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応用物理学会でのシンポジウム・スクール |
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■2004年秋季第65回応用物理学会学術講演会でのシンポジウム■
Si結晶中の不純物拡散の制御とその物理
-次世代LSIプロセス技術の確立へ向けて- |
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最先端(あるいは次世代)LSIのプロセス・デバイスの開発では、ナノスケールでの不純物拡散制御技術の確立が重要である。今回特に、次世代LSIに必須の重金属ゲッタリングと極浅接合形成
に主題を置き、不純物拡散制御技術の現状と課題、並びに新しい拡散制御技術を紹介頂き、開発の最先端で直面する「Si結晶中の不純物拡散」に関するtechnologyとphysicsを議論する。
| 1 |
13:00～13:10 |
イントロダクトリー･トーク |
小野 春彦 (JFCC) |
| 2 |
13:10～13:40 |
次世代LSIにおける重金属汚染制御とデバイス特性 |
朴澤 一幸 (日立中研) |
| 3 |
13:40～14:10 |
低温プロセスに適した重金属ゲッタリング技術 |
石坂 和紀，太田 泰光，二木 登史郎，碇 敦 (シルトロニック) |
| 4 |
14:10～14:40 |
シリコン結晶中の不純物原子の拡散機構 |
吉田 博，道北 俊行，白井 光雲 (阪大産研) |
| 5 |
14:40～15:10 |
次世代LOGIC用トランジスタのための浅接合形成技術 |
須黒 恭一 (東芝プロセス技術推進セ) |
| 15:10～15:25 |
休憩
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| 6 |
15:25～15:55 |
イオン注入における不純物拡散現象のモデリング |
鈴木 邦広 (富士通研) |
| 7 |
15:55～16:25 |
電子線ホログラフィによる極微量不純物分布の観察 |
福永 啓一 (JFCC) |
| 8 |
16:25～16:55 |
不純物の原子スケール制御とシングルイオン注入 |
大泊 巌，品田 賢宏 (早大理工) |
| 9 |
16:55～17:25 |
共鳴光励起を利用したナノスケール新不純物拡散技術 |
金田 寛，棚橋克人，高橋英樹 (富士通研) |
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