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結晶工学セミナー

第20回結晶工学セミナー(2015)
「基板の加工と評価が切り拓くSi, SiC, GaN結晶の基盤技術」 -加工プロセス・評価技術の基礎から最前線-
平成27年12月10日 学習院創立百周年記念会館3階 小講堂
結晶基板の加工プロセス設計と高効率加工へのブレークスルー
 土肥 俊郎(九州大学)
SiCの鏡面スライシング加工技術の開発
 諏訪部 仁(金沢工業大学)
超大口径Si基板の平坦加工
 阿部 耕三(濱田重工)
大口径SiCウェハの高速高品質加工技術
 加藤 智久(産業技術総合研究所)
GaN結晶の研磨加工技術
 會田 英雄(並木精密宝石)
GaN, SiCの触媒表面基準エッチング技術
 山内 和人(大阪大学)
フォトルミネッセンスによる基板の結晶評価
 田島 道夫(明治大学)
 

第19回結晶工学セミナー(2014)
いまさら聞けない物理・化学分析技術の基礎と応用 —自分の測定データに自信を持てますか?—
平成26年12月12日 学習院創立百周年記念会館3階 小講堂
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SEMの基礎および最新応用技術の紹介
 多持 隆一郎(日立ハイテクノロジーズ)
初心者のための透過型電子顕微鏡を用いた像観察、分析の基礎と応用
 伊野家 浩司(日本エフイー・アイ)
SIMS、TOF-SIMSによる微量不純物の深さ方向分析
 須田 泰市(東レリサーチセンター)
X線回折・散乱を用いた半導体材料評価の基礎と応用
~ロッキングカーブ、極点図、反射率の測定原理と分析事例~

 草野 修治(スペクトリス)
顕微ラマン分光法の最新応用と測定の実際
 沼田 朋子(堀場製作所)
分子線エピタキシィ成長中での走査型トンネル顕微鏡観察
 塚本 史郎(阿南高専) 
XPSが明らかにする極薄SiO2/Si界面のダイポール、構造遷移層、 電荷トラップ、誘電率
 廣瀬 和之(JAXA)
 

第18回結晶工学セミナー(2013)
いまさら聞けない電気・光学測定の基礎と応用 —測定したその値は本当の値ですか?—
平成25年12月16日 学習院創立百周年記念会館3階 小講堂
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【基調講演】 電気・光学測定からわかること
—背景にある物理を読みとくことの重要性—

 奥村 次徳 (首都大学東京)
光学顕微鏡の基礎と応用
—正しいレンズの選び方から1原子層分解の共焦点顕微鏡まで—

 佐﨑 元 (北海道大学)
分光測定の基礎と応用
—分光器を扱う際の注意点と最新技術—

 木村 真之 (日本分光)
フォトルミネッセンス測定の基礎と応用
—高感度測定と時間分解測定の原理と最新応用—

 池村 賢一郎 (浜松ホトニクス)
太陽電池特性評価の基礎と応用
—変換効率を正確に測るために必要なこと—

 菱川 善博(産業技術総合研究所)
電気的特性評価の実際
—ホール効果、TLM、C-V測定の実際、陥りやすい罠—

 須田 淳 (京都大学)
MOS特性評価の基礎と応用
—MOS界面の諸物性を正確に評価するために—

 矢野 裕司(奈良先端科学技術大学院大学)
 

第17回結晶工学セミナー(2012)
物理・化学分析の最先端技術を基礎から理解する —グリーンデバイス材料を中心に—
平成24年12月5日 学習院創立百周年記念会館3階 小講堂
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FIBを用いたTEM/SEM試料作製の基礎
 今野 充 (日立ハイテク)
FE-TEMを用いた観察・分析
 遠藤 徳明 (日本電子)
EBSD法による微小領域の結晶方位/歪解析
 鈴木 清一(TSLソリューションズ)
太陽電池の分析・評価と技術的課題
~不純物濃度・組成評価~

 須田 泰市(東レリサーチセンター)
SPMを用いた太陽電池材料の多角的評価 
 高橋 琢二 (東京大学)
放射光を用いた太陽電池用半導体材料の評価技術
 大下 祥雄 (豊田工業大学)
4H-SiC エピタキシャル膜の結晶欠陥の評価
 土田 秀一 (電力中央研究所)
硬X線光電子分光技術とSiC評価の適応事例
 町田 雅武 (VGシエンタ)
 

第16回結晶工学セミナー(2011)
電気・光学測定技術の基礎と応用 —ワイドギャップ半導体を中心に—
平成23年10月14日 学習院創立百周年記念会館3階 小講堂
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電気的結晶評価の基礎
~電気特性評価から読み解くべき物理~

