山 巍 (日立中研)
赤外線レーザアニール
 柏崎 尚昭 (日電基礎研)
 

第83回研究会 (1983.5)
超格子構造とその応用
昭和58年5月13日
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
超格子構造とその応用 —introductory—
 生駒 俊明 (東大生産技研)
半導体超薄膜の電子物性と超高速デバイスへの応用
 榊 裕之 (東大生研)
MBEによる選択ドープGaAs/N-AlGaAsヘテロ構造の電気的特性とデバイスへの応用
 石川 知則、冷水 佐寿 (富士通研)
半導体超格子構造の光物性とデバイスへの応用
 岡本 鉱、堀越 佳治、岩村 英俊(日本電電公社武蔵野通研)
PbSnTe超格子の製作とその特性
 藤安 洋 (静岡大工)
超格子バッファ層
 秋山 正博、河原田 美裕 (沖電気基盤研)
金属間化合物の超構造および格子欠陥の観察
 小村 幸友 (広島大理)
磁性超格子
 新庄 輝也 (京大化研)
超格子構造と超伝導
 北沢 宏一、田中 昭二 (東大工)
アモルファス超格子構造における長距離相互作用
 荻野 俊郎 (日本電電公社厚木連研)、水島 宣彦 (浜松ホトニクス)
アモルファス超多層薄膜の物性とデバイスへの応用
 丸山 瑛一 (日立中研)
 

第84回研究会 (1984.2)
引上げ法における対流の問題
昭和59年2月24日
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融液中の流れ —序論—
 小林 信之 (富山大)
大口径結晶の対流のシミュレーション
 高須 新一郎 (京セラ)
酸化物融液中の流れの反転現象
 宮沢 靖人 (無機材研)
Si融液の温度変動と結晶の完全性
 黒田 慧慶、小塚 弘次、高野 幸男 (日立中研)
垂直磁界中でのSiおよびGaA結晶の育成
 千川 圭吾、平田 洋、香田 拡樹、大坂 次郎(厚木通研)
GaAsの磁場中引上げ
 福田 承生、寺嶋 一高 (光共研)
磁場中引上げシリコン結晶中の転位と酸素の相互作用
 角野 浩二 (東北大金研)
 

第85回研究会 (1984.7)(第1回シンポジウム)
GaAs系のエピタキシャル成長とその結晶工学的評価
昭和59年7月20日
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付加化合物を用いた砒化ガリウム燐化インジウムのOMVPE
 皆川 重量、中村 均、佐野 日隅 (日立中研)
MBE成長GaAs:SiにおけるSi原子の格子位置の検討
 内田 陽子、成沢 忠、小林 啓介、 太田 恒明、中島 真人、中島 尚男 (光共研)
GaAs系半導体のハロゲン輸送気相成長法と成長メカニズム
 水谷 隆 (日電基礎研)
X線準禁制反射法によるGaASのノンストイキオメトリーの評価
 藤本 勲 (NHK基礎研)
In1-xGaxP1-yAsy y=0.04の2相メルト法によるGaAs基板上へのLPE成長とフォトルミネッセンスによる評価
 刈谷 哲也 (高知大理)、白方 祥、近藤 正彦、都志 彰人、西野 種夫、浜川 圭弘 (阪大基礎工)
MBE成長 Si-doped GaAs, AlGaAs中のDeep Level
 渡辺 美代子、森塚 宏平、真下 正夫、芦沢 康夫、造田 安民 (東芝総研)
パネルディスカッション
—結晶の品質からみたエピタルキシャル成長法の比較—
 

第86回研究会 (1985.2)
SOI (Semiconductor on Insulator) —基礎と将来—
昭和60年2月22日
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SOI (Semiconductor on Insulator)技術
 鶴島 稔夫 (電給研)
エピタキシャル絶縁膜によるSOI構造
 石原 宏 (東工大)
電子ビームアニールによるSOI構造
 浜崎 利彦、須黒 恭一、丹呉 浩侑 (東芝超LSI研)
レーザ再結晶化における配向性制御
 江上 浩二、木村 正和 (日電基礎研)
KClのグラフォエピタキシャル成長
 小林 俊雄 (日立中研)
SIMOXおよびFIPOS技術
 泉 勝俊、今井 和雄 (厚木通研)
 

第87回研究会 (1986.2)
光励起プロセス技術
昭和61年2月21日
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光励起プロセス技術
 英 貢 (豊橋技科大)
光CVDによる太陽電池用アモルファスSi膜の形成
 小長井 誠 (東工大)
光励起Siエピタキシー
 山崎 辰也、杉野 林志、伊藤 隆司 (富士通研)
ジシランとアンモニアを用いた光CVDシリコン窒化膜の形成とその膜質評価
 奥平 秀和、新谷 昭 (日立中研)
VUV照射による光CVD-SiO2膜の形成
 高橋 淳一、前田 正彦、牧野 孝裕 (厚木通研)
レーザCVDによる金属膜形成
 岸田 俊二 (日電光エレ研)
光励起エッチング
 早坂 伸夫、関根 誠、岡野 晴雄、堀池 靖浩(東芝超LSI研)
 

第88回研究会 (1987.1)
バルク結晶の育成と評価
昭和62年1月13日
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Advanced LEC法によるGaAs、InP単結晶の作製
 福田 承生 (光共研)
(Ga,As)添加低転位半絶縁性InP結晶
 清水 敦、松本 和久 (住友電工)
VM-FEC法GaAs結晶の育成と評価
 小林 隆、香田 拡樹、干川 圭吾 (NTT厚木通研)
3T-HB法による中性不純物添加低転位GaAs結晶
 藤田 慶一郎、下田 隆司、井上 哲也、松友 俊雄(住友電工)
インゴットアニール効果からみたGaAs半絶縁性機構の一考察
 乙木 洋平、中園 隆一、新沢 正治、隈 彰二(日立電線)
三元混晶(GaAsP,InAsP)のバルク成長
 日比谷 孟俊、渡辺 久夫 (日本電気)
Si結晶成長中の微小欠陥の形成
 千川 純一 (高エネ研)
磁界中での高速引上げSi結晶
 星 金治、鈴木 利彦、伊沢 伸幸、二神 元信、加藤 弥三郎 (ソニー)
機械的徴振動を導入したInSb引上げ単結晶
 熊川 征司、早川 泰弘 (静岡大)
波長可変固体レーザー用酸化物結晶
(Cr:GSGG、Cr:LLGG)

 宮沢 靖人 (無機材研)
 

第89回研究会 (1988.2)
ファイバーオプティクス時代の酸化物結晶
昭和63年2月26日
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オプトエレクトロニクスのシステムが光学結晶に期待するもの
 岩崎 裕 (NTTエレクトロニクス研)
固体レーザー用酸化物結晶
 横山 武 (住鉱山電子材研)
音響光学結晶
 木村 光宏 (東北金属)
電気光学結晶
 佐藤 正純 (日立金属磁材研)
磁気光学結晶
 日比谷 孟俊 (日電基礎研)
偏光結晶
 細川 忠利 (秩父セメント)
特別講演:中国における酸化物単結晶の研究と開発の概況
 譚 奇光 (福建物質結構研)、小川 智哉 (学習院大理)
非線形光結晶
 大西 紀男 (電総研)
高温超伝導結晶
 武居 文彦 (東大物性研)
パネル討論:酸化物結晶の研究開発をどう進めるか
 木村 茂行、宮沢 靖人 (無機材研)、中島 啓幾 (富士通研)、福田 承生 (東北大金研)、安井 直彦 (NTT交換システム研)、山岸 喜代志 (三井金属電子材研)、星野 甲子夫 (信越化学)
 

