基調講演

・小西 勝也（ルネサスエレクトロニクス）
「ルネサスにおけるパワー半導体の取り組み　～Back on the map～」

・高橋 良和（東北大学）
「ワイドバンドギャップ(WBG)パワーデバイスの優れた特性を活かすパッケージ/モジュール技術の研究」

・冨木 淳史（宇宙航空研究開発機構）
「宇宙用次世代パワー半導体とダイヤモンドデバイスの可能性」

招待講演

・宇治原 徹（名古屋大学）
「数値計算を駆使したマクロステップの挙動の基礎的理解に基づくSiC溶液法技術の開発」

・乗松 航（早稲田大学）
「SiC(0001)表面におけるステップバンチングおよびアンバンチング現象」

・西尾 譲司（東芝）
「SiCの基底面転位と単一ショックレー型積層欠陥」

・吉岡 裕典（産業技術総合研究所）
「4H-SiC MOSFETのチャネル伝導度が(0001)面で特に低い原因： 波動関数の界面極近傍への特異な局在」

・立木 馨大（京都大学）
「酸化排除プロセスによるSiC (0001), (11-20), (1-100)MOSFETの移動度向上」

・竹中 研介（産業技術総合研究所）
「ダブルインプラプロセスによるSiC-SJ-UMOSFETの通電劣化の抑制効果」

・山下 侑佑（豊田中央研究所）
「車載用RC-IGBTの低損失化技術および信頼性試験結果の解析」

・田中 亮（富士電機）
「GaN縦型MOSFET技術開発」

・須田 淳（名古屋大学）
「高品質AlN基板を活用した新たなAlN系電子デバイスの展開」

・梅沢 仁（産業技術総合研究所）
「検出器応用に向けたダイヤモンド耐環境エレクトロニクス」

・中村 孝（大阪大学）
「SiCパワーデバイスの超高電圧機器への応用」

・和田 圭二（東京都立大学）
「SST(Solid State Transformer) の実現：パワーデバイスとシステム統合技術の融合」

依頼講演

・藤本 博貴（大阪大学）
「表面界面反応制御に基づく高品質SiC MOS界面の形成」

・佐々木 琉（東京大学）
「NOによるSiC/SiO2界面への窒素導入速度論に対する雰囲気効果の理解」