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シンポジウム

第2回シンポジウム(1985.7)
半導体材料のOMVPE
昭和60年7月19日
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減圧MOCVDによる高品質ZnSeの成長
　吉川 明彦、田中 敬二、鬼山 英幸、山賀 重來、葛西 晴雄 (千葉大工)
四重極質量分析計によるGaAs減圧OMVPEのガス分析
　堀口 青史、木村 康三、高岸 成典、香門 浩一、三原 稔、石井 恂 (光共研)
減圧OMVPEによるGaAs, AlGaAsの選択成長
　香門 浩一、高岸 成典、木村 康三、嶋津 充、三原 稔、石井 恂 (光共研)
MOCVD GaAsのノンストイキオメトリーとDeep Levelの関係
　藤崎 芳久、高野 幸男、石場 努 (日立中研)、坂口 春典、小野 祐ー (日立電線)
薄膜成長技術としてのMOCVD
　高構 清 (東工大工)
MOCVD:ヘテロ成長と極薄膜成長
　森 芳文 (ソニー中研)
エチル系MOCVD AlGaAs/GaAs成長および2DEGFET
　高梨 良文、小林 直樹 (武蔵野通研)
LP-MOCVD InGaP/GaAsのPL特性
　大場 康夫、山本 基幸、岩本 正巳、中西 隆敏(東芝総研)
MOCVD InGaAsP/InP MQW構造の作製
　森崎元司、吉岡芳明※、小倉基次(松下中研・松下テクノリサーチ※)
GaInAs/InPヘテロ構造のMOCVD成長
　福井 孝志、斎藤 久夫、山田 省二 (武蔵野通研)
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第3回シンポジウム(1986.7)
II-VI族化合物の結晶成長と評価
昭和61年7月18日 学習院大学百年記念会館小講堂
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ワイドギャップII-VI族化合物の現状と将来 (招待講演)
　柊元 宏 (東工大)
蒸気圧制御温度差法によるZnSeの結晶成長とpn接合 (招待講演)
　奥野 保男 (半研)、須藤 建 (東北大)
マイクロ波および遠赤外レーザー磁気光共鳴吸収からみたZnSeの結晶評価
　榊原 清彦、大山 忠司、大塚 穎三 (阪大)、一色 実、増本 剛 (東北大)
ZnSeの減圧気相成長と評価
　松本 俊、吉田 茂樹、小林 宣夫、飯島 髙行、石田哲朗 (山梨大)
減圧MOCVD法によるZnSの欠陥評価とヨウ素添加効果
　川上 養一、田口 常正、平木 昭夫 (阪大)
水素ラジカルCVD法によるZnSe薄膜の作製と評価
　小田 俊理、佐藤 恒夫、清水 勇 (東工大)、川瀬 龍一、小門 宏 (総理工)
MOCVD法によるGaAs上ZnSe初期成長過程と界面特性
　末宗 幾夫、大観 光徳、神田 隆司、行武 和俊、山西 正道 (広島大)
DEZ供給律速条件下での高品質ZnSeのMOVPE成長
　柴田 典義、前佛 栄 (NTT)
ZnSe, ZnS Se混晶のMOCVD成長
　別府 達郎 (東芝)
MBE法によるZnSeのエピタキシャル成長とドーピング
　三露 常男、大川 和宏、山崎 攻 (松下)
格子整合混晶ZnSxSe1-xのMBE成長
　松村 信男、石川 克也、更家 淳司、淀川 寛(京都工繊大)
ZnSe/GaAs界面の歪
　八百 隆文、岡田 安正 (電総研)、松井 進、石田 興太郎 (東理大)
MBE，MOMBE法によるII-VI族化合物半導体歪超格子
　安藤 秀泰、大家 彰、小林 正和、木村 龍平、小長井 誠、高橋 清 (東工大)
まとめ
　藤田 茂夫 (京大)
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第4回シンポジウム(1987.7)
ヘテロエピタキシー—界面の結晶工学—
