弊社はウェハ形状測定機 《 Dyvoce 》 をご案内しております。

AIによる自動分類で化合物半導体ウエハ検査の新たな業界標準

セラミックフォーラム（株）は、主にSiCやGaNなどのワイドギャップ半導体の販売、分析・測定・シミュレーションサービス等を幅広く取り扱う研究開発型の技術商社です。 半導体に関する質問、ウエハに製膜するエピの仕様の相談、DLTS測定の詳細など、お気軽にお問い合わせください。

パワーデバイス・５Gを支える材料、AlN単結晶ウエハー、GaN単結晶ウエハー、SiC単結晶ウエハー、SiC EPIウエハー、サファイアウエハーなどの供給、単結晶スライス用の固定ダイヤモンドワイヤーの供給、MOCVD用治具のドライ洗浄、NGウエハーの再生など。

サファイア基板・ダイヤモンド基板の育成から研磨までの一貫生産、ダイヤモンド基板のご用命はOrbrayへ。

結晶成長とデバイスのシミュレーション
融液成長・溶液成長・気相成長・光学デバイス・電子デバイス

高品質・安価・短納期でSiCウエハ関連製品をご提供させていただきます。
高純度SiC粉末・6-8インチSiCインゴット・6-8インチSiCバルクウエハ・6-8インチSiCエピウエハ

パワー半導体ウェーハ欠陥検査装置
東朋テクノロジーファインメカ事業部では、ＳｉＣウェーハに特化した欠陥検査装置カンデラ８５２０を中心にカンデラ８４２０、８７２０に加え、薄膜応力測定装置、膜厚測定装置、マクロムラ・異物検出装置、マクロ膜厚測定装置、ＨＡＬＬ効果・ＥＣＶによるキャリア特性測定装置をご提案しております。

ﾕｰｻﾞｰ様環境に応じて、CVD-SIC、SiCｺｰﾄ、Pyrolytic Graphite、黒鉛、ﾀﾞｲﾔﾓﾝﾄﾞｺｰﾄ等の高機能加工品を取り扱っております。

三星ダイヤモンド工業 革新的チップ化工法 ＳｎＢ

TanKeBlue Semiconductor社: SiC基板, Kyma technolgies社: GaNホモエピタキシャル基板, GaNテンプレート, AlNテンプレート, Ga2O3基板

2025年3月5日（水）から7日（金）に幕張メッセで先進パワー半導体ウエハ加工技術に関する展示会「SiC,GaN加工技術展」を開催します。スライシング、研削、研磨、CMP加工技術、ウエハ評価技術等を展示、関係者によるパネルディスカッションや先進パワー半導体分科会による第28回研究会も開催いたします。

Sicエピウェーハを長年専念し、研究開発、生産、販売を一貫したグローバルメーカーであります。世界大手SiCデバイスメーカーTop 5社の4社に長期サプライヤとして納品しており、安定した品質、大規模生産により優れたコストパフォーマンスで高い評価を頂いています。xEV車用エピウェーハ７年間の納品実績を持っており、７年間品質クレームゼロの実績が達成しております。中華圏で初めて、SiC８inchエピウェーハを大手デバイスメーカに量産納品しております。海外第二製造拠点を建設中。

弊社は中国との輸出入を主な事業とする貿易商社です。SiCウエハを中心とした半導体材料を中国各所より仕入れ、日本にて輸入販売しています。主な取扱製品：SiCウエハ（インゴット）、GaNウエハ、AlNウエハ、ダイヤモンドウエハ、はんだ材など。

全自動薄膜検査装置は、信頼性の高い独自のセンサーを搭載し、非破壊・非接触の自動測定を可能にしたこのシステムにより、ウェハに関する膜厚・結晶化率・欠陥・異物検出といった様々な重要パラメーターをタイムリーに提供します。

石英ガラス・単結晶＆多結晶シリコンの受託加工が主力事業になります。 機械加工、火加工を駆使しリングやプレートの様な製品から大型のチューブやボートの様な立体形状の製品も対応可能です。
※立体形状品は石英のみ

主にSi、SiC、GaNなどを対象に高エネルギープロトンおよびヘリウムイオン照射・電子線照射サービスを行っております。

よりよい環境を次世代にー 株式会社第一機電
3つの加熱方式やハイブリッド加熱を活用した各種装置を製作しています。社内オープンラボと加熱シミュレーションをいかしてより効率的な装置構成を提案し、新素材開発から量産までサポートいたします。FPGAを用いたフルデジタル制御高周波電源を開発して、高速制御とコストダウン・省スペース化を実現しています。

弊社では高品質SiCエピタキシャルウェハを販売しております。