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応用物理学会でのシンポジウム・スクール
■2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会でのシンポジウム■
窒化物半導体を用いた短波長発光デバイス
平成18年8月31日
立命館大学
びわこ・くさつキャンパス

GaN系化合物半導体を用いた青色LEDや青紫色レーザは近年急激に進展し、交通信号機、大画面ディスプレイ、携帯電話のバックライト、次世代DVD用光源に実用化されている。さらに、高効率白色LEDや高密度青紫色レーザ、その他の産業用レーザなどの新規用途への展開を目指して、短波長発光デバイスの研究が多くの研究機関で活発に行われている。短波長光デバイスの大きな課題は、組成変調効果の低減により結晶中の転位を受け易くなり、発光出力が急激に低下することである。そのため結晶欠陥低減などの結晶品質改善が求められている。 本シンポジウムでは、窒化物半導体を用いた短波長光デバイスの実用化や新用途展開のために重要となる、GaN系化合物半導体の高品質結晶をもたらす結晶成長技術、デバイス構造を中心に議論し、技術上の課題を明らかにすることを目的としている。

1 13:40~13:45 はじめに 國里 竜也 (三洋電機)
2 13:45~14:15 紫外発光素子の開発 天野 浩 (名城大)
3 14:15~14:45 非極性面GaN系量子井戸構造およびLEDの光学的特性 秩父 重明 (筑波大)
4 14:45~15:15 InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの開発 平山 秀樹 (理研)
5 15:15~15:45 GaN量子ドット紫外発光デバイス 田中 悟 (北大)
      15:45~16:00 休 憩
6 16:00~16:30 窒化物系半導体量子ドットによる短波長単一光子発生デバイス 荒川 泰彦、加古 敏、有田 宗貴 (東大)
7 16:30~17:00 ナノコラムGaNを用いた発光デバイス 岸野 克巳、菊池 昭彦 (上智大)
8 17:00~17:30 青紫色半導体レーザ 長浜 慎一 (日亜化学)
9 17:30~18:00 窒化アルミニウム遠紫外(波長210nm)発光ダイオード 谷保 芳孝、嘉数 誠、牧本 俊樹 (NTT)
 

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