 奥村 次徳 (首都大学東京)
アドミタンス測定によるMIS界面電子準位の評価
~窒化物半導体界面への適用と解釈~

 橋詰 保 (北海道大)
光学的結晶評価の基礎
~フォトルミネッセンスによる不純物定量と欠陥解析~

 田島 道夫(JAXA 宇宙科学研究所)
近接場光学顕微鏡による半導体結晶の再結合ダイナミクス
~窒化物半導体混晶の不均一性と発光・非発光機構~

 川上 養一 (京都大学)
カソードルミネッセンスによる微細領域の評価
~窒化物半導体の転位・組成・歪みの評価~

 三宅 秀人 (三重大学)
ワイドギャップ半導体の電気・光学評価事例
~GaNおよびSiCについての事例紹介~

 須田 淳 (京都大学)
 

第15回結晶工学セミナー(2010)
物理・化学分析の最先端技術を基礎から理解する —究極の分析を目指して—
平成22年11月18日 学習院創立百周年記念会館3階 小講堂
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陽電子消滅の基礎と最先端
 上殿 明良(筑波大)
3次元アトムプローブ:その原理と応用
—MOSFET不純物分布解析を例に—

 永井 康介(東北大)
原子間力顕微鏡を用いた高空間分解能測定と物性計測への展開
 阿部 真之(大阪大)
X線マイクロ回折の基礎と最先端局所歪評価
 木村 滋(JASRI/SPring-8)
ラマン分光を用いた先端CMOSの歪測定
 小椋 厚志(明治大)
高分解能RBS法:究極の深さ分解能を持った分析法
 木村 健二(京都大)
収差補正TEM・STEMの基礎と最先端原子直視観察
 田中 信夫(名古屋大)
 

第14回結晶工学セミナー(2009)
電気・光学測定技術の基礎と応用
平成21年11月11日 機械振興会館6階 66会議室
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電気的結晶評価の基礎
~電気特性評価から得られる物理現象~

 奥村 次徳 (首都大学東京)
過渡容量法によるSiC中の深い準位の評価
~DLTSを中心にして~

 木本 恒暢 (京大)
走査型プローブ顕微鏡による微小領域電気特性マッピング
 藤田 高弥 (東レリサーチセ)
光学的結晶評価の基礎と応用
~フォトルミネッセンスを中心にして~

 山口 敦史 (金工大)
電子線を用いた半導体材料の電気的・光学的機能評価
‐EBIC・カソードルミネッセンス‐

 関口 隆史 (物材機構)
近接場光学顕微イメージング分光による半導体量子構造評価
 斎木 敏治 (慶応大)
 

第13回結晶工学セミナー(2008)
失敗しない分析技術の選び方 —物理・化学分析技術の基礎と応用—
平成20年11月5日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
(はじめに) 物理・化学分析技術と結晶材料の評価
 近藤 康洋 (NTTフォトニクス研)
TEMによる結晶の欠陥及び構造評価
 酒井 朗 (阪大基礎工)
分析TEMによる微小領域分析
 杉山 直之 (東レリサーチセ)
SIMSによる半導体材料の高感度分析
 永山 進 (ナノサイエンス)
XRDやXRRを用いた薄膜分析
 斎藤 啓介 (ブルカーAXS)
RBSによる薄膜分析 
 小林 明 (神戸製鋼)
AES、XPS、TOF-SIMSを用いた表面評価
 鈴木 峰晴 (アルバック・ファイ)
失敗しない分析技術チュートリアル
~ワイドバンドギャップ半導体を例に~

 土屋 忠厳 (日立電線)
 

第12回結晶工学セミナー(2007)
電気・光学測定技術の基礎と応用 —ワイドバンドギャップ半導体編—
平成19年10月4日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
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電気的結晶評価の基礎 ~電気特性評価から得られる物理現象
 奥村 次徳 (首都大)
ワイドバンドギャップ光学評価
 山口 敦史 (金沢工大)
窒化物半導体における表面・界面評価
 橋詰 保 (北大)
Hall測定によるワイドギャップ半導体中の不純物の評価
 松浦 秀治 (大阪電通大)
走査型プローブ顕微鏡による微小領域電気特性マッピング
 藤田 高弥 (東レリサーチセ)
高感度半導体光学測定の実際
 大久保 優晴 (日本分光)
 