昭和62年7月17日 学習院大学百年記念会館小講堂
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GaAs on Siの初期成長過程 (招待講演)
　川辺 光央、高杉 英利 (筑波大物質工)、上田 登志雄、横山 新、板東 義雄 (無機材研)
Si(100)表面の熱処理による構造変化
　井上 直久 (NTT厚木研)、谷城 康眞、八木 克道 (東工大理)
GaAs on SiのRBSによる評価
　大山秀明 (東理大理)、成沢 忠、中島 尚男 (光共研)
GaAs/GaP，GaP/GaAsヘテロ成長初期過程
　野村 卓志、宮尾 正大、石川 賢司、鈴木 佳子、萩野 實 (静大電子研)
MBE法によるSi(100)上へのGeヘテロエピタキシャル成長
　川上 和人、倉門 雅彦、梶山 健二 (新日鉄第1技研)
MBE成長Si1-xGex/Siの臨界膜厚と格子緩和
　福田 幸夫、小濱 剛孝、関 昌浩 (NTT通研)
SOSヘテロエピタキシャル成長における界面制御
　石田 誠、中村 哲郎 (豊橋技科大)、安田 幸夫 (名大工)
MOVPE法によるα-Al2O3上へのGa1-xAlxN（O≦X≦1)の成長と物性
　天野 浩、小出 康夫、服部 克己、平松 和政、澤木 宜彦、赤崎 勇 (名大工)、真部 勝英 (豊田合成)
(Ca,Sr)F2(100)膜上に成長したGaAs中のアンチフェーズ欠陥に対する4回対称微小ファセットによる発生モデル
　筒井 一生、浅野 種正、石原 宏、古川 静二郎 (東工大総理工)
ガスソースMBE法によるZnSの成長とその結晶評価
　金田 重男、鹿野 文久、下口 剛史、高橋 浩信(長岡技科大)、横山 明聡、佐藤 修治 (日本精機)
歪超格子層を導入したZnSe/ZnS MOVPEヘテロエピタキシー
　横川 俊哉、小倉 墓次、梶原 孝生 (松下電産)
エピタキシャル膜中の歪測定
　伊藤 進夫、岡本 啓一 (阪府大工)
エピタキシャルCdTb層のInSb基板面方位依存性定
　西村 良樹、井村 鍵、大坂 之雄 (広大工)
Cr発光線によるZnSxSe1-x/GaAsヘテロ界面の評価
　戸波 与之、西野 種夫、浜川 圭弘 (阪大基礎工)、藤田 茂夫 (京大工)
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第5回シンポジウム(1988.7)
16Mビット時代の結晶工学—新しいシリコン技術の諸問題—
昭和63年7月15日 学習院大学創立百周年記念会館小講堂
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超LSI時代のシリコン結晶技術 (招待講演)
　渡辺正晴 (東芝)
Si中のFeおよび軽元素の挙動
　伊藤 泰蔵、阿部 孝夫 (信越半導体)
Si中のBMD (酸素体内微小析出欠陥）の適正化—特に、サイズについて—
　鹿島 一日児、鈴木 修、竹田 隆二、 栗原 誠司、桐野 好生、高須 新一郎 (東芝セラミックス)
CZシリコン中の欠陥核形成
　島貫 康、降屋 久、山下 一郎 (三菱金属)
シリコン中の格子間型酸素に起因する赤外吸収—分子軌道法による計算—
　金田 千穂子、大沢 昭 (富士通研)， 金田 寛 (富士通)
シリコン結晶中およびシリコン表面の酸素原子の安定位置と電子状態
　押山 淳、宮本 良之、石谷 明彦 (日電基礎研)， 斉藤 峯雄 (日電技術情報システム開発)
シリコン選択エピタキシャル成長技術の現状と超LSIへの応用
　石谷 明彦、高田 俊和、北島 洋、大下 祥雄 (日本電気基礎研)、遠藤 伸裕、笠井 直記 (マイクロエレクトロニクス研)
シリコンウェハ直換接合
　古川 和由、丹沢 勝二郎、中川 明夫、大浦 純一 (東芝)
ウェーハ張り合わせ技術によるSOI
　有本 由弘、尾開 雅志 (富士通研)、 後藤 寛、上野 勝信、今岡 和典 (富士通)
