| 1 |
13:15～13:45 |
陽電子による結晶特異構造中の点欠陥の光応答性と局所電界の評価 |
上殿 明良1，石橋 章司2，大島 永康3，鈴木 良一3，角谷 正友4，Tomas Palacios5 （筑波大数理1，産総研ナノシステム2，産総研計測フロンティア3，物材機構4，MIT EECS5） |
| 2 |
13:45～14:15 |
窒化物半導体結晶特異構造の構造解析評価－マルチスケール評価へのアプローチ－ |
酒井 朗1，竹内 正太郎1，中村 芳明1，三宅 秀人2，平松 和政2，今井 康彦3，木村 滋3 （阪大院基礎工1，三重大院工2，JASRI/SPring-83） |
| 3 |
14:15～14:30 |
III族原料流量変調エピタキシによるヒルロックフリー窒素極性GaN(000-1)薄膜の成長 |
赤坂 哲也，林 家弘，山本 秀樹 （日本電信電話） |
| 4 |
14:30～14:45 |
非晶質基板上への窒化物薄膜成長におけるグラフェンバッファー層の効果 |
孫 政佑1，石井 辰典1，太田 実雄1，小林 篤1，上野 耕平1，藤岡 洋1,2 （東大生研1，JST-CREST2） |
| 5 |
14:45～15:00 |
RF-MBE法によるα-In2O3/Sapphire上への窒化物半導体成長 |
荒木 努1，増田 直1，小林 知樹1，名西 憓之1，織田 真也2，人羅 俊実2 （立命館大1，ROCA2） |
| 15:00～15:15 |
休 憩
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| 6 |
15:15～15:45 |
混晶局在系における励起子多体効果 |
山田 陽一 （山口大院・理工） |
| 7 |
15:45～16:15 |
赤外分光によるキャリアダイナミクスおよび結晶特異構造評価 |
石谷 善博，森田 健，馬 蓓 （千葉大工） |
| 8 |
16:15～16:30 |
AlNのPLスペクトルにおける特異なピークの起源II |
石井 良太，船戸 充，川上 養一 （京大院工） |
| 9 |
16:30～16:45 |
GaNナノワイヤ量子ドットからの最大励起子分子束縛エネルギーの観測 |
ギ ヒョン チェ1，Mark Holmes1，加古 敏2，有田 宗貴1，荒川 泰彦1,2 （東大ナノ量子機構1，東大生研2） |
| 16:45～17:00 |
休 憩
|
| 10 |
17:00～17:15 |
イオンビームアシストMBEによる立方晶BN(111)薄膜の高品質化 |
平間 一行，谷保 芳孝，狩元 慎一，山本 秀樹 （NTT物性研） |
| 11 |
17:15～17:30 |
大電流駆動用(-201)β-Ga2O3基板上InGaN系LED |
飯塚 和幸1，鈴木 理紀也1，小石川 結樹1，脇本 大樹1，梅村 沙織1，後藤 健1，森島 嘉克1，倉又 朗人1，山腰 茂伸1，蘇 英陽2，沈 豫俊2，劉 家呈2 （タムラ製作所1，エピスター2） |
| 12 |
17:30～18:00 |
窒化物半導体の界面制御とナノラミネート特異構造を用いた電子デバイスの開発 |
小出 康夫，井村 将隆，劉 江偉，廖 梅勇 （物材機構） |