第11回結晶工学セミナー(2006)
失敗しない分析技術の選び方 —物理・化学分析技術の基礎と応用—
平成18年10月26日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
(はじめに)物理・化学分析技術と結晶材料の評価
 小野 春彦 (NEC)
TEMによる結晶の欠陥及び構造評価
 酒井 朗 (名大)
XPSによる薄膜・界面の分析
 廣瀬 和之 (宇宙航空研究機構)
SIMS,TOF-SIMSを用いた表面評価技術
~失敗しない分析技術の選び方~

 永山 進 (ナノサイエンス)
結晶薄膜分析のためのX線応用技術
 稲葉 克彦 (リガク)
RBSによる薄膜分析 
 笹川 薫 (コベルコ科研)
走査プローブ顕微鏡による薄膜単結晶の評価
 寺山 剛司 (日本ビーコ)
失敗しない分析技術チュートリアル
~半導体レーザを例に~

 近藤 康洋 (NTT),五明 明子 (NEC)
 

第10回結晶工学セミナー(2005)
電気・光学測定技術の基礎と応用
平成17年11月14日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
巻頭言 
電気的結晶評価の基礎−電気特性評価から得られる物理現象−
 奥村 次徳 (首都大東京)
へテロ界面の電気的特性評価 −MOS界面評価を中心として−
 山部 紀久夫 (筑波大)
半導体結晶の光学的評価 −光学スペクトルから結晶を観る−
 中山 正昭 (大阪市大)
光デバイスの信頼性評価技術
 福田 光男 (豊橋技科大)
高精度半導体電気測定の実際 
 得納 幸史(アジレント・テクノロジー・インターナショナル)
高感度半導体光学測定の実際(赤外・ラマン分光等)
 大久保 優晴 (日本分光)
 

第9回結晶工学セミナー(2004)
失敗しない分析技術の選び方
平成16年10月27日 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
巻頭言 
薄膜結晶成長と分析技術の関わり
 藤崎 芳久 (日立中研)
TEMによる結晶の欠陥及び構造評価
 酒井 朗 (名大・院工)
分析TEMを用いたULSI材料の評価
 五十嵐 信行 (NECシステムデバイス研)
SIMSを用いた分析評価技術と最近の話題
−SIMSで失敗しないために−

 東條 二三代 (松下電器)
XRDやXRRを用いた薄膜分析
 斎藤 啓介 (ブルカーAXS)
RBSによる薄膜分析
 木村 健二 (京大・院工)
走査プローブ顕微鏡による薄膜結晶の評価
 市川 昌和 (東大・院工)
失敗しない分析技術チュートリアル
−半導体レーザとCMOSを例に−

 近藤 康洋 (NTTフォトニクス研)、田中 均 (富士通研)
 

第8回結晶工学セミナー(2003)
物質中単原子の制御・評価技術
平成15年10月21日 学習院創立百周年記念会館 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
巻頭言 
STMによる半導体の局所構造制御と原子レベル評価技術
 前田 康二 (東大工)
最先端HRTEMによる半導体中の不純物の原子レベルの評価技術 −TEMとSTEM−
 田中 信夫 (名大理工総研)
金属内包フラーレン・ピーポッド内単原子の観察
 末永 和知 (産総研)
不純物XAFS−特定原子の周辺構造を見る−
 竹田 美和 (名大工)
X線ホログラフィによる不純物・異種原子像の構築
 高橋 敏男 (東大物性研)
シングルイオン注入技術とその評価
 大泊 巌、品田 賢宏 (早大理工)
 

第7回結晶工学セミナー(2001)
結晶工学材料分析基礎講座 —失敗しない賢い分析技術の選び方 —
平成13年10月25日 学習院創立百周年記念会館 小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
電子顕微鏡による結晶構造解析の実際
 永田 文男 (日立サイエンス)
SIMS, TOF-SIMSによるナノメーター表面分析の可能性と限界
 鮫島 純一郎 (東レリサーチセンター)
蛍光X線分析法:分析結果の導き方から解釈まで
 水平 学、斎藤 啓介(日本フィリップス・アプリケーションラボラトリ)
XPSで何が分かり何が分からないか?
 藤崎 芳久 (東工大フロンティア研)
極表面分析データの精度と誤差に関する考察
 田中 彰博 (アルバック・ファイ)
 

第6回結晶工学セミナー(2000)
IT時代を支えるシリコンプロセス技術 ~PVDとCVD~
平成12年11月9日 学習院創立百周年記念会館3階 小講堂
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PVD法の特徴と応用
 水澤 寧 (アプライドマテリアルズジャパン)
PVD法による酸化物薄膜作製技術
~反応性スパッタリング法~

