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応用物理学会でのシンポジウム・スクール
■第77回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム■

「窒化物半導体の最前線
-欠陥のない結晶・デバイスを目指して- 」
平成28年9月14日
朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
*応用物理学会講演会会場
1 13:00~13:05 はじめに 天野 浩、白石 賢二(名大)
2 13:05~13:35 窒化物デバイスの新展開 葛原 正明(福井大)
3 13:35~14:05 GaNバルク結晶成長の新展開 森 勇介(阪大)
4 14:05~14:35 GaNエピタキシャル成長の新展開

松岡 隆志(東北大)

5 14:35~15:05 GaN結晶成長シミュレーションの新展開:
第一原理計算に基づくアプローチ
寒川 義裕(九大)
      15:05~15:20 休 憩
6 15:20~15:50 GaN系トランジスタにおける界面制御 橋詰 保(北大)
7 15:50~16:20 GaN電子デバイスの可能性

清水 三聡(産総研)

8 16:20~16:50 GaNパワーデバイスの現状

須田 淳(京大)

9 16:50~17:20 GaN高周波デバイスの現状 原 直樹(富士通研)
10 17:20~17:50 GaN光デバイスの現状 牛田 泰久(豊田合成)
 

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