第90回研究会 (1988.5)
原子層制御エピタキシャル成長と評価
昭和63年5月17日
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Introductory
 藤田 茂夫 (京大工)
マイグレーション・エンハンスト・エピタキシーにおけるGaAsの成長機構
 堀越 佳治 (NTT基礎研)
有機金属ガスを用いたGaAs,AlAsのALE成長
 尾関 雅志、望月 孔二、大塚 信幸、児玉 邦彦(富士通研)
II-VI族化合物のALE
 八百 隆文 (電総研)
分子層エピタキシャル成長と評価
 西澤 潤一 (東北大)
MBEによる超格子の作製と評価
 佐野 直克 (関学大理)
ルミネセンスによるGaAs/AlGaAs界面の単分子層ステップの観察
 中島 尚男 (阪大産研)
クロライドALE
 中島 尚男 (日電基礎研)
ハロゲン系ALEの成長機構
 関 寿、纐纈 明伯、中井 英雄、三枝 明彦(農工大工)
 

第91回研究会 (1989.1)
結晶成長のリアルタイム観察
平成元年1月27日
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INTRODUCTORY TALK
 高須 新一郎 (東芝セラミックス)
溶液から成長するGaAs結晶のその場観察
 河野 靖、塚本 勝男 (東北大)
さまざまな結晶成長のその場観察による研究
 塚本 勝男 (東北大)
ダイヤモンドアンビルセルを用いた高圧下結晶成長のその場観察
 沢田 勉、竹村 謙一 (無機材研)
気相及び溶液相から成長する氷の樹枝状結晶のその場観察
 権田 武彦、中原 重樹 (東京理大)
Si-MBE成長過程のマイクロプローブRHEED法による観察
 市川 昌和 (日立中研)
高分解能・超高真空電子顕微鏡による結晶成長"その場"観察
 高柳 邦夫 (東京工大)
化合物半導体の融解−固化過程のX線実時間トポグラフィー観察
 佐藤 史郎 (NHK技研)
X線回折法による半導体界面超構造
 秋本 晃ー (NEC基礎研)
 

第92回研究会 (1989.5)
ヘテロエピタキシー —低欠陥化へのアプローチ—
平成元年5月26日
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Si基板上のGaAsエピタキシーにおける成長初期週程と欠陥
 川辺 光央 (筑波大)
Si基板上へのシングルドメインGaAs,GaPの成長
 梅野 正義、神保 孝志、曽我 哲夫 (名大工),野崎 真次 (インテル研究所), 能登 宣彦 (信越半導体)
GaAs/SiのMEE成長
 野沢 和彦、堀越 佳治、W. Stolz (NTT基礎研)
ポーラスSi基板上へのGaAsのMBE成長
 伊藤 利道、平木 昭夫 (阪大工),長谷川 繁彦、前橋 兼三、佐藤 正道、中島 尚男(阪大産研)
V溝Si基板上GaAs層の選択成長と評価
 橋本 明弘、福永 敏明、渡辺 望 (光技研)
Si(001)基板上へのGeのへテロエピタキシ
 三木 一司、坂本 統徳、坂本 邦博、奥村 元、吉田 貞史 (電総研)
弗化物/Si構造上へのGaAs膜のへテロエピタキシー
 石原 宏 (東工大精研)、筒井 一生、古川 静二郎 (東工大総理工)
Si上へのSiCのヘテロエピタキシー
 松波 弘之 (京大工)
 

第93回研究会 (1990.1)
非線型光学結晶の展開
平成2年1月31日
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SHGの物理とデバイス結晶
 岡田 正勝 (NHK技研)
有機非線型結晶とデバイス応用
 都丸 暁 (NTT光エレ研)
有機非線型結晶の育成
 松岡 正邦 (東京農工大工)
LiNbO3のSHGデバイス
 谷内 哲夫 (松下電器半研)
非線型光学結晶の展望
—Mg:LNの育成とSHG特性—

 佐藤 正純、古川 保典 (日立金属磁材研)
MgO:LiNbO3の状態図と非線型特性評価
 態谷 博彦、田辺 譲 (旭硝子中研)
β-BaB2O4のCZ育成とCHG評価
 古宇田 光、桑野 泰彦 (日電中研)
 

第94回研究会 (1990.5)
結晶工学における励起プロセス
平成2年5月25日
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化合物半導体のプラズマ励起エピタキシ
 針生 尚 (東北大工)
GaAsMBE成長におけるECRプラズマ励起効果
 名西 憓之、近藤 直人、柴田 知尋、山本 知生、藤本 正友 (NTT光エレ研)
電子線励起による結晶成長の可能性
 石橋 晃 (ソニー中研)
GaAS光励起MOCVDの表面反応
 真下 正夫 (東芝総研)
ZnSe光励起MOCVD成長
 藤田 静雄、藤田 茂夫 (京大工)
光励起ALEによるGaAs系の成長
 青柳 克信 (理研)
 

第95回研究会 (1991.1)
空間光情報処理とフォトリフラクティブ結晶
平成3年1月25日
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フォトリフラクティブ結晶
 黒田 和男 (東大生研)
BaTiO3の結晶成長
 鵜木 博海 (電総研)
光コンピューティングとフォトリフラクティブ結晶
 北山 研一 (NTT伝送システム研)
BSOの育成と特性
 龍見 雅美、並川 靖生、多田 紘二 (住友電工基盤技研)
BSOを用いた光情報処理
 峯木 工 (神戸大工)
化合物半導体のフォトリフラクティプ効果
 富田 康生 (キャノン中研)
 

第96回研究会 (1991.6)
酸化物超伝導体のエピタキシーの現状
平成3年6月7日
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ヘテロ界面接合の視覚化と分子シミュレーンョン
 宮本 明、乾 智行 (京大工)
RHEED振動を用いた酸化物超伝導薄膜の成長
 寺嶋 孝仁、坂東 尚周 (京大化研)
In-SituモニタリングによるGaAs系薄膜のエピタキシー
 小林直樹、堀越 佳治 (NTT基礎研)
酸化物超伝導薄膜用基板結晶とエピタキシー
 宮澤 信太郎、笹岡 正弘、向田 昌志 (NTT LSI研)
LEED/RHEED法による酸化物高温超伝導Bi系バルク単結晶の評価
 岸田 悟、徳高 平蔵、西守 克己 (鳥取大工)
酸化物超電導薄膜における“エピタキシャル”成長
 森下 忠隆 (超電導工学研)
 

第97回研究会 (1992.1)
大口径シリコン基板の結晶工学
平成4年1月29日
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デバイスからみたシリコンの将来
 名取 研二 (東芝ULSl研)
シリコンの結品欠陥
 角野 浩二 (東北大金材研)
シリコンの大口径結品製造と課題
 篠山 誠二、江阪 久雄、田中 正博 (新日鉄エレ研)
シリコン中の不純物の挙動 —理論と実験—
 早藤 貴範 (ソニー中央研)
陽電子消滅によるシリコン結晶中の空孔型欠陥および酸素の挙動の評価
 谷川 庄一郎 (筑波大物質工学系)
シリコン結晶の現状とGビット時代への課題
 津屋 英樹 (日本電気)
 

第98回研究会 (1992.5)
青・緑色レーザ材料の結晶工学
平成4年5月15日
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青・緑色レーザ材料の結晶工学
 藤田 茂夫 (京大工)
MBE成長ZnSe系半導体の伝導型制御
 大川 和宏、三露 常男 (松下電器中研)
Wide Gap化合物半導体CdZnSe-ZnSe量子井戸構造の吸収−発光特性
 安東 孝止、大木 明、前仏 栄(NTT光エレクトロニクス研)
非線形光学結晶β-BaB2O4 (BBO)の開発と課題
 桑野 泰彦 (日電材料開発試作センター)
酸化物非線型光学結晶の問題点
 進藤 勇 (アスカル)
SHG青色レーザ特性の現状
 谷内 哲夫 (松下電器部品デバイス研究センター)
高出力赤外半導体レーザの現状と今後の展望
 吉年 慶一、田尻 敦志、林 伸彦、阿部 寿、水口 公秀、山口 隆夫 (三洋電機半導体研)
光ディスクの高密度化と光源の短波長化への期待
 堤 和彦 (三菱電機材料デバイス研)
総合討論
 