 草野 英二 (金沢工大)
ECRスパッタによる低ダメージ絶縁物の形成
 小野 俊郎 (NTT通信エネルギー研)
化学気相成長法の基礎
 吉田 明,若原 昭浩 (豊橋技科大)
CVD法によるSi系エピタキシャル薄膜の作製
 羽深 等 (横浜国大)
プラズマCVDによる絶縁物形成
 辰巳 徹 (NECシリコンシステム研)
 

第5回結晶工学セミナー(1999)
電気特性評価と結晶工学 ~電気特性評価で何がわかるか~
平成11年11月22日 学習院創立百周年記念会館小講堂
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イントロダクトリー ~電気特性評価から得られる物理現象~
 奥村 次徳 (都立大工)
M/S 界面の電気特性評価とその物理
 小出 康夫 (京大工)
MIS 構造の電気特性評価とその物理  
 山部 紀久夫 (筑波大物理工)
強誘電体薄膜の電気特性評価とその物理
 福田 幸夫、青木 克裕、迫田 智幸(テキサスインスツルメンツ)
走査型キャパシタンス顕微鏡(SCM)によるナノスケール電気特性評価
 中村 雅一 (東レリサーチセンター)
 

第4回結晶工学セミナー(1998)
Si系エコマテリアルの結晶工学
平成10年11月6日 学習院創立百周年記念会館3階 小講堂
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熱電変換の基礎と材料の選択
 太田 敏隆 (電総研)
Fe-Si系の結晶構造と電子エネルギー
 今井 庸司 (物質研)
環境半導体研究の国内外の現状と将来
—直接遷移型β-FeSi2/Siヘテロ構造による赤外光デバイスへのチャレンジ—

 三宅 潔 (日立電開本)、前田 佳均 (大阪府大総合科学)
高効率太陽電池用GeSi結晶の育成と素子プロセスの検討
 高野 幸男、加藤 伸二郎、堀越 崇、飯田 努 (東理大基礎工)
SiCデバイスによる電気自動車用パワーエレクトロニクスの新展開
 木下 繁則 (富士電気総研)
電力系統におけるパワーエレクトロニクス
—SiC素子への期待—

 泉 邦和 (電中研)
大口径SiCバルク単結晶成長
 大谷 昇、高橋 淳、勝野 正和、矢代 弘克、金谷 正敏 (新日鐵先端研)
 

第3回結晶工学セミナー(1997)
これから始めるナイトライド半導体
平成9年12月16日 お茶の水スクエアC館2F2号
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化合物半導体としてのナイトライド半導体
 吉田 貞史 (埼玉大工)
ナイトライド半導体の結晶とパンド構造
 上野山 雄、鈴木 政勝 (松下電器中央研)
ナイトライド半導体のつくりかた(1)ヘテロエピタキシー
 平松 和政 (三重大工)
窒化物半導体の作り方—気相成長—
 纐纈 明伯、関 壽 (東京農工大)
ナイトライド半導体のつくりかた(3)分子線エピタキシー
 朝日 一 (大阪大産研)
 

第2回結晶工学セミナー(1996)
ULSIのための微小領域評価技術
平成8年10月28日
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総論:ULSIにおける微小領域評価の課題
 小野 春彦 (NECマイクロエレ研)
赤外レーザーによるSi結晶中の微小欠陥評価
 中居 克彦 (新日鐵先端技術研)
微小領域の不純物分析
 本間 芳和 (NTT基礎技術総合研)、黒沢 賢、藪本 周邦、鈴木 峰晴(NTT-AT材料開発&分析センタ)
TEM/AEMを用いた半導体特定部位の評価
 川瀬 昇、大塚 祐二、村田 幸夫 (東レリサーチセンター)
複合顕微鏡SCaM/STM/AFMによる半導体ナノ領域の局所的電気特性評価
 八百 隆文 (東北大金研)
OBICを用いた配線金属の欠陥評価
 福本 晃二、小山 徹、池野 昌彦、小山 浩 (三菱電気ULSI開発研)
 

第1回結晶工学セミナー(1995)
次世代のエピ/CVD技術を目指して
平成7年12月22日
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エピ/CVD技術が切り開くG-bit、G-Hzテクノロジー
 辰巳 徹 (NECマイクロエレ研)
原子レべルでの結晶成長
—その場測定を中心にして—

 纐纈 明伯 (農工大工)
CVDのメカニズムを探る
 真下 正夫 (東芝研究開発セ)
半導体の電子状態計算と物質設計への道
 吉田 博 (東北大理)
 

© 2018 応用物理学会結晶工学分科会