| 1 |
13:35～13:40 |
はじめに：シンクロトン放射光の結晶工学への応用 |
水野 章敏 (学習院大理) |
| 2 |
13:40～14:10 |
高分解能マイクロX線回折法による半導体デバイス・材料の局所歪測定 |
木村 滋 (JASRI) |
| 3 |
14:10～14:40 |
X線CTR散乱解析による化合物半導体異種接合層：界面での原子分布の解析 |
田渕 雅夫 (名古屋大VBL) |
| 4 |
14:40～15:10 |
結晶成長のその場観察：GaAs上InAs成長の時分割X線回折 |
高橋 正光 (JAEA) |
| 15:10～15:25 |
休 憩
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| 5 |
15:25～15:55 |
時間分解X線回折によるYFeO3の過冷凝固時に形成される準安定相の構造決定 |
長汐 晃輔 (JAXA) |
| 6 |
15:55～16:25 |
X線結晶構造解析：MEM/Rietveldを用いた精密構造物性の研究 |
高田 昌樹 (JASRI) |
| 7 |
16:25～16:55 |
蛍光体の局所構造解析：白色LED用赤色蛍光体CaAlSiN3::EuのEu近傍の状態 |
瀬戸 孝俊 (三菱化学) |
| 8 |
16:55～17:20 |
蛍光X線ホログラフィー:ドーパント周辺の3次元局所構造解析 |
林 好一 (東北大金研) |
