第42回　薄膜・表面物理基礎講座（2013年）
『薄膜の成長過程の解明と制御：薄膜のナノ構造を自由に制御するために』　

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協賛：
日本物理学会，日本化学会，電子情報通信学会，電気学会，日本表面科学会，日本真空学会，日本顕微鏡学会，日本分析化学会，日本質量分析学会，日本金属学会，触媒学会，電気化学会，表面技術協会，高分子学会，精密工学会，日本結晶学会，日本結晶成長学会，日本磁気学会，日本セラミックス協会（依頼中）

　薄膜プロセスは，LSIからパワーエレクトロニクスまで，ナノ構造を制御して高性能・高機能デバイスを作製する際の要であり，電子物性やデバイス応用にあわせてさまざまな手法が用いられております．しかしながら，昨今開発スピードが重視され，創製やその評価にかかわる研究に重点がおかれ，薄膜プロセスのメカニズムの解明やその知見を元にした制御手法の研究についてはやや手薄になっている感があります．そこで，薄膜の成長過程の解明を切り口に成膜プロセスの制御について，横断的かつ系統的に議論を深めることで，基礎から応用まで，また，無機材料から半導体まで，成膜メカニズム解明における種々の知見から見い出される新たな制御手法やアイディアの創出をはかり，ひいては，薄膜開発のスピ−ドアップや新規薄膜の開発に資するべく，今回企画しました．
　本基礎講座では，薄膜成長の研究において第一線でご活躍されております先生方に，まず，膜成長の基礎に関して2件，さらに，応用に関して4件(ITO膜、量子ドット，ナノカーボン，SiC膜等)展望していただきます．皆様の多数のご参加をお待ちしております．

日時：2013年11月25日(月) 10:00-17:20（受付開始 9:30）

場所：東工大蔵前会館ロイアルブルーホール
　　　(東京都目黒区大岡山2-12-1
　　　 TEL:03-5734-3737
　　　東急大井町線・目黒線大岡山駅下車徒歩1分)
　　　http://www.somuka.titech.ac.jp/ttf/access/ (アクセスマップ)

１.プログラム：

２．参加費：テキスト代、消費税含む

*薄膜・表面物理分科会賛助会社の方は，分科会会員扱いと致します．

**応用物理学会賛助会社の方は，応用物理学会会員扱いと致します．

***現在非会員の方でも，参加登録時に薄膜・表面物理分科会(年会費A会員：3，000円，B会員：2，200円）にご入会いただければ，本基礎講座より会員扱いとさせて頂きます．
http://www.jsap.or.jp/join/kojin.html より入会登録を行い，仮会員番号を取得後，本基礎講座にお申込み下さい．
入会決定後，年会費請求書をお送りいたします．(年会費を基礎講座参加費と同時にお振込なさらないで下さい）

３．定員： 80名
　　受講費支払い順に受付け，満員になり次第締め切ります

４．参加申込締切：
　　2013年11月18日(月)

５．参加申込方法：
下記分科会ホームページ内の登録フォームにて参加登録してください．
https://annex.jsap.or.jp/phpESP/public/survey.php?name=HakuhyouKisokouza42

参加登録完了後，ご連絡いただいた期日までに，下記銀行口座に参加費をお振込みください．
原則として参加費の払い戻し，請求書の発行は致しません．
領収書は当日会場にてお渡し致します．

６ ．参加費振込期限 ： 2013年11月22日(木)

７． 参加費振込先：
三井住友銀行 本店営業部（本店も可）
普通預金　9474715
（社）応用物理学会　薄膜・表面物理分科会 　
（シャ)　オウヨウブツリガッカイハクマク・ヒョウメンブツリブンカカイ

８．企画に関する問合せ先 ：

物質・材料研究機構　土佐　正弘
Tel: 029-851-3354 ex.6532
Fax: 029-859-2501
E-mail: tosa.masahiro＠nims.go.jp

金沢大学　徳田　規夫
Tel: 076-234-4875
Fax: 076-234-4870
E-mail: tokuda＠ec.t.kanazawa-u.ac.jp

９．参加登録に関する問い合わせ先 ：

応用物理学会事務局 分科会担当
上村さつき
Tel: 03-5802-0863
Fax: 03-5802-6250
E-mail:　kamimura＠jsap.or.jp