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[ Advanced Power Semiconductors Division ]
招待講演
※題目は変更となる可能性がございます。
基調講演
・小西 勝也(ルネサスエレクトロニクス)
「ルネサスにおけるパワー半導体の取り組み ~Back on the map~」
・高橋 良和(東北大学)
「ワイドバンドギャップ(WBG)パワーデバイスの優れた特性を活かすパッケージ/モジュール技術の研究」
他1件の予定
※タイトルはいずれも(仮)です
招待講演
・宇治原 徹(名古屋大学)
「数値計算を駆使したマクロステップの挙動の基礎的理解に基づくSiC溶液法技術の開発」
・乗松 航(早稲田大学)
「SiC(0001)表面におけるステップバンチングおよびアンバンチング現象」
・西尾 譲司(東芝)
「SiCの基底面転位と単一ショックレー型積層欠陥」
・吉岡 裕典(産業技術総合研究所)
「4H-SiC MOSFETのチャネル伝導度が(0001)面で特に低い原因: 波動関数の界面極近傍への特異な局在」
・立木 馨大(京都大学)
「酸化排除プロセスによるSiC (0001), (11-20), (1-100)MOSFETの移動度向上」
・竹中 研介(産業技術総合研究所)
「ダブルインプラプロセスによるSiC-SJ-UMOSFETの通電劣化の抑制効果」
・山下 侑佑(豊田中央研究所)
「車載用RC-IGBTの低損失化技術および信頼性試験結果の解析」
・田中 亮(富士電機)
「GaN縦型MOSFET技術開発」
・須田 淳(名古屋大学)
「AlNウエハとデバイスの開発」
・梅沢 仁(産業技術総合研究所)
「検出器応用に向けたダイヤモンド耐環境エレクトロニクス」
・中村 孝(大阪大学)
「SiCパワーデバイスの超高電圧機器への応用」
・和田 圭二(東京都立大学)
「SST(Solid State Transformer) の実現:パワーデバイスとシステム統合技術の融合」
※タイトルはいずれも(仮)です