集束イオンビーム誘起固相成長によるSOI形成
　金丸 正剛、金山 敏彦、田上 尚男、小室 昌徳(電総研)
断面TEMを用いたSOI基板構造の結晶評価
　宮武 浩、山口 泰男、益子 洋治、西村 正、小山 浩 (三菱電線LSI研)
断面TEM法によるAsイオン注入損傷と二次欠陥の評価
　青木 茂、高野 幸男 (日立中研)
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第6回シンポジウム(1989.7)
Si-Ge系エピタキシー技術
平成元年7月18日 学習院大学創立百周年記念会館小講堂
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Introductory
(Si)m/(Ge)n歪み超格子の電子構造計算
　池田 稔 (富士通厚木研)、寺倉 清之 (東大物性研)、小口 多美夫 (金属材料技研)
Ge/Si歪超格子のER、PRによる評価
　浅見 久美子、権田 俊一 (阪大産研)、坂本 統徳、坂本 邦博、三木 一司 (電総研)
MBEによるGe/Si(001)ヘテロエピタキシ
　三木 一司、坂本 統徳、坂本 邦博、奥村 元、吉田 貞史 (電総研)
シリコン基板上のへテロエピタクシー：Ge/Si(001)&(111)　(招待講演）
　高柳 邦夫 (東工大総理工)
Si(100)−2x1面上へのGeのMBE成長
　飛田 雄弘、松原 俊夫、尾畑 洋、丹保 豊和、 上羽 弘、龍山 智栄 (富山大工)
RHEED, AESラマン分光によるGe/Si構造の熱的安定性の評価
　中村 友二、清水 紀嘉 (富士通厚木研)
SiGeのへテロエピタキシとミスフイット転位の形成機構
　福田 幸夫、小濱 剛孝、大町 督郎 (NTT電子応用研)
MBE法で形成したSi1-xGex/Siの歪みと基板面方位依存性
　江藤 浩幸、村上 幸一、石坂 彰利、嶋田 寿一、 宮尾 正信 (日立中研)
yo-yo溶質供給法による厚いGeSi混晶層の成長
　助川 徳三、伊澤 誠、山下 和昭、 勝野 広宣、木村 雅和、田中 昭 (静大電子研)
SiMBEによるGexSi1-xHBTの試作
　辰巳 徹、平山 博之、柏崎 尚昭 (日電基礎研)
p-Si1-xGexMBE膜/Sisub界面のキャリア濃度分布とその基板処理依存性
　金谷 宏行、重川 秀実、長谷川 文夫 (筑波大物質工学系)山香 英三 (筑波技術短大)
SiCの低温成長
　杉井 寿博、袋田 淳史、伊藤 隆司 (富士通研)
Si(111)上のGaAs薄膜成長
　菊田 邦子、吉川 公麿 (日本電気マイクロエレ研)
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第7回シンポジウム(1990.7)
ULSIにおける結晶工学
平成2年7月26日 学習院大学創立百周年記念会館小講堂
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高分解能TEMによるSi-SiO2界面の観察
　飯島 澄男 (NEC)
HRTEM像と光回折像から推定されるSiO2/(001)Si界面の凹凸の大きさ
　赤津 浩之、角 康之、大泊 巌 (早大)
急速熱処理により形成した極薄SiO2膜のSiO2/Si(100)界面構造
　福田 永 (沖電気)
Siウェハ表面の凹凸によるMOS酸化膜の信頼性の低下
　中西 俊郎、岸井 貞浩、大沢 昭 (富士通)
招待講演:超LSIの展望と期待
　垂井 康夫 (農工大)
レーザラマン分光法による多結晶シリコン薄膜の評価
　河田 将大、河東田 隆 (東大)、灘原 壮一、塩澤 順一、渡辺 正晴 (東芝)
酸化膜耐圧の優れたCZシリコン単結晶
　日月 應治、左近 正 (新日鐵)、金子 高之 (ニッテツ電子)
フッ酸処理Si表面の自然酸化膜抑制と低温エピ成長の結晶性
　井上 洋典、宮内 昭浩、秋山 幹夫、鈴木 誉也(日立)