第99回研究会 (1993.1)
固体レーザー結晶およびレーザー制御用結晶の新展開 —紫外から赤外まで—
平成5年1月29日
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固体レーザの最近の進歩と応用
 石津 美津雄 (通信総研)
新固体レーザー結晶と波長領域拡大
 山岸 喜代志 (三井金属)
半導体レーザー励起マイクロチップレーザー
 小林 喬郎 (福井大)
光記録用SHG波算変換レーザー
 立野 公男 (日大)
希土類をドープしたアップコンバージョン材料
 平尾 一之 (京大)
レーザー光制御用LiNbO3結晶
 森 宏 (住友金属鉱山)
磁気光学結晶と光アイソレータへの応用
 梅澤 浩光、徳増 次雄 (富士電気化学)
総合討論
 久保寺 憲ー (NTT)
 

第100回研究会 (1993.7)
記念研究会 「結晶工学の変遷とその将来」
平成5年7月1,2日
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結晶工学分科会の歩み
 藤本 勲 (NHK技研)
結晶成長の変遷
バルク結晶成長
 福田 承生 (東北大金材研)
エピタキシャル成長の変遷
—半導体のエピタキシーを中心として—

 西永 頌 (東大工)
材料開発の歴史と展望
シリコン結晶と技術革新 —過去、現在、未来—
 阿部 孝夫 (信越半導体)
III-V化合物半導体 —ウェルカーから40年—
 赤井慎一 (住友電気工業)
II-VI族化合物半導体 —青色の20年—
 藤田 茂夫 (京大工)
酸化物結晶の展望 —光と共に蘇る?—
 宮澤 信太郎 (NTT LSI研)
結晶工学とデバイス応用
超高速電子デバイスのための結晶工学
 柴富 昭洋 (富士通)
光電子デバイスのための結晶工学
 林 厳雄 (光技術研究開発)
結晶工学と結晶学
結晶工学と結晶学 —間遣いだらけの解釈
 一宮 彪彦 (名大工)
欠陥の物理と結晶工学
 堂山昌男 (西東京科学大)
物性評価技術とそのもたらしたもの
 柊元 宏 (東工大工)
結晶工学のフロンティア
原子を一個の単位で除去,供給,移動する技術と科学
 青野 正和 (理研)
たん白集積体 —微粒子アレイ工学に向かって
 永山 国昭 (新技術事業団,東大教養)
宇宙時代の結晶工学
 日比谷 孟俊 (NEC基礎研)
 

第101回研究会 (1994.1)
シンクロトロン放射光(SR)と結晶工学
平成6年1月28日
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放射光利用の現状と将来
 千川 純一 (姫路工大理)
SR励起固相成長
 佐藤 史郎、平野 喜之、後藤 克幸 (NHK技研),松下正 (高エネ研),千川 純一 (姫路工大理)
放射光励起によるSi表面清浄化とエピタキシー
 杉田義博、奈良安雄、伊藤隆司 (富士通)
SRリソグラフィの現状と将来
 阿刀田 伸史 (ソルテック筑波研)
エピタキシャル成長の微視機構
—高輝度放射光を用いた表面敏感XAFSによる研究—

 大柳 宏之 (電総研)
半導体表面・界面のin situ評価
 尾嶋 正治、渡辺 義夫、前田 文彦、杉山 宗弘、前山 智 (NTT境界領域研)
時間分解X線回折法によるシリコンのレーザアニール過程の研究
 小島 繋、劉 光佑、工藤 喜弘、川戸 清爾 (ソニー中研),石川 哲也 (東大工),松下 正 (光エネ研)
 

第102回研究会 (1994.5)
シリコン・オプトデバイスの結晶工学 —表示用TFTから発光・受光デバイスまで—
平成6年5月20日
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大面積イオンドーピングとTFTへの応用
 平尾 孝、吉田 哲久、北川 雅俊 (松下電器中研)
高移動度ポリシリコソTFTを用いた並列機能デバイス
 山内 規義 (NTT境界領域研)
透明基板との貼り合わせ単結晶シリコン
 阿部 孝夫 (信越半導体磯部研)
シリコン高分子の構造と光物性
 松本 信雄 (NTT基礎研)
電流注入ポーラスSi可視発光素子の現状と展望
 伊藤 利道、平木 昭夫 (阪大工)
SiGe量子井戸発光デバイスの展望
 白木 靖寛、深津 晋 (東大先端研)
太陽電池用多結晶シリコン
 金子 恭二郎、三沢 輝起(住友シチックス研究開発センター)
Si薄膜太陽電池と新しい応用
 津田 信哉、大西 三千年、中野 昭ー(三洋電機ニューマテリアル研)
 

第103回研究会 (1995.1)
青色発光発展への課題
平成7年1月20日
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総合討論  青色発光発展への課題
 藤田 茂夫 (京大工)
GaN発光素子における結晶成長の課題
 向井 孝志、中村 修二 (日亜化学)
レーザ実現にむけたIII族窒化合物結晶の加工技術
 田中 秀尚 (NTT境界領域研)、松岡 隆志 (NTT光エレ研)
ZnMgSSe系ワイドギャップ半導体の成長と評価
 石橋 晃 (ソニー中研)
II-VI族半導体のMBE成長とドーピング
 辻村 歩、大川 和宏、佐々井 洋一 (松下半導体研)、三露 常男 (松下中央研)
MOCVDによる窒素ドープp型ZnSeの成長
 藤田 恭久、寺田 敏行、鈴木 哲哉、藤井 智(新日鉄エレ研)
MOVPE法によるp型ZnSe結晶の成長と評価
 簗嶋 克典、柊元 宏 (東工大工)
GaAs/ZnSeヘテロ接合界面の制御
 松本 俊 (山梨大工)
ZnSe系量子井戸構造の結晶成長とレーザ発振機構
 川上 養一、藤田 茂夫 (京大工)
 

第104回研究会 (1996.1)
G-bit USLIの電極技術 —金属/半導体界面の結晶工学—
平成8年1月19日
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イントロ
LSIプロセスから見た金属/半導体界面における課題
 木村 伸一郎 (日立)
G-bit ULSIの電極技術 —材料サイドからの問題提起
 中嶋 一雄 (富士通)
界面における電気伝導
界面構造と電気伝導
 安田 幸夫、財満 鎭明 (名大)
遷移金属シリサイドの電子状態と界面でのEELSの解釈への応用
 田中 功、足立 裕彦 (京大)
微小領域の材料評価
半導体の表面・界面のTEMによる評価
 横田 康広 (岡山理科大)
界面における拡散と反応機構
Ti/Si基板構造における界面反応
 小川 真一 (松下電子工業)
Coシリサイド
 助川 孝江 (富士通),中村 友二、川村 和郎、富田 博文、後藤 賢一 (富士通研)
Niシリサイド
 須黒 恭一 (東芝)
高融点金属シリサイドの界面反応
 財満 鎭明、岩野 博隆、安田 幸夫 (名大)
まとめ
金属/半導体界面制御の今後の課題
 村上 正紀 (京大)
 

第105回研究会 (1996.5)
太陽電池材料の結晶工学
平成8年5月31日
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結晶工学と太陽電池
 小長井 誠 (東工大工)
太陽電池用多結晶Si基板開発の現状
 渡辺 博之 (京セラ)
高効率Si太陽電池の最近の動向
 兼岩 実 (シャープエネ変換研)
薄膜シリコン太陽電池開発における溶融再結晶化技術
 高見 明宏 (三菱電機)
薄膜Si太陽電池における低温結晶化技術
 田中 誠 (三洋電機)
CuInSe2系薄膜太陽電池における結晶制御
 西谷 幹彦、和田 隆博 (松下電器中研)
III-V族超高効率太陽電池のエピタキシャル成長技術
 高岸成典、田辺達也、松原秀樹、白川二(住友電工基盤技研)
宇宙用太陽電池と放射線損傷
 山口真史 (豊田工大)
まとめ
 和田隆博 (松下電器中研)
 

