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応用物理学会でのシンポジウム・スクール
■2002年秋季第63回応用物理学会学術講演会でのシンポジウム■
窒素添加300mmシリコン基板
平成14年9月25日
新潟大学

次世代のLSIに必須の300mmシリコンウエーハでは、「点欠陥制御」と「酸素析出促進」という二つの側面から、窒素添加シリコンが検討されている。シリコン結晶中の窒素の形態と挙動、ならびに点欠陥や酸素析出の制御に関し、これまで精力的に研究されてきた方々にこれまでの成果と今後の課題を整理していただき、この分野の活性化に資するため、シンポジウムを開催します。

1 14:00~14:05 はじめに-シンポジウムの主旨 小野 春彦 (NEC)
2 14:05~14:25 窒素添加アニールウエハの品質設計と大口径化への課題 碇 敦 (ワッカーNSCE)
3 14:25~14:55 赤外吸収法で観測したCZシリコン中の窒素関連欠陥の熱的挙動 棚橋 克人 (富士通)
4 14:55~15:25 窒素と窒素関連欠陥の電子状態 末沢 正志 (東北大)
5 15:25~15:55 置換型窒素の形態と挙動 村上 浩一 (筑波大)
      15:55~16:10 休憩
6 16:10~16:40 窒素関連欠陥の赤外吸収と窒素濃度定量 井上 直久 (大阪府大先端研)
7 16:40~17:10 シリコン結晶のGrown-in欠陥に及ぼす窒素の効果 中村 浩三 (コマツ)
8 17:10~17:40 窒素添加がgrown-in欠陥、酸素析出に与える影響 末岡 浩治 (SUMCO)
9 17:40~18:10 窒素・炭素添加によるCZ-Si結晶中の酸素析出の制御 中居 克彦 (ワッカーNSCE)
10 18:10~18:20 まとめ 金田 寛 (富士通研)
 

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