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応用物理学会でのシンポジウム・スクール
■2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム■
「ナノひずみエレクトロニクス
- 半導体ナノひずみの新規デバイス応用と高分解能測定 -」
平成24年3月15日
早稲田大学

1 13:00~13:10 はじめに 鈴木 秀俊 (宮崎大IRO)
2 13:10~13:50 元素及び化合物半導体の格子歪と欠陥 柿本 浩一,Bing Gao,中野 智,寒川 義裕(九州大学応力研)
3 13:50~14:15 半導体材料局所領域における微細構造・歪のX線マイクロ回折評価 酒井 朗1,吉川 純1,中村 芳明1,今井 康彦2,坂田 修身2,木村 滋2(阪大院基礎工1,高輝度光科学研究セ2)
4 14:15~14:40 ナノひずみ制御による超高密度InAs量子ドットの自己形成とそのデバイス応用 山口 浩一(電通大院情報理工)
5 14:40~15:05 半導体薄膜結晶のひずみを観る 桑野 範之1,桑原 崇彰2(九大産学連携センター1,九大総理工2)
      15:05~15:20 休 憩
6 15:20~16:00 半導体とひずみ 上田 修(金沢工大)
7 16:00~16:25 X線ベリー位相効果を用いた新しい微小歪み評価法 香村 芳樹,澤田 桂,石川 哲也(理研SPring-8センター)
8 16:25~16:50 放射光を用いたナノひずみのその場測定と制御 高橋 正光(原子力機構)
9 16:50~17:15 透過型電子顕微鏡を用いた半導体デバイスの解析 遠藤 徳明,奥西 栄治,近藤 行人 (日本電子)
 

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