第106回研究会 (1997.1)
多結晶薄膜の結晶工学
平成9年1月24日
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結晶格子欠陥と多結晶薄膜
 竹田 精治 (阪大院理)
半導体およびセラミックスの結勗粒界の原子・電子構造
—理論計算によるアプローチ—

 香山 正恵 (大阪工業技研)
レーザアニールを用いた多結晶シリコン膜形成とその電子デバイスへの応用
 鮫島 俊之 (東京農工大)
機能性セラミックス粒界の反応・構造と電子状態
 田中 順三 (無機材研)
高誘電率(Ba,Sr)TiO3薄膜の結晶性と誘電特性
 堀川 剛 (三菱電機)
Al配線のマイグレーションと多結晶の性質との関わり
 岡林 秀和 (NEC研究開発グループ)
多結晶Al薄膜の配向成長とエレクトロマイグレーション耐性
 金子 尚史、豊田 啓、蓮沼 正彦 (東芝)
 

第107回研究会 (1997.5)
IV族ワイドギャップ半導体SiC、ダイヤモンドの結晶工学 —耐環境電子素子を目指して—
平成9年5月30日
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イントロ —ワイドギャップ半導体SiCの結晶工学—
 松波 弘之 (京大工)
Si基板上への3C-SiCのCVD/MBEヘテロエピタキシャル成長
—シミュレーションから特晶成長—

 北畠 真、内田 正雄 (松下中研)
白金上のダイヤモンド・ヘテロエピタキシー
 橘 武史、横田 嘉宏、小橋 宏司 (神戸製鋼)、新谷 義廣 (徳島大工)
リソドープダイヤモンドの合成と評価
 加茂 睦和 (無機材研)
昇華法によるSiC単結晶の成長端面観察と結晶評価
 杉山 尚宏、岡本 篤人、奥村 公平、谷 俊彦、神谷 信雄 (豊田中研)
平面ディスプレイ用電子放出素子としてのCVDダイヤモンド
 伊藤 利道、八田 章光 (阪大工)、平木 昭夫 (高知工大)
SiCパワーデバイスの現状
 上野 勝典 (富士電機総研)
ダイヤモンドFETと回路技術の現状
 川原田 洋 (早大理工)
 

第108回研究会 (1998.1)
量子ドットの結晶工学 —サイズ分布は狭められるか—
平成10年1月23日
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Introductory Talk
 竹田 美和 (名大)
理論的限界について
 西岡 一水、真田 昌昭 (徳島大)
基板両方位の特異性を用いる
①量子ドット形成の基板両方位依存性
 陽 完治 (北大)
②(311)B面基板を用いた量子箱の配列化
 玉村 敏昭 (NTT)
基板に加工を施す
 梅田 哲士、本久 順一 (研究センター)、福井 孝志、熊倉 一英 (北大量子界面エレクトロニクス)
成長法に工夫を施す
①MOCVD とMBEにおける自己形成量子ドット制御の試み
 向井 剛輝、中田 義昭 (富士通)
②MBEによる自己形成量子ドットの均一化、構造制御
 西 研一、斎藤 英彰 (NEC)
組成変調を用いた短周期超格子自己形成量子ドット
 朝日一、金 成珍、浅見 久美子、廬 柱亨、筆田 麻祐子、権田 俊一 (阪大)
STMリソグラフイーによる選択成長制御
—nmから原子オーダーへ—

 嘉数 誠、小林 直 (NTT)
今後の課題と展望
 荒川 泰彦 (東大)
 

第109回研究会 (1998.5)
酸化物エレクトロニクスと結晶工学
平成10年5月22日 島津製作所関西支社マルチホール
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酸化物エレクトロニクス総論
 鯉沼 秀臣 (東工大応用セラ研)
酸化物の特徴 理論的側面から
 足立 裕彦 (京大院工)
酸化物結晶の導波型光波長変換デバイスへの応用
 栖原 敏明 (阪大院工)
TO薄膜のスパッタリング法による作製
 草野 英二 (金沢工大)
集積回路キャパシタ材料
 江口 和弘,清利 正弘,稗田 克彦,有門 経敏(東芝マイクロエレ研)
強誘電体メモリ材料
 藤崎 芳久,鳥居 和功,三木 浩史,櫛田 恵子(日立中研)
ZnO膜の弾性表面波フィルタへの応用
 門田 道雄 (村田製作所)
Pb系強誘電体薄膜の構造制御とセンサー・アクチュエーターへの応用
 飯島 賢二 (松下電器中研)
 

第110回研究会 (1999.6)
水素と結晶工学 —究極の軽元素を制御する—
平成11年6月3日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
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イントロダクトリー
 小野 春彦 (NECシリコン研)
半導体結晶中の水素の形態
 村上 浩一 (筑波大物理工)
シリコン中の水素・点欠陥複合体
 末澤 正志 (東北大金材研)
シリコン中の水素のダイナミクス
 上浦 洋一,福田 和久,山下 善文 (岡山大工)
シリコン表面・界面の欠陥準位と水素による不活性化
 宮崎 誠一 (広島大工)
LCD用低温ポリシリコン中の水素の挙動
 北原 邦紀 (島根大総合理工)
水素終端表面へのシリサイド膜成長
 廣瀬 和之 (宇宙研)
水素イオン注入によるSOI形成
 原 徹 (法政大工)
 

第111回研究会 (2000.4)
ワイドギャップ電子デバイスの結晶工学 —21世紀のロバストデバイスを目指して—
平成12年4月27日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
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ハードエレクトロニクスの展開
 荒井 和雄 (電総研)
マイクロ波AlGan/Gan HJFETの結晶工学
 大野 泰夫 (NEC)
AlGaN/GaN系 HFETの結晶工学とデバイス物理
 前田 就彦,斎藤 正,椿光 太郎,西田 敏夫,小林 直樹 (NTT物性科学基礎研)
SiC電子デバイスの結晶工学
 松波 弘之,木本 恒暢,矢野 裕司 (京大工)
ZnO invisible FETの結晶工学
 川崎 雅司,七種 耕冶,会田 哲也,大友 明(東工大総理工)、大巻 雄治,岸本 修也,大野 裕三,松倉 文礼,大野 英男 (東北大通研)
ダイヤモンドSAWフィルタ
 鹿田 真一,中幡 英章,藤井 知,八郷 昭広,板倉 克裕,上村 智喜,豊田 晴久,藤森 直治 (住友電工)
 

第112回研究会 (2000.6)
ジャイアントマイクロエレクトロニクスの結晶工学 —大面積ポリシリコンとその応用—
平成12年6月20日 島津製作所大阪支社マルチホール
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イントロダクトリー
 北原 邦紀 (島根大)
異種基板上への多結晶Si直接堆積と電子物性制御
 冬木 隆, 畑山 智亮, 浦岡 行治 (奈良先端大)
高品質多結晶シリコン薄膜形成技術
 鮫島 俊之 (東京農工大)
ガラス上におけるシリコンの核形成サイトと凝固方向制御
—単結晶Si-TFTの形成をめざして—

 原 明人, 佐々木 伸夫 (富士通研)
エキシマレーザ光照射によるSiの超巨大結晶粒薄膜の形成
 松村 正清 (東工大)
低温ポリシリコンTFT技術
—p-Si-TFT技術の現状と将来展望—

 小穴 保久 (東芝)
低温形成薄膜シリコン太陽電池
 山本 憲治 (鐘淵化学)
キャスト法による多結晶シリコン太陽電池
 白澤 勝彦 (京セラ)
 

