| 1 |
13:15～13:45 |
パルス励起堆積法による新奇ヘテロエピ構造の創製 |
藤岡 洋1,2、上野 耕平1、小林 篤1、太田 実雄1 (1東大生研、2JST-ACCEL) |
| 2 |
13:45～14:15 |
窒化物半導体の成長表・界面制御と転位挙動
－ Naフラックス成長GaN結晶を中心に － |
酒井 朗1、浅津 宏伝1、竹内 正太郎1、中村 芳明1、今西 正幸2、今出 完2、森 勇介2 (1阪大院基礎工、2阪大院工) |
| 3 |
14:15～14:30 |
X線マイクロ回折を用いた3次元逆格子マップ解析による窒化物半導体結晶構造評価 |
鎌田 祥平1、竹内 正太郎1、ディンタン カン1、三宅 秀人2、平松 和政2、今井 康彦3、木村 滋3、酒井 朗1 (1阪大基礎工、2三重大院工、3JASRI/SPring-8) |
| 4 |
14:30～14:45 |
窒化物半導体MBE成長のその場放射光X線回折測定 |
高橋 正光1,2、佐々木 拓生1、出来 亮太2 (2原子力機構、2兵庫県立大学) |
| 14:45～15:00 |
休 憩
|
| 5 |
15:00～15:30 |
規則的配列InGaN/GaN系ナノコラムと発光デバイス応用 |
岸野 克巳1,2、石沢 峻介1、林 宏曉1、山野 晃司1、大音 隆男1、加納 達也1(1上智大理工、2上智ﾅﾉﾃｸｾﾝﾀｰ) |
| 6 |
15:30～15:45 |
GaN系半導体レーザーによる青紫色フェムト秒パルスの発生 |
河野 俊介、渡邊 秀輝、幸田 倫太郎、風田川 統之、成井 啓修 (ソニー) |
| 7 |
15:45～16:00 |
GaN/AlGaN系量子カスケードレーザの5.76THz、40Kにおける動作 |
寺嶋 亘、平山 秀樹 (理研) |
| 16:00～16:15 |
休 憩
|
| 8 |
16:15～16:45 |
AlN基板上への半極性AlGaN量子井戸のMOVPE成長と光物性 |
市川 修平、船戸 充、川上 養一 (京大院工) |
| 9 |
16:45～17:00 |
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性 |
小島 一信1、塚田 悠介2、古川 えりか1、斉藤 1,2、三川 豊2、久保 秀一2、池田 宏隆2、藤戸 健史2、上殿 明良3、秩父 重英1 (1東北大多元研、2三菱化学(株)、3筑波大物理工) |
| 10 |
17:00～17:15 |
n型AlInN/GaN DBR構造上青色マイクロLED |
池山 和希1、小塚 祐吾1、井野 匡貴1、赤木 孝信1、岩山 章1、小出 典克1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、赤﨑 勇1,2 (1名城大理工、2赤﨑記念研究センター) |
| 11 |
17:15～17:45 |
サファイア上への窒化物半導体エピタキシーにおける界面制御 |
三宅 秀人1、平松 和政2 (1三重大院地域イノベ、2三重大院工) |
