先進パワー半導体分科会 第11回講演会

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[ Advanced Power Semiconductors Division ]

チュートリアル

先進パワー半導体分科会 チュートリアル

◇日時:11月24日(日) 13:00~18:50

◇場所:Gメッセ群馬 3階 301会議室

 https://www.g-messe-gunma.jp/

先進パワー半導体分科会第11回講演会に先立ち、チュートリアルを開催します。パワー半導体を研究している大学院生や若手研究者を主な対象とし、パワー半導体デバイスの適用先であるパワーエレクトロニクスの基礎から、パワー半導体デバイスの基礎、現在の主流であるシリコンパワー半導体の変遷、SiCを始めとする次世代WBGデバイスの開発事例について、一流の講師陣からご講演いただきます。

プログラム

  • 12:30~
    開場
  • 13:00~14:20
    パワーエレクトロニクスの基礎とエネルギー変換:理論と実践
    佐藤 宣夫
    (千葉工業大学)
  • 14:20~14:30
    休憩
  • 14:30~15:50
    パワーデバイスと信頼性の基礎
    矢野 裕司
    (筑波大学)
  • 15:50~16:00
    休憩
  • 16:00~17:20
    シリコンパワーデバイスの変遷と動向
    藤島 直人
    (富士電機)
  • 17:20~17:30
    休憩
  • 17:30~18:50
    SiC、WBGパワーデバイスの進展
    原田 信介
    (産総研)
チュートリアルプログラムの詳細はこちら

参加を希望される方へ

  • ・参加受付: WEB参加受付システム(調整中)から参加登録と参加費の決済をお願いします。席数に限りがあるため早期に参加受付を終了することがあります。

  • ・参加費: (消費税込み)
    早期申込(11月8日まで)
     先進パワー半導体分科会会員* 3,000円、分科会学生会員 1,000円、一般 6,000円、一般学生 2,000円
    11月9日以降
     先進パワー半導体分科会会員* 5,000円、分科会学生会員 3,000円、一般 8,000円、一般学生 4,000円
      *先進パワー半導体分科会賛助会員所属の方は先進パワー半導体分科会会員扱いとします。

  • ・現地開催におけるご協力のお願い: 発熱がある場合は当日の現地参加はご遠慮ください。会場でのマスクの着用は任意とします。

  • ・問合せ先: (各種手続きに関するお問い合わせは応用物理学会事務局までお願いします):
     新井 学 (名古屋大学)    e-mail: marai [at] imass.nagoya-u.ac.jp
     田中 亮 (富士電機)    e-mail: tanaka-ryou [at] fujielectric.com
     ※白石 陽子(応用物理学会事務局) e-mail: shiraishi [at] jsap.or.jp