第113回研究会 (2001.4)
SOIの結晶工学 -0.1μm時代のシリコン基板-
平成13年4月25日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
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SOI技術のメリット、課題および展望
 岸野 正剛 (姫工大)
SOI基板形成機構
Epitaxial Layer Transfer(ELTRANR) Technology for SOI-Epi WafersTM
 米原 隆夫、佐藤 信彦 (キャノン)
SOI基板形成機構 —SIMOX
 中嶋 定夫 (NTT)
結晶欠陥評価
PLおよび陽電子消滅による欠陥評価
 小椋 厚志 (NEC)、田島 道夫 (宇宙研)、上殿 明良 (筑波大)
SOI層への不純物拡散と電気特性
—SOI活性層中のキャリア分布と不純物拡散の遅延現象—

 荒井 英輔、内田 秀雄、市村 正也 (名工大)
SOIのデバイス・プロセス
SOIデバイス技術の現状と今後の展望
 井納 和美 (東芝セミコンダクター)
薄膜SOIウェーハへのデバイスからの要求
 山本 秀和、成岡 英樹、服部 信美 (三菱電機)
 

第114回研究会 (2001.6)
大容量記録技術を支える結晶工学
平成13年6月29日 島津製作所大阪支社マルチホ-ル
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大容量情報記録技術の最近の進歩 —総論—
 佐藤 勝昭 (東京農工大)
高密度磁気記録とヘッド材料
 榊間 博,川分 康博 (松下電器)
大容量磁気記録媒体
 岡本 巌 (富士通研)
光磁気記録のルーツ
 櫻井 良文 (大阪大学名誉教授)
DVD用相変化記録と相変化材料
 山田 昇 (松下電器)
フォトンを時間と空間に閉じこめる時代
—近接場光学と非線形分光が拓く21世紀の光と画像—

 河田 聡 (大阪大学)
ホログラム記録技術
—LN単結晶の改善と新技法の開発—

 北村 健二,Myeongkyu Lee (物材機構物質研),畑野秀樹 (パイオニア)
強誘電体メモリー
 中村 孝 (ローム)
 

第115回研究会 (2002.4)
次世代携帯電話の結晶工学
平成14年4月26日 学習院創立百周年記念会館小講堂
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携帯端末産業と結晶工学
 石綿 昌平 (野村総研)
InGaP系HBTエピウエハの結晶成長と評価方法
 荒木 賀行 (NTTアドバンステクノロジ)
通信システム応用における水晶デバイスの高性能化
 光野 卓也,杉本 久,日向 義雄 (東京電波)
新しいフィルタ用圧電結晶 —ランガサイト—
 宇田 聡 (三菱マテリアル)
移動体通信基地局用超伝導フィルタサブシステムの開発状況
 大嶋 重利 (山形大)
有機EL素子:有機EL素子の将来展望
 城戸 淳二 (山形大)
リチウムイオン二次電池用インターカレーション正極材料
 前川 武之 (三菱電機)
 

第116回研究会 (2002.6)
最新ディスプレイ技術と結晶工学
平成14年6月14日 島津製作所大阪支社マルチホール
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ディスプレイ概説:全体動向と課題
 谷 千束 (NEC)
液晶ディスプレイの将来技術
 山元 良高 (液晶先端技術開発センター)
次世代カラーPDPとその関連材料および製造技術
 内池 平樹,平川 貴義 (佐賀大)
色素ドープ系有機ELデバイスの高性能化とディスプレイへの応用
 柴田 賢一,浜田 祐次,高橋 寿一 (三洋電機)
カーボンナノチューブFED
 上村佐四郎,余谷 純子,長廻 武志,倉知 宏行,山田 弘,江崎 智隆,前岨 剛 (伊勢電子工業),斉藤 弥八 (三重大),湯村 守雄 (産総研)
III族窒化物を用いた白色LED
 柴田 直樹 (豊田合成)
電子ペーパー
 面谷 信 (東海大)
 

第117回研究会 (2002.11)
0.1μm時代の極薄拡散バリア技術
平成14年11月29日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
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0.1μm時代のULSI薄膜材料とバリア技術
 財満 鎭明 (名大)
Cu配線用拡散バリア材の開発 - 耐熱性と微細構造-
 守山 実希,着本 享,村上 正紀 (京大)
Cu配線用TiN, TaN系バリアメタルのインテグレーション
 中村 友二,A. Hobbs,河野 隆宏 (富士通),内堀 千尋 (富士通研)
MIM-TaOキャパシタ用耐酸化性バリアメタル
 平谷 正彦,松井 裕一 (日立),浅野 勇 (エルピーダ)
強誘電体キャパシタ用Ir系バリア膜
 中村 孝 (ローム)
強誘電体, High-kゲート薄膜用Al2O3, LaAlO3耐酸化バリア膜
 石原 宏 (東工大)
 

第118回研究会 (2003.4)
次世代ブロードバンドネットワークを築く結晶工学
平成15年4月25日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
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ブロードバンドネットワークに求められる光デバイス
 狩野 文良 (NTTフォトニクス研)
メトロ系ネットワーク用InGaAlAs - MQWレーザ
 土屋 朋信,清水 淳一郎,佐藤 宏,中原 宏治,青木 雅博 (日立中研)
次世代光アクセス用GaInNAsSbレーザ
 清水 均,カシミルスセティアグン,池永 賀彦,有賀 麻衣子,熊田 浩仁,濱 威,岩井 則広,粕川 秋彦 (古河電気横浜研)
量子ドット光デバイスの展開:
量子ドット半導体光増幅器と超高速光信号処理素

 菅原 充A,C,江部 広治A,C,羽鳥 伸明A,C,荒川 泰彦A,B,C, 秋山知之D,大坪孝二D,中田義D (東大生産研A,東大先端センターB,ナノエレクトロニクス連携研究センターC,富士通研究所・富士通D)
超高速動作GaN/AlNサブバンド間遷移デバイス
 飯塚 紀夫,金子 桂,鈴木 信夫(東芝研究開発センター)
InNの結晶成長とその光学特性
 松岡 隆志 (NTT物性科学基礎研)
温度無依存発振波長化を目指すTlInGaAsレーザ
 朝日 一,李 輝宰,藤原 淳志,今田 明範,周 逸凱,長谷川 繁彦 (阪大産研)
 

第119回研究会 (2003.6)
ナノカーボンの結晶工学 - 構造制御と物性 -
平成15年6月13日 名古屋大学 ベンチャービジネスラボラトリー 3階ベンチャーホール
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ナノサイズ・グラファイト構造の形成機構
 飯島 澄男 (名城大学理工,NEC,AIST,JST)
触媒CVDによるカーボンナノチューブの生成と分子動力学シミュレーション
 丸山 茂夫 (東大工)
カーボンナノ材料の構造と電子状態
 齋藤 理一郎 (東北大理,CREST JST)
TEMによるカーボンナノ材料の構造解析
 末永 和知 (産総研)
カーボンナノチューブによる自己組織化配線
 本間 芳和,小林 慶裕,萩野 俊郎*(NTT物性科学基礎研,*現:横浜国立大工)
エレクトロニクス応用を目指したカーボンナノチューブのCVD成長技術
 粟野 祐二(富士通研,富士通,ファインセラミックスセンター)
SiC基板上に構造制御されたカーボンナノチューブの作製
 楠 美智子,鈴木 敏之,本庄 千鶴(ファインセラミックスセンター)
 

第120回研究会 (2004.4)
半導体材料としてのZnO —基板、結晶性、ドーピング—
平成16年4月23日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
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III族窒化物との類似点と相違点
—ZnOにおける励起子領域の光学スペクトル—

 秩父 重英1-3,上殿 明良1,宗田 孝之 ,川崎 雅司5,6(筑波大数理物質1、科学技術振興機構2、理化学研3、早大4、東北大金研5、物材機構6)
水熱合成法によるZnO単結晶育成
—大口径基板実用化を目指して—

