| 1 |
13:00～13:15 |
オープニングトーク |
三宅秀人（三重大・工）、酒井 朗（阪大・基礎工） |
| 2 |
13:15～13:45 |
非平衡状態の能動的利用による窒化物特異構造の創製 |
藤岡 洋1,2、上野 耕平1、小林 篤1、太田 実雄1（1東大・生研、2JST ） |
| 3 |
13:45～14:15 |
蛍光SICの窒化物系白色LEDへの応用に向けた研究 |
上山 智1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、赤崎 勇1,2（1名城大・理工、2名大赤崎記念研） |
| 4 |
14:15～14:30 |
前駆体二段階生成HVPE法により作製したInN成長層の特性評価 |
富樫 理恵、斉藤 広伸、藤田 直人、今井 亮太、村上 尚、熊谷 義直、纐纈 明伯 （東京農工大・工） |
| 5 |
14:30～14:45 |
InN加圧MOVPE成長における立方晶混入メカニズム |
寒川 義裕1,2、濱田 達郎2、木村 健司3、片山 竜二3、松岡 隆志3、柿本 浩一1,2（1九大・応研、2九大院・工、3東北大・金研） |
| 6 |
14:45～15:00 |
高InNモル分率GaInNを用いたトンネル接合 |
南川 大智1、桑野 侑香1、河合 俊介1、森田 隆俊1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、赤崎 勇1,2（1名城大、2名大赤崎記念研） |
| 7 |
15:00～15:15 |
その場観察X線回折法を用いたGaInN/GaN超格子構造の最適化 |
山本 泰司1、飯田 大輔1、近藤 保成1、曽和 美保子1、梅田 慎也1、松原 大幸1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、赤崎 勇1,2（1名城大・理工、2名大赤崎記念研） |
| 15:15～15:30 |
休 憩
|
| 8 |
15:30～16:00 |
近接場分光法による窒化物半導体の再結合機構解明 |
川上 養一、船戸 充、金田 昭男 （京大院・工） |
| 9 |
16:00～16:30 |
窒化物半導体異種接合の評価と制御 |
佐藤 威友、赤澤 正道、橋詰 保（北大・量子集積エレ） |
| 10 |
16:30～16:45 |
酸化亜鉛基板上窒化物半導体の格子歪みと偏光特性 |
小林 篤1、玉木 啓晶1、太田 実雄1、藤岡 洋1,2（1東大・生研、2JST ） |
| 11 |
16:45～17:00 |
Eu添加GaNにおけるEu発光中心の局所構造に依存したエネルギー輸送 |
若松 龍太、李 東建、Dolf Timmerman、児島 貴徳、小泉 淳、藤原 康文（阪大院・工） |
| 12 |
17:00～17:15 |
AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率AlxGa1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価 |
秩父 重英1、石川 陽一1、古澤 健太郎1、田代 公則1、大友 友美1、三宅 秀人2、平松 和政2（1東北大・多元研、2三重大・工） |
| 17:15～17:30 |
休 憩
|
| 13 |
17:30～17:45 |
InGaN成長におけるIn取り込みの面方位依存性の理論検討 |
藤村 侑、村上 尚、熊谷 義直、纐纈 明伯 （東京農工大・工） |
| 14 |
17:45～18:00 |
c面Al2O3基板上にMOVPE成長したGaNの異常分散X線回折による極性判定 |
花田 貴1,2、稲葉 克彦3、正直 花奈子1、崔 正焄1、片山 竜二1,2、谷川 智之1,2、窪谷 茂幸1、松岡 隆志1,2（1東北大・金研、2JST、3リガクX線研） |
| 15 |
18:00～18:15 |
サファイヤ上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法によるAlN成長 |
西尾 剛1、鈴木 周平1、三宅 秀人1、平松 和政1、福山 博之2、徳本 有紀3、山田 陽一4（1三重大院・工、2東北大・多元研、3東大・生研、4山口大院・理工） |
| 16 |
18:15～18:30 |
Crystal domain microstructure analysis of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/sapphire template by asymmetric X-ray microdiffraction |
Khan Dinh1、Shotaro Takeuchi1、Kunihiko Nakamura1、Takuji Arauchi1、Yoshiaki Nakamura1、Hideto Miyake2、Kazumasu Hiramatsu2、Yasuhiko Imai3、Shigeru Kimura3、Akira Sakai1（1Osaka Univ.、2Mie Univ.、3SPring-8） |
| 17 |
18:30～19:00 |
窒化物半導体結晶成長の表面反応制御と三次元構造デバイス |
天野 浩（名大院・工、ARC） |