CVD法によるSi上へのGeのエピタキシャル成長過程
　室田 淳一、小林 信一、加藤 学、御小柴 宣夫、小野 昭一 (東北大)
低速電子透過分光によるAl/Si(l11)界面の評価
　長谷川 繁彦、松田 好正、李 成泰、中島 尚男(阪大)
a-Si/Si(111)界面に局在するB√3構造の電気伝導
　辰巳 徹、新野 多恵子、平山 博之、広沢 一郎、水木 純一郎 (NEC)
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第8回シンポジウム(1991.7)
ダイヤモンド薄膜の成長と評価
平成3年7月22日 学習院大学創立百周年記念会館小講堂
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ダイヤモンド薄膜の気相成長とエピタクシー
　犬塚 直夫 (青学大)
高周波プラズマCVD法によるFe/Si基板上でのダイヤモンドの合成
　島田 義人、六倉 信喜、町 好雄 (東京電機大)
ダィヤモンドの核生成機構
　湯郷 成美、金井 尚、木村 忠正 (電通大)
半導体ダイヤモンド薄膜からの励起子発光
　川原田 洋 (早大)、平木 昭夫 (阪大)
DCプラズマCVD法によりAl基板上に作成したダイヤモンド膜の成長過程
　野田 三善男、生田 敬之 (東京農工大)、谷口 一哉、中尾 節男、丸野 重雄 (名工大)
固体NMRによる合成ダイヤモンドの評価
　柳下 皓男 (富士通研)
CVD成長したダイヤモンド表面の大気中STM観察
　築野 孝、今井 貴浩、西林 良樹、浜田 耕太郎、藤森 直治 (住友電工)
気相合成ダイヤモンド多結晶薄膜の電気伝導特性
　武藤 泰明、杉野 隆、白藤 純嗣 (阪大)、小橋 宏司 (神戸製鋼)
熱フィラメントCVD法によるダイヤモンド膜の成長と電子デバイスへの応用
　飯田 昌盛、黒須 楯生、秋葉 幸男、岡野 健(東海大)
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第9回シンポジウム(1992.7)
可視発光Siの作製と評価
平成4年7月24日 学習院大学創立百周年記念会館小講堂
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多孔質シリコンの結晶性と発光特性 (招待講演）
　竹本 邦子、入戸野 修 (東工大)
イオン照射・フッ酸処理したシリコンからの可視光発光
　落合 幸徳、望月 康則、市橋 鋭也、大久保 紀雄、小野 春彦、木村 滋、渡部 平司、馬場 雅和、松井 真二 (日電)
陽極化成Siの熱処理による徴処理による徴構造変化
　木藤 泰男、R. Kumar、犬塚 肇、原 邦彦 (日本電装)
ナノ結晶Geの可視波長フォトルミネセンス
　金光 義彦 (筑波大)
多孔質シリコンの可視発光と研究の現状(招待構演)
　越田 信義、小山 英樹 (東京農工大)
多孔質Siの発光機構と1次元励起子効果
　大野 隆央、白石 賢二、小川 哲生 (日本電信電話)
陽極化成Siの発光領域並びに発光機構の検討
　野口 展明、末宗 幾夫、山西 正道 (広島大)、大塚 信雄、華 国春 (パデュー大)
多孔質Siの発光の時間分解スぺクトルと発光機構の検討
　三好 正毅 (山口大)、Kyu-Seok Lee、青柳 克信 (理研)
ポーラスシリコンのピコ秒緩和ダイナミックス
　松本 貴裕、二木 登史郎、三村 秀典 (新日鐵)、金光 義彦 (筑波大)
Siクラスターの光物性:Siナノ構造の発光メカニズム
　金光 義彦 (筑波大)
ポーラスSiのフォトルミネセンスの温度変化および劣化と回復
　藤原 康文、西谷 輝、中田 博保、大山 忠司、大塚 穎三 (阪大)
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第10回シンポジウム(1994.7)
シリコン基板上化合物半導体とデバイス