 前田 克己,佐藤 充,新倉 郁生 (東京電波)
ZnOバルク結晶の特性制御
—単結晶基板、および、電子デバイス応用を目指して—

 大垣 武,大橋 直樹,羽田 肇 (物材機構)
c面サファイア及びZnO基板上へのMBE-ZnO成長
—結晶の高品質化とn型ド-ピング—

 加藤 裕幸,宮本 和弘,佐野 道宏 (スタンレー電気)
薄膜成長層の高品質化に向けた課題
—RS-MBEによるエピタキシャル成長—

 岩田 拡也,ポール フォンス,山田 昭政,松原 浩司,仁木 栄 (産総研)
The growth of phosphorus doped p-ZnO epilayer on sapphire
—An approach using phosphorus and RTA—

 Kyoung-Kook Kim,Seong-Ju Park,Tae-Yeon Seong (Kwangju Institute of Science and Technology)
MOMBEによるp型ZnOの成長とオーミックコンタクトの検討
 末宗 幾夫,栗本 誠,海老原 正人 (北海道大電子科学研)
 

第121回研究会 (2004.7)
ワイドギャップ半導体パワーデバイスの結晶工学 —バルク結晶からデバイスまで—
平成16年7月16日 キャンパスプラザ京都
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ワイドギャップ半導体 総論
 松波 弘之 (科学技術振興機構)
SiCエピタキシャル成長
 北畠 真,高橋 邦方(松下電器産業先行デバイス開発センター)
SiCパワーデバイス技術
 大塚 健一,樽井 陽一郎,松野 吉徳*,杉本 博司,今泉 昌之,高見 哲也(三菱電機 先端技術総合研究所、(三菱電機 パワーデバイス製作所*))
GaN高周波パワーデバイス技術
 宮本 広信,安藤 裕二,岡本 康宏,中山 達峰,幡谷 耕二,井上 隆,葛原 正明(新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター)
昇華法によるSiCバルク単結晶成長
 西澤 伸一,加藤 智久,荒井 和雄(産総研パワーエレクトロニクス研究センター)
フラックスを用いたGaN単結晶のLPE成長
 川村 史朗,森 勇介,佐々木 孝友 (阪大院工)
ダイヤモンドのパワーデバイス応用可能性と課題
 酒井 忠司,小野 富男,佐久間 尚志,吉田 博昭,鈴木 真理子 (東芝研究開発センター)
 

第122回研究会 (2005.4)
平面型ディスプレイ用蛍光体および白色LEDの新展開 ~結晶工学による特性改善と新規蛍光体材料探索~
平成17年4月22日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
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はじめに 結晶工学と蛍光体の関わり
 田中 克 (NHK技研)
PDP用青色蛍光体BaMgA10O17:Eu2+の劣化機構の解明
 鬼丸 俊昭,福田 晋也,三澤 智也,崎田 康一,笠原 滋雄,別井 圭一 (富士通研)
高電圧FED用蛍光体の特性改善
 梶原 和夫 (元ソニー情報技術研)
無機EL用蛍光体の進展と結晶工学
 Manuela Peter,Xingwei Wu(iFire Technology Corp.)
高効率白色LEDの開発
 玉置 寛人,高島 優,亀島 正敏,村崎 嘉典(日亜化学工業)
白色LED用新規赤色蛍光体の開発
 広崎 尚登 (物材機構),上田 恭太 (東京工科大バイオニクス)
希土類添加蛍光体の第一原理に基づく光学スペクトルの解析
 小笠原 一禎,渡邊 真太,豊島 広朗,吉田 尚史,石井 琢悟,Mikhail G. Brik (関西学院大理工)
蛍光体研究の新しい流れと今後の展開
 玉谷 正昭 (東芝リサーチ)
 

第123回研究会 (2005.7)
不揮発メモリの現状と将来
平成17年7月22日 キャンパスプラザ京都
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次世代不揮発性メモリの本命を占う
 三宅 常之 (日経BP)
強誘電体メモリ材料の新しい展開
 奥山 雅則 (阪大)
混載FeRAM用強誘電体の開発と今後の展開
 那須 徹,林 慎一郎,野間 淳史,十代 勇治(松下電器産業)
MRAM高密度化と書込み特性
 甲斐 正,中山 昌彦,池川 純夫,浅尾 吉昭,與田 博明 (東芝),石綿 延行,波田 博光,田原 修一 (日本電気)
マルチフェロイック材料の設計とデバイス応用
 藤村 紀文 (大阪府立大)
相変化不揮発性メモリの可能性
 中山和也,高田雅史,泉 貴富 (金沢大)
遷移金属酸化物接合の電界誘起抵抗スイッチング・メモリ
 澤 彰仁1,藤井 健志1,2,川崎 雅司1,2,十倉 好紀1,3(産総研1,東北大2、東大3)
Future prospect of new emerging Nonvolatile RAM
 Kinam Kim,Hongsik Jeong,Sungyoung Lee,Kwanhyeob Ko (Samsung Electronics)
 

第124回研究会 (2006.4)
電子デバイスをめざした有機結晶の新展開 ~有機結晶は無機結晶を超えられるか?~
平成18年4月27日 学習院創立百周年記念会館 3F小講堂
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有機結晶は無機結晶を超えられるか?
 八瀬 清志 (産総研)
有機薄膜成長の精密制御
 島田 敏宏 (東大)
大型高品質有機結晶の育成
 森 勇介、高橋 義典、吉村 政志、安達 宏昭、佐々木 孝友 (阪大)
液晶中でのペンタセン単結晶の成長過程
 藤掛 英夫 (NHK)
塗布法による高移動度有機結晶薄膜
 南方 尚 (旭化成)
チオフェン系オリゴマー結晶のFET特性
 堀田 収 (京都工繊大)
有機結晶薄膜を用いた集積回路
 関谷 毅、桜井 貴康、染谷 隆夫 (東大)
 

第125回研究会 (2006.8)
実験研究者のための計算機実験 :実験屋のツールになりうるか?
平成18年8月2日 大阪産業創造館堂
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ワイドギャップ半導体のマテリアルデザインとCMD-RTN
 吉田 博 (阪大)
ナノシリコンデバイスの材料設計、物性予測、機能設計と文部科学省ITプログラムの取り組み
 大野 隆央 (物材機構)
ソフトウェアメーカーの取り組み例
 宇田 毅,宇佐見 護,山本 武範,甲賀 淳一朗 (アドバンスソフト)
ULSI材料のTEM-EELS分析と電子構造計算
 五十嵐 信行 (NEC)
電子部品メーカーにおける強誘電体材料研究への第一原理計算の活用
 森分 博紀 (ファインセラミックスセンター)
パソコン計算でどこまで物性が予測(説明)できる?
表面科学から物質科学まで

 田畑 仁 (阪大)
気相成長の熱力学解析:計算結果の実験への適用
 纐纈 明伯 (農工大)
材料開発に第一原理計算は役立つか?
—第一原理計算を用いた非鉛系強誘電体ANbO3 (A= Li, Na, K)に関する研究—

 繁實 章夫,和田 隆博 (龍谷大)
 

第126回研究会 (2007.4)
シリコンと発光デバイスの融合 :光るSiからSi上化合物発光材料まで
平成19年4月26日 学習院創立百周年記念会館 3F小講堂
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シリコンフォトニクスに求められる光デバイス
 和田 一実 (東大)
ナノクリスタルSi発光デバイスの展望
 越田 信義 (農工大)
シリサイド系β-FeSi2発光材料の可能性
 末益 崇,宇賀神 佑太,村瀬 重光,鈴野 光史(筑波大)
Si基板上におけるSb系化合物半導体結晶成長とデバイス応用
 赤羽 浩一,山本 直克,土屋 昌弘(情報通信研究機構)
Si基板上のGaPN系エピとOEICの基本デバイス技術
 米津 宏雄,古川 雄三,若原 昭浩(豊橋技科大)
Si基板上のGaN系エピとLED
 江川 孝志 (名工大)
エピフィルムボンディングによるLSIとLEDの融合技術
 荻原 光彦 (沖デジタルイメージング)
発光デバイスとLSIを繋ぐSi細線導波路技術
 板橋 聖一,山田 浩治,土澤 泰,渡辺 俊文,福田 浩 (日本電信電話)
 

