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応用物理学会でのシンポジウム・スクール
■2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会でのシンポジウム■
最先端電子顕微鏡でここまでわかる
    -結晶・デバイス開発とナノスケール分析評価-
平成17年9月8日
徳島大学


1 13:30~13:35 はじめに 酒井 朗 (名大工)
2 13:35~14:10 超高圧電子線トモグラフィーによるLSIデバイスの立体構造解析 鷹岡 昭夫1,吉田 清和1,朝山 匡一郎2,小笠原 光雄3,富田 正弘4,森 博太郎1 (阪大超高圧電顕セ1,ルネサステクノロジ2,日立サイエンス3,日立ハイテク4)
3 14:10~14:45 電子線ホログラフィーによる半導体内ドーパントプロファイル解析 平山 司 (ファインセラミックスセ)
4 14:45~15:20 収差補正TEMによる半導体界面微細構造の観察 田中 信夫 (名大エコトピア科研)
5 15:20~15:55 超高圧電子顕微鏡・分析電子顕微鏡による半導体材料の解析 桑野 範之 (九大産学連携セ)
      15:55~16:10 休憩
6 16:10~16:45 TEM-EELSによる半導体デバイスの解析技術 朝山 匡一郎,荒川 史子,橋川 直人,矢野 史子 (ルネサス)・寺田 尚平 (日立日立研)
7 16:45~17:20 STEM-CBEDによる半導体デバイスの応力解析 添田 武志 (富士通研)
8 17:20~17:55 High-k絶縁膜のバンドギャップのSTEM-EELS分析 五十嵐 信行,間部 謙三,高橋 健介 (NECシステムデバイス研)
9 17:55~18:05 まとめ 柿林 博司 (日立中研)

結晶工学分科会、日本顕微鏡学会共同企画
 

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