平成6年7月8日 機械振興会館6F 66号
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光インターコネクションを有するLSIとマイクロシステムインテグレーション
　小柳 光正 (東北大工)
GaAs/Si:初期過程における2D-3D状態(Si表面との関連、表面張力からの考察)
　太刀川 正美、森 英史 (NTT光エレ研)
Si(001)面上のGeのStranski-Krastanov成長におけるアイランド化機構
　酒井 朗、辰巳 徹(NECマイクロエレクトロニクス研)
Si基板上GaAs初期状態に及ぼす基板面方位の効果
　淀 徳男、田村 誠男、斉藤 徹、ジョイス・パ一マー(光技研)
GaAs-on-Siにおける歪短周期超格子の挿入による貫通転位の発生の抑制
　高大 康文、米津 宏雄、林田 圭司、左文字 克哉、大島 直樹、朴 康司 (豊橋技科大)
不整合転位密度の制御によるGaAs/Siの応力低減
　浅井 孝祐、片浜 久、柴 育成 (住友金属工業)
InP/Si直接接合の熱処理温度依存性
　和田 浩、上条 健 (RWCP・沖電気光沖研)
Si基板上化合物半導体を用いた光・電子デバイス
　梅野 正義、神保 孝志、江川 孝志 (名工大)
Si上InGaAs系MSMフォトダイオード
　佐々木 徹、太刀川 正美、須郷 満、森 英史(NTT光エレ研)、榎木 孝知 (LSI研)
HEMT on Si技術の現状
　大堀 達也、未廣 晴彦、恵下 隆、河西 和美、米野 純次 (富士通研)
HEMT/SiのVth均一性と高周波特性
　藍郷 崇、森谷 明弘 (新日鉄エレ研)
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第11回シンポジウム(1995.7)
酸化物薄膜の結晶工学　—強誘電体メモリ、光ICなど新しいデバイスのためのキーマテリアルとして—
平成7年7月3日 学習院大学創立百周年記念会館小講堂
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強誘電体薄膜とエレクトロニクス応用
　川合 知二 (阪大産研)
高周波マグネトロンスパッタリング装置による高配向MgO薄膜の成膜
　三崎 幸典、三河 通男 (詫間電波高専)，濱崎 勝義 (長岡技科大)
レーザアブレ一ション法による半導体基板上でのMgOバッファ層を介した高配向PZT薄膜の成長
　米津 保人 (石川県工業試験場)， 増田 淳、山中 康弘、田添 光俊、森本 章治、清水 立生 (金沢大工)
レーザーMBE法によるぺロブスカイト酸化物薄膜の2次元エピタキシャル成長
　鯉沼 秀臣、吉本 護、川崎 雅司(東工大工材研)
パルスレーザ蒸着法による導電性べロブスカイト酸化物薄膜の作製
　平谷 正彦、今川 一重、高木 一正 (日立中研)
強誘電体材料とメモリデバイス応用
　國尾 武光 (日電マイクロエレ研)
DRAM用SrTiO3薄膜のCVD
　清利 正弘、今井 馨太郎、江口 和弘(東芝R&DセンターULSI研)
酸化物チャネルを用いた電界効果型トランジスタ
　吉田 晃、波頭 経裕、高内 英規、藤巻 則夫、横山 直樹 (富士通)，田村 泰孝、後藤 公太郎、吉田 親子 (富士通研)
全ぺロブスカイト強誘電/半導体構造によるメモリー性FET等
　渡部 行男 (三菱化学横浜総研)
SHG用ニオブ酸リチウム周期分極反転構造の作製の検討
　山田 正裕、名田 直司、小川 剛、山口 恭司、斉藤 真樹 (ソニー中研)
電気光学材料のICテスティングへの応用
　永妻 忠夫 (NTTLSI研)
高速イオン散乱法による酸化物薄膜の評価
　綿森 道夫、尾浦 憲治郎 (阪大工)
歪イメージングによるPZT薄膜の観察
　高田啓二 (日立基礎研)
 
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