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応用物理学会でのシンポジウム・スクール
■2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会でのシンポジウム■
超高速・低消費電力トランジスタを実現する結晶材料・プロセス・デバイス技術
平成18年3月24日
武蔵工業大学 世田谷キャンパス

次世代ULSIの開発に向けて、超高速かつ低消費電力を実現するためのブレークスルーが求められている。SOIや歪シリコンなど、結晶材料をキーテクノロジーとする新プロセス技術を主軸に、基板からプロセス、デバイスまでを俯瞰し、歪み・応力、結晶欠陥、不純物等の結晶特性とデバイス特性との関係についての理解を深め、技術上の課題を明らかにすることを目的とする。

1 13:00~13:05 はじめに 小野 春彦 (JFCC)
2 13:05~13:35 次世代シリコン集積回路に求められる新構造デバイス技術 遠藤 哲郎 (東北大通研)・大塚 文雄,奈良 安雄,安平 光雄,有門 経敏 (Selete)
3 13:35~14:05 SOI構造を用いたSiマルチドット単電子トンネルFET 田部 道晴1,ラトノヌルヤディ1,石川 靖彦2,池田 浩也1(静大電子研1,東大工2)
4 14:05~14:35 高速LSI用歪Si基板の開発 泉妻 宏治,高野 英明,仙田 剛士,豊田 英二,本臼 正周 (東芝セラミックス)
5 14:35~15:05 SiGe/Si、Ge/Si系ヘテロエピタキシャル薄膜結晶における歪と転位の評価と制御 酒井 朗,財満 鎭明 (名大工)
      15:05~15:20 休 憩
6 15:20~15:50 STEM/CBEDによる歪み・応力の局所分析 添田 武志 (富士通研)
7 15:50~16:20 SOIおよび歪Si基板技術の動向と評価技術 小椋 厚志 (明大理工)
8 16:20~16:50 完全空乏型SOIによる省電力LSI開発の現状と展望 井田 次郎 (沖電気)
9 16:50~17:20 SPring-8高平行X線マイクロビームによるSOI/ウエーハの結晶性評価 松井 純爾 (兵庫県立先端科技セ)
10 17:20~17:50 高速/低消費電力CMOSのための基板・デバイス・プロセス技術 高木 信一 (東大新領域)

結晶工学分科会、シリコンテクノロジー分科会共同企画
 

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