| 1 |
13:30～13:35 |
はじめに |
酒井 朗 (名大工) |
| 2 |
13:35～14:10 |
超高圧電子線トモグラフィーによるLSIデバイスの立体構造解析 |
鷹岡 昭夫1，吉田 清和1，朝山 匡一郎2，小笠原 光雄3，富田 正弘4，森 博太郎1 (阪大超高圧電顕セ1，ルネサステクノロジ2，日立サイエンス3，日立ハイテク4) |
| 3 |
14:10～14:45 |
電子線ホログラフィーによる半導体内ドーパントプロファイル解析 |
平山 司 (ファインセラミックスセ) |
| 4 |
14:45～15:20 |
収差補正TEMによる半導体界面微細構造の観察 |
田中 信夫 (名大エコトピア科研) |
| 5 |
15:20～15:55 |
超高圧電子顕微鏡・分析電子顕微鏡による半導体材料の解析 |
桑野 範之 (九大産学連携セ) |
| 15:55～16:10 |
休憩
|
| 6 |
16:10～16:45 |
TEM-EELSによる半導体デバイスの解析技術 |
朝山 匡一郎，荒川 史子，橋川 直人，矢野 史子 (ルネサス)・寺田 尚平 (日立日立研) |
| 7 |
16:45～17:20 |
STEM-CBEDによる半導体デバイスの応力解析 |
添田 武志 (富士通研) |
| 8 |
17:20～17:55 |
High-k絶縁膜のバンドギャップのSTEM-EELS分析 |
五十嵐 信行，間部 謙三，高橋 健介 (NECシステムデバイス研) |
| 9 |
17:55～18:05 |
まとめ |
柿林 博司 (日立中研) |
