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9:30～-9:35 |
開会挨拶 |
(教育・公益事業委員会委員長）槌田 博文 (オリンパス) |
| 2 |
9:35～10:20 |
融液，溶液からの結晶成長の概論 |
寺嶋 一高（湘南工科大） |
| 3 |
10:20～11:05 |
Siの結晶成長メカニズムと太陽電池用高品質Siバルク多結晶インゴットの成長技術 |
藤原 航三（東北大） |
| 4 |
11:05～11:50 |
イットリウム系高温酸化物超電導体の大型単結晶育成技術 |
和泉 輝郎（国際超電導セ） |
| 11:50～13:00 |
昼 休 み
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| 5 |
13:00～13:45 |
大型光学結晶の成長 |
島村 清史（物材機構） |
| 6 |
13:45～14:30 |
ソルボサーマル法単結晶成長 －ハイドロサーマル法作製水晶，ZnOからアモノサーマル法作製GaNまで－ |
福田 承生（東北大） |
| 7 |
14:30～15:15 |
NaフラックスLPE法によるGaN結晶育成 |
森 勇介（阪大） |
| 15:15～15:35 |
休 憩
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| 8 |
15:35～16:20 |
液相エピタキシー法による結晶育成 －酸化亜鉛固溶体への応用－ |
大橋 直樹（物材機構） |
| 9 |
16:20～17:05 |
溶液成長によるSiC単結晶育成の現状と課題 |
亀井 一人（住友金属） |
