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応用物理学会でのシンポジウム・スクール |
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■第77回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム■
「窒化物半導体の最前線
－欠陥のない結晶・デバイスを目指して－
」 |
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平成28年9月14日
朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
＊応用物理学会講演会会場 |
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| 1 |
13:00～13:05 |
はじめに |
天野 浩、白石 賢二（名大） |
| 2 |
13:05～13:35 |
窒化物デバイスの新展開 |
葛原 正明（福井大） |
| 3 |
13:35～14:05 |
GaNバルク結晶成長の新展開 |
森 勇介（阪大) |
| 4 |
14:05～14:35 |
GaNエピタキシャル成長の新展開 |
松岡 隆志（東北大） |
| 5 |
14:35～15:05 |
GaN結晶成長シミュレーションの新展開：
第一原理計算に基づくアプローチ |
寒川 義裕（九大） |
| 15:05～15:20 |
休 憩
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| 6 |
15:20～15:50 |
GaN系トランジスタにおける界面制御 |
橋詰 保（北大） |
| 7 |
15:50～16:20 |
GaN電子デバイスの可能性 |
清水 三聡（産総研） |
| 8 |
16:20～16:50 |
GaNパワーデバイスの現状 |
須田 淳（京大） |
| 9 |
16:50～17:20 |
GaN高周波デバイスの現状 |
原 直樹（富士通研） |
| 10 |
17:20～17:50 |
GaN光デバイスの現状 |
牛田 泰久（豊田合成） |
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