| 1 |
14:00～14:05 |
はじめに-シンポジウムの主旨 |
小野 春彦 (NEC) |
| 2 |
14:05～14:25 |
窒素添加アニールウエハの品質設計と大口径化への課題 |
碇 敦 (ワッカーNSCE) |
| 3 |
14:25～14:55 |
赤外吸収法で観測したCZシリコン中の窒素関連欠陥の熱的挙動 |
棚橋 克人 (富士通) |
| 4 |
14:55～15:25 |
窒素と窒素関連欠陥の電子状態 |
末沢 正志 (東北大) |
| 5 |
15:25～15:55 |
置換型窒素の形態と挙動 |
村上 浩一 (筑波大) |
| 15:55～16:10 |
休憩
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| 6 |
16:10～16:40 |
窒素関連欠陥の赤外吸収と窒素濃度定量 |
井上 直久 (大阪府大先端研) |
| 7 |
16:40～17:10 |
シリコン結晶のGrown-in欠陥に及ぼす窒素の効果 |
中村 浩三 (コマツ) |
| 8 |
17:10～17:40 |
窒素添加がgrown-in欠陥、酸素析出に与える影響 |
末岡 浩治 (SUMCO) |
| 9 |
17:40～18:10 |
窒素・炭素添加によるCZ-Si結晶中の酸素析出の制御 |
中居 克彦 (ワッカーNSCE) |
| 10 |
18:10～18:20 |
まとめ |
金田 寛 (富士通研) |
