| 1 |
13:00～13:05 |
はじめに |
小野 春彦 (JFCC) |
| 2 |
13:05～13:35 |
次世代シリコン集積回路に求められる新構造デバイス技術 |
遠藤 哲郎 (東北大通研)・大塚 文雄，奈良 安雄，安平 光雄，有門 経敏 (Selete) |
| 3 |
13:35～14:05 |
SOI構造を用いたSiマルチドット単電子トンネルFET |
田部 道晴1，ラトノヌルヤディ1，石川 靖彦2，池田 浩也1(静大電子研1，東大工2) |
| 4 |
14:05～14:35 |
高速LSI用歪Si基板の開発 |
泉妻 宏治，高野 英明，仙田 剛士，豊田 英二，本臼 正周 (東芝セラミックス) |
| 5 |
14:35～15:05 |
SiGe/Si、Ge/Si系ヘテロエピタキシャル薄膜結晶における歪と転位の評価と制御 |
酒井 朗，財満 鎭明 (名大工) |
| 15:05～15:20 |
休 憩
|
| 6 |
15:20～15:50 |
STEM/CBEDによる歪み・応力の局所分析 |
添田 武志 (富士通研) |
| 7 |
15:50～16:20 |
SOIおよび歪Si基板技術の動向と評価技術 |
小椋 厚志 (明大理工) |
| 8 |
16:20～16:50 |
完全空乏型SOIによる省電力LSI開発の現状と展望 |
井田 次郎 (沖電気) |
| 9 |
16:50～17:20 |
SPring-8高平行X線マイクロビームによるSOI/ウエーハの結晶性評価 |
松井 純爾 (兵庫県立先端科技セ) |
| 10 |
17:20～17:50 |
高速/低消費電力CMOSのための基板・デバイス・プロセス技術 |
高木 信一 (東大新領域) |
