| 1 |
13:00～13:10 |
イントロダクトリートーク |
小野 春彦 (神奈川県産技セ) |
| 2 |
13:10～13:40 |
熱反応堆積法によるシリサイド系半導体材料の成長 |
立岡 浩一 (静大工) |
| 3 |
13:40～14:10 |
シリサイド半導体のバンドギャップエンジニアリング -アルカリ土類金属シリサイドを例に- |
末益 崇、塚田 大、松本 雄太 (筑波大電子物理) |
| 4 |
14:10～14:40 |
鉄シリサイドのフォトニックデバイスへの展開 |
前田 佳均 (京大エネルギー科学) |
| 5 |
14:40～15:10 |
直接遷移型半導体シリサイド及び強磁性シリサイドの高品位成長 -シリサイド系光・磁気融合型LSIを目指して- |
佐道 泰造1、浜屋 宏平1、前田 佳均2、宮尾 正信1（九大システム情報1，京大エネルギー科学2） |
| 15:10～15:30 |
休 憩
|
| 6 |
15:30～16:00 |
Si基板上β-FeSi2,Fe3Siナノドットの自己形成とその光学及び磁気特性 |
中村 芳明、市川 昌和 (東大工) |
| 7 |
16:00～16:30 |
Mg2SiおよびMg2Si1-xGex系の排熱発電デバイス応用と環境低負荷製造プロセス |
飯田 努1,赤坂 昌保1,浜田 典明2,根本 崇3,水戸 洋彦4,櫻木 史郎5,高梨 良文1(東理大基礎工1，東理大理工2，日本サーモスタット3，昭和KDE4，ユニオンマテリアル5) |
| 8 |
16:30～17:00 |
金属シリサイド・ジャーマナイド／半導体コンタクトの界面構造と電子物性制御 |
中塚 理1、酒井 朗2、財満 鎭明1 (名大工1，阪大基礎工2) |
| 9 |
17:00～17:30 |
先端トランジスタ応用を目指した不純物偏析ショットキー接合技術 |
木下 敦寛 (東芝研開セ) |
| 10 |
17:30～17:40 |
おわりに |
財部 健一 (岡山理科大) |
