| 1 |
13:00～13:10 |
はじめに |
鈴木 秀俊 (宮崎大IRO) |
| 2 |
13:10～13:50 |
元素及び化合物半導体の格子歪と欠陥 |
柿本 浩一，Bing Gao，中野 智，寒川 義裕（九州大学応力研） |
| 3 |
13:50～14:15 |
半導体材料局所領域における微細構造・歪のX線マイクロ回折評価 |
酒井 朗1，吉川 純1，中村 芳明1，今井 康彦2，坂田 修身2，木村 滋2（阪大院基礎工1，高輝度光科学研究セ2） |
| 4 |
14:15～14:40 |
ナノひずみ制御による超高密度InAs量子ドットの自己形成とそのデバイス応用 |
山口 浩一（電通大院情報理工） |
| 5 |
14:40～15:05 |
半導体薄膜結晶のひずみを観る |
桑野 範之1，桑原 崇彰2（九大産学連携センター1，九大総理工2) |
| 15:05～15:20 |
休 憩
|
| 6 |
15:20～16:00 |
半導体とひずみ |
上田 修（金沢工大） |
| 7 |
16:00～16:25 |
X線ベリー位相効果を用いた新しい微小歪み評価法 |
香村 芳樹，澤田 桂，石川 哲也（理研SPring-8センター） |
| 8 |
16:25～16:50 |
放射光を用いたナノひずみのその場測定と制御 |
高橋 正光（原子力機構） |
| 9 |
16:50～17:15 |
透過型電子顕微鏡を用いた半導体デバイスの解析 |
遠藤 徳明，奥西 栄治，近藤 行人 (日本電子) |
