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応用物理学会でのシンポジウム・スクール |
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■2003年春季第50回応用物理学関係連合講演会でのシンポジウム■
デバイスの微細化に伴いプロセス温度も全般的に低温化してきている．このような状況に対応するため，シリコンウェーハの欠陥制御技術，特にゲッタリング技術の革新が必要となる．低温プロセスにおいても効率良くゲッタリング能力を発揮できるようにするため，結晶そのもののデザイン（不純物ドーピングと熱履歴最適化）とプロセスにおける欠陥形成（消滅）制御技術が重要視される．本シンポジウムは，このような問題を実用技術研究と関連基礎研究の両面から議論する
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13:00～13:25 |
次世代高ゲッタリング能力エピウエーハ |
棚橋 克人 (富士通研) |
| 2 |
13:25～13:50 |
次世代メモリの熱プロセスと基板技術 |
堀川 貢弘 (エルピーダメモリ) |
| 3 |
13:50～14:15 |
半導体製造プロセスにおける微量金属汚染評価と対策 |
服部 信美 (三菱電機) |
| 4 |
14:15～14:40 |
低温プロセスに適した高ゲッタリング能ウエハ |
太田 泰光 (ワッカーNSCE) |
| 5 |
14:40～15:05 |
低温プロセスにおける不純物ゲッタリング |
末岡 浩治 (三菱住友シリコン) |
| 15:05～15:20 |
休憩
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| 6 |
15:20～15:45 |
窒素ドープCZシリコン結晶におけるas-grown結晶欠陥の特徴と挙動 |
鹿島 一日児 (東芝セラミックス) |
| 7 |
15:45～16:10 |
メスバウア分光で見た1273K付近のシリコン中のFe不純物の状態と挙動 |
吉田 豊 (静岡理工科大) |
| 8 |
16:10～16:35 |
Si中のサーマルドナーの形成･消滅とそれに及ぼす炭素の効果 |
上浦 洋一 (岡山大) |
| 9 |
16:35～17:00 |
Defect reactions in Si at below 500℃ studied by ESR |
T. Mtchedlidze (東北大金研) |
| 10 |
17:00～17:30 |
総括:問題点の整理と今後の課題 |
角野 浩二 (東北大) |
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