第127回研究会 (2007.7)
IV族系半導体のひずみエンジニアリング :ひずみ・応力が結晶物性を変える
平成19年7月13日 学習院創立百周年記念会館 3F小講堂
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IV族系ひずみ半導体物性の基礎とデバイス応用
 白木 靖寛 (武蔵工大)
ひずみSiチャネルのバンド構造と移動度の理論解析
 鎌倉 良成、谷口 研二 (阪大)
超臨界膜厚ひずみSi/SiGeの欠陥制御
 木村 嘉伸、杉井 信之 (日立中研)
異方性ひずみ制御技術と先端CMOSデバイス
 入沢寿史 (MIRAI-ASET)
シリコンナノ細線への熱酸化応力誘起とフォノン閉じ込め効果
 深田 直樹1、大島 崇2、岡田 直也2、松下 聡2、鶴井 隆雄3、陳 君1、関口 隆史1、村上 浩一2(物材機構1、筑波大2、東北大3)
極端に非対称なX線回折法と光電子分光法の併用による絶縁膜-半導体界面の物性評価
 秋本 晃一 (名大)、廣瀬 和之 (宇宙研)
電子顕微鏡周辺技法を用いた歪み解析へのアプローチ
 杉山 直之 (東レリサーチセンター)
Siのひずみ評価技術
 小椋 厚志 (明治大)
 

第128回研究会 (2008.4)
透明デバイスを担う結晶工学 :多様なる透明導電性材料とデバイスの今後を見る
平成20年4月23日 学習院創立百周年記念会館 3F小講堂
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酸化物の特徴を活かした機能開拓とデバイス
 細野 秀雄 (東工大)
ZnO系透明酸化物の太陽電池応用
 山田 明 (東工大)
低赤外吸収・高移動度透明導電膜
 鯉田 崇 (産総研)
ITO代替ターゲットへの要求性能
 矢作 政隆 (日鉱金属)
ニ酸化チタン系透明導電膜
 長谷川 哲也 (東京大/KAST)
透明アモルファス酸化物半導体の電子ペーパーへの応用
 伊藤 学 (凸版総合研)
FRスパッタ法によるアモルファス酸化物チャネルTFTの作製
 田 透 (キャノン)
 

第129回研究会 (2008.7)
結晶工学が開く次世代MEMS/NEMS技術
平成20年7月2日 キャンパスプラザ京都 第2講義室
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【基調講演】 MEMSのサイエンス
—単結晶シリコンのエッチング特性,機械特性の新知見—

 佐藤 一雄 (名大)
NLDプラズマを用いたSiドライエッチング技術
 森川 泰宏 (アルバック)
単結晶シリコンMEMSデバイスの破壊と疲労
 土屋 智由 (京大)
半導体へテロ構造を用いたマイクロ・ナノメカニカル素子
 山口 浩司 (NTT 物性科学基礎研)
MEMS応用を目指した単結晶SiC加工技術
 須田 淳 (京大)
MEMS技術を用いたCNTの合成、集積化、センサ応用
 河野 剛士 (豊橋技科大)
圧電薄膜によるMEMSデバイス応用
 神野 伊策 (京大)
 

第130回研究会 (2009.4)
ディスプレイを目指す三原色レーザ光源 -最新動向と結晶工学の課題-
平成21年4月24日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
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はじめに
 難波江 宏一 (NEC)
ディスプレイ用レーザ光源の課題と結晶工学への期待
 久保田 重夫 (東大)
波長変換レーザ用周期分極反転結晶
 栗村 直 (物材研)
レーザTV用プレーナ導波路型緑色レーザ
 平野 嘉仁、柳澤 隆行、山本 修平、秋野 陽介、中村 聡、吉原 徹、八木 哲哉 (三菱電機)
ディスプレイ用AlGaInP系純赤色半導体レーザ
 若林 和弥、今西 大介、内田 裕行、滝口 由朗、長沼 香、伊藤 哲、平田 照二 (ソニー)
ディスプレイ用InGaN系純青色LD
 長濱 慎一、小崎 徳也、柳本 友弥、向井 孝志 (日亜化学)
非極性m面InGaN系LDにおける長波長化
 岡本 國美、田中 岳利、久保田 将司、柏木 淳一 (ローム)
半極性面上InGaN系発光素子と緑LDの可能性
 船戸 充、川上 養一 (京大)
 

第131回研究会 (2009.7)
結晶欠陥の評価でみえる窒化物半導体の進展
平成21年7月17日 京都テルサ 大会議室
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【基調講演】 窒化物半導体中の結晶欠陥とデバイスの特性
 天野 浩、岩谷 素顕、上山 智、赤崎 勇 (名城大)
透過電子顕微鏡法によるGaN 系半導体レーザ中の結晶欠陥解析
 冨谷 茂隆、後藤 修、池田 昌夫 (ソニー)
貫通転位は制御できるか
—電顕による評価と生成・消滅機構の解析—

 桑野 範之 (九大)
窒化物半導体の高分解X線回折測定でわかる結晶欠陥の評価
 草野 修治 (スペクトリス)
放射光を利用した窒化物光半導体の評価
 榊 篤史 (日亜化学)
CL法を用いた窒化物系半導体素子の構造評価
 杉江 隆一,三谷 武志,吉川 正信(東レリサーチセンター)
近接場光学顕微鏡によるInGaNナノ構造の発光機構解明と高効率化へのアプローチ
 川上 養一,金田 昭男,船戸 充 (京大)
 

第132回研究会 (2010.4)
半導体ナノ構造が切り開くナノエレクトロニクス -ナノ構造作製技術の現状と結晶工学の課題-
平成22年4月23日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
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半導体ナノ構造のあゆみと今後の展望
~量子ドットデバイスを中心にして~

 荒川 泰彦(東大)
GaN系ナノ構造の結晶成長と光デバイス応用
 岸野 克巳、菊池 昭彦、関口 寛人、石沢 峻介、光野 徹也、神村 淳平(上智大)
MOVPE選択成長を用いたIII-V族半導体ナノワイヤの形成と応用
 本久 順一、福井 孝志、原 真二郎、比留間 健之、冨岡 克広 (北大)
STMBEよる量子ドット成長のその場観察
 塚本 史郎(阿南高専)
光デバイス応用に向けたInAs量子ドットの高密度・高均一成長
 山口 浩一 (電通大)
量子ドット光デバイスの開発と商用化
 菅原 充(株)QD レーザ)
 

第133回研究会 (2010.7)
これからはじめる太陽電池 —基礎から課題まで—
平成22年7月2日 京都テルサ 大会議室
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【基調講演】太陽電池研究開発の歴史と基礎
 斉藤 忠 (東京農工大)
シリコン系薄膜太陽電池の高効率化技術と課題
 野々村 修一 (岐阜大)
化合物薄膜太陽電池の作製技術と評価方法
 根上 卓之 (パナソニック)
III-V化合物多接合太陽電池の作製と評価
 高本 達也 (シャープ)
有機薄膜太陽電池の作製技術と評価方法
 佐川 尚 (京都大)
太陽電池用シリコン結晶の成長技術と課題
 宇佐美 徳隆 (東北大)
 

第134回研究会 (2011.4)
ワイドバンドギャップ半導体単結晶の高圧育成と成長制御技術
平成23年4月21日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
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高圧下における結晶成長・評価と高圧発生技術
 長谷川 正(名古屋大)
高品質ダイヤモンド単結晶の育成
 角谷 均(住友電工)
高圧下温度差法による窒化ホウ素単結晶の合成と不純物制御
 谷口 尚(物材機構)
非極性面ZnOのバルク結晶成長
 前田 克己(東京電波)
アモノサーマル法による窒化ガリウム単結晶育成
 横山 千昭(東北大)
Naフラックス法によるバルクGaN単結晶育成
 今出 完 (阪大)
高圧MOVPEによるInGaN成長
 松岡 隆志 (東北大)
 

