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13:30～13:45 |
イントロダクトリートーク
~発光イメージングから見えるもの~ |
沓掛 健太朗 (東北大) |
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13:45～14:15 |
【招待】太陽電池の絶対エレクトロルミネッセンス画像計測法と応用 |
秋山 英文 (東大) |
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14:15～14:30 |
PLイメージングを用いた強制汚染およびゲッタリングによる
多結晶 Si中の鉄およびニッケルの影響評価 |
鈴木 涼太 (明治大) |
| 4 |
14:30～15:00 |
【招待】フォトルミネッセンス・マッピング法による CIGS太陽電池の評価 |
白方 祥 (愛媛大) |
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15:00～15:15 |
EL測定を用いた GaAs太陽電池の構造評価と効率向上 |
井上智之 (東大) |
| 15:15～15:30 |
休 憩
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| 6 |
15:30～16:00 |
【招待】PLイメージングによる 4H-SiC結晶欠陥の評価 |
土田 秀一(電中研) |
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16:00～16:15 |
4H-SiC MOSFET中の単一表面欠陥の共焦点顕微鏡観察 |
梅田 享英 (筑波大) |
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16:15～16:45 |
【招待】時間空間分解カソードルミネッセンスによるIII族窒化物半導体の評価 |
秩父 重英 (東北大) |
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16:45～17:00 |
InGaN薄膜の分光CLマッピング像の温度依存性評価(2) |
倉井 聡 (山口大) |
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17:00～17:15 |
近接場過渡レンズ法による InGaN 単一量子井戸における キャリアダイナミクスの評価 |
塚本 真大 (京大) |
| 11 |
17:15～17:45 |
【招待】Nanoprobe-CL法による半導体ナノ結晶の顕微物性評価 |
渡辺 健太郎 (阪大) |
