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13:00～13:15 |
イントロダクトリートーク
～いま、あらためて反応器モデルの基礎を～ |
杉山 正和 (東大院工)、江川 満（富士通研） |
| 2 |
13:15～13:50 |
化合物半導体の原子レベル表面反応機構 |
伊藤 智徳（三重大院工） |
| 3 |
13:50～14:25 |
GaAs系MOCVDにおける気相・表面反応機構解析とシミュレーション |
霜垣 幸浩（東大工） |
| 4 |
14:25～15:00 |
窒化物半導体MOCVDの反応モデルとシミュレーション |
大川 和宏
（東京理科大理） |
| 15:00～15:15 |
休 憩
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| 5 |
15:15～15:50 |
窒化物半導体MOCVDの高速化・大面積化 |
松本 功（大陽日酸EMC) |
| 6 |
15:50～16:25 |
HVPEの熱力学的反応機構解析とリアクタ設計 |
纐纈 明伯、熊谷 義直、村上 尚（農工大・工学研究院） |
| 7 |
16:25～17:00 |
HVPEによるGaNの超高速成長 |
吉田 丈洋、大島 祐一、渡辺 和俊、土屋 忠厳、三島 友義（日立電線） |
