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応用物理学会でのシンポジウム・スクール
■2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会 シンポジウム■
「Ⅲ-Ⅴ半導体MOVPE・HVPEの反応モデリングと装置設計」
平成23年8月29日
山形大学

1 13:00~13:15 イントロダクトリートーク
~いま、あらためて反応器モデルの基礎を~
杉山 正和 (東大院工)、江川 満(富士通研)
2 13:15~13:50 化合物半導体の原子レベル表面反応機構 伊藤 智徳(三重大院工)
3 13:50~14:25 GaAs系MOCVDにおける気相・表面反応機構解析とシミュレーション 霜垣 幸浩(東大工)
4 14:25~15:00 窒化物半導体MOCVDの反応モデルとシミュレーション 大川 和宏
(東京理科大理)
      15:00~15:15 休 憩
5 15:15~15:50 窒化物半導体MOCVDの高速化・大面積化 松本 功(大陽日酸EMC)
6 15:50~16:25 HVPEの熱力学的反応機構解析とリアクタ設計 纐纈 明伯、熊谷 義直、村上 尚(農工大・工学研究院)
7 16:25~17:00 HVPEによるGaNの超高速成長 吉田 丈洋、大島 祐一、渡辺 和俊、土屋 忠厳、三島 友義(日立電線)
 

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