第135回研究会 (2011.6)(応用電子物性分科会 連携研究会)
ワイドギャップ半導体パワーデバイス ~ 結晶成長と評価の最前線 ~
平成23年6月23日 京都テルサ 大会議室
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【基調講演】 SiCパワーデバイスの現状と将来展望
 木本 恒暢(京都大学)
SiC単結晶成長技術の現状と課題
 山内 庄一(デンソー)
4H-SiCエピ成長と欠陥挙動解析
 土田 秀一(電力中央研究所)
SiC加工表面の非接触評価
 江龍 修(名古屋工業大学)
パワーデバイス用GaN基板の開発
 碓井 彰(古河機械金属)
大口径GaN/Si基板の開発
 小宮山 純(コバレントマテリアル)
MOCVD法によるSi基板上AlGaN/GaN HEMTについて
 江川 孝志(名古屋工業大学)
 

第136回研究会 (2012.4)
省エネ・創エネ技術における結晶工学の最前線 —超伝導、窒化物、太陽電池—
平成24年4月20日 学習院創立百周年記念会館小講堂
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NEDOにおける再生可能エネルギー分野の技術開発
 徳岡 麻比古(NEDO)
超伝導技術の現状と応用の効果
—結晶成長技術が支える超伝導材料特性—

 下山 淳一(東京大学)
窒化物光触媒によるエネルギー生成技術
 大川 和宏(東京理科大学)
溶液成長による超高品質SiC結晶の可能性
 宇治原 徹(名古屋大学)
シリコン系太陽電池のポテンシャルと課題
 宇佐美 徳隆(東北大学)
化合物系太陽電池のポテンシャルと課題
 佐藤 勝昭(JST)
 

第137回研究会 (2012.6)(応用電子物性分科会 連携研究会)
窒化物半導体光デバイスの最前線 ~ 基板・エピ成長と評価技術 ~
平成24年6月15日 京都テルサ 第一会議室
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【基調講演】窒化物半導体エピタキシャル成長の新展開
 天野 浩 (名古屋大学)
ハイドライド気相成長法による非極性面GaNの厚膜成長
 只友 一行 (山口大学)
電子顕微鏡観察で見えること —転位やドメイン—
 桑野 範之 (九州大学)
X線回折を用いた窒化物半導体エピタキシャル膜の評価法
 草野 修治 (スペクトリス)
HVPEによるGaNの超高速成長
 吉田 丈洋(日立電線)
GaN基板を用いたInGaN-LED
 横川 俊哉 (パナソニック)
 

第138回研究会 (2013.4)
次世代不揮発性メモリ材料・デバイスを 結晶工学の視点から探る
平成25年4月19日 産総研臨海副都心センター別館 (バイオ・IT融合研究棟)
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【基調講演】半導体新型不揮発メモリの開発競争
 藤崎 芳久 (日立中研)
PCRAM用Ge-Te系薄膜の相変化挙動
 須藤 祐司 (東北大)
放射光時間分解X線回折法による相変化メモリ材料の動的構造計測
 田中 義人 (理研)
抵抗変化型酸化物薄膜不揮発性メモリーの開発と放射光界面解析
 尾嶋 正治 (東京大)
酸化物積層構造を用いた強誘電体ゲートトランジスタ
 金子 幸広 (パナソニック)
原子移動を利用した3端子素子
 長谷川 剛 (物材機構)
 

第139回研究会 (2013.6)
ワイドギャップ半導体の基板から展開するデバイス —GaN, SiC, Ga2O3結晶の最前線—
平成25年6月6日 京都テルサ 第一会議室 (西館3階)
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【基調講演】パワーデバイス用ワイドバンドギャップ半導体材料の工業化への課題 
 乙木 洋平 (日立電線)
SiC単結晶ウェーハ開発の現状とその課題
 大谷 昇 (関西学院大)
デバイスに向けた酸化ガリウム半導体の結晶成長と物性制御
 藤田 静雄 (京都大)
HVPEによるGaN結晶作製
 碓井 彰 (古河機械金属)
Naフラックス法によるGaN結晶育成技術
 森 勇介 (大阪大)
様々な基板上へのGaN系LEDの現状と展望
 天野 浩 (名古屋大学)
SiC基板上へのIII族窒化物のコヒーレント成長
 須田 淳 (京都大)
 

第140回研究会 (2014.4)
酸化物薄膜デバイスの新展開 —ITO, IGZO,新材料,さらなる発展に向けて—
平成26年4月18日 産総研臨海副都心センター別館 (バイオ・IT融合研究棟)
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【基調講演】酸化物薄膜の特徴:物性の把握と設計・制御への展望
 山本 哲也 (高知工科大学)
ZnO系透明導電膜とその太陽電池用透明電極への応用
 南 内嗣 (金沢工業大学)
高い誘電率を有する透明導電体:酸化物から窒化物へ
 山田 直臣 (中部大学)
太陽電池向け透明導電膜 
 鯉田 崇(産業技術総合研究所)
透明導電膜:
多結晶ITOとアモルファスIZOの薄膜成長機構

 重里 有三 (青山学院大学)
酸化物半導体TFTの進展 
 雲見 日出也 (東京工業大学)
 

第141回研究会 (2014.6)
GaN,SiC系パワーデバイス —結晶欠陥の評価・制御の最前線—
平成26年6月6日 名古屋大学 坂田・平田ホール (理学南館)
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【基調講演】Siパワーデバイスにおける結晶欠陥制御技術
 山本 秀和(千葉工業大学)
SiCの拡張欠陥のイメージングと欠陥制御
 土田 秀一(電力中央研究所)
SiC拡張欠陥とショットキーダイオード特性の相関
 藤原 広和(トヨタ自動車)
SiCバイポーラデバイスに向けた点欠陥の解明と制御
 須田 淳,木本 恒暢(京都大学)
GaN系異種接合特性と界面欠陥の関連性
 橋詰 保(北海道大学)
GaN-on-GaN HEMTのデバイス特性に基づく結晶欠陥制御の重要性
 南條 拓真,柳生 栄治(三菱電機)
 

第142回研究会 (2015.2)
「シリコン系太陽電池」- 最先端技術と将来展望 -
平成27年2月5日 キャンパスプラザ京都 4階 第2講義室
【基調講演】 最近の太陽電池技術の動向と展望
 荒谷 復夫(資源総合システム)
その場観察が明らかにするシリコンの結晶成長メカニズム
 藤原 航三(東北大学)
薄膜シリコン太陽電池技術と応用展開
 松井 卓矢(産業技術総合研究所)
【基調講演】 NEDO結晶シリコン太陽電池の概要と成果
 大下 祥雄(豊田工業大学)
ウエハ洗浄とテクスチャ形成の新技術
 山本 裕三(攝津製油)
【特別講演】 高効率Siへテロ接合太陽電池の開発 ~世界最高効率の更新~
 甲斐 幹英(パナソニック)
シリコン系太陽電池の未来技術
 黒川 康良(東京工業大学)
 

第143回研究会 (2015.6)
深紫外固体発光デバイス開発・応用の最前線
平成27年6月5日 東京都市大学 世田谷キャンパス 5号館小講堂
深紫外LEDの高出力化 ~現状と課題~
 和田 貢(日機装技研)
AlGaN深紫外LED高効率化の進展と展望
 平山 秀樹(理研)
CO-N2熱処理法を用いたサファイア基板上への高品質AlN薄膜作製
 三宅 秀人(三重大学)
昇華法AlN基板上のUVC-LED
 永瀬 和宏(旭化成)
HVPE基板上紫外LEDの開発
 木下 亨(トクヤマ)
AlN基板上AlGaN量子井戸のMOVPE成長と光物性評価
 川上 養一(京都大学)
無極性/有極性AlN系深紫外LED:結晶成長と発光機構
 谷保 芳孝(NTT)
 

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