常任幹事名簿
第53期:2024.4.1.~2025.3.31
幹事長
氏名
渡部 平司
所属
大阪大学 大学院工学研究科
研究内容
ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス、特にMOS構造や界面物性の理解とその制御に関する研究開発に加え、Ⅳ属混晶半導体を用いた新機能デバイスの作製技術の開発に取り組んでいます。
副幹事長
氏名
中村 雅一
所属
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学領域
研究内容
有機半導体やカーボンナノチューブなどを用いた超フレキシブルデバイスを創出するための研究を進めています。その一環として、走査型プローブ顕微鏡を始めとする独自の評価手法を開発する研究も行っています。
庶務幹事
氏名
佐道 泰造
所属
九州大学 大学院システム情報科学研究院
研究内容
次世代の集積回路やフレキシブル・エレクトロニクスの創出を目指し、絶縁膜上におけるIV族半導体薄膜の結晶成長とデバイス応用に関する研究を行っています。
会計幹事
氏名
高村 (山田) 由起子
所属
北陸先端科学技術大学院大学 先端科学技術研究科
研究内容
基板の上に新しい二次元材料をつくり、走査プローブ顕微鏡をはじめとする表面科学的な手法で構造と電子状態を調べる研究をしています。
氏名
有馬 健太
所属
大阪大学大学院工学研究科
研究内容
様々な半導体表面上での固液界面現象を理解し、エッチングや加工・洗浄といったデバイスプロセスの高度化を目指す表面科学の研究を進めています。また、表面濡れ特性の微視的観察やナノ材料の創製・触媒応用にも興味を持っています。
編集幹事
氏名
吉川 太朗
所属
株式会社ダイセル 研究開発本部/金沢大学 ナノマテリアル研究所
研究内容
爆轟法ナノダイヤモンドの新規用途の探索・開発に注力しています。特に、可視光を照射することで電子を放出し、周囲の二酸化炭素を一酸化炭素へと還元できる次世代の光触媒をベース材料として開発しています。
URL:https://ridb.kanazawa-u.ac.jp/public/detail.php?id=11451
氏名
秋山 亨
所属
三重大学大学院工学研究科
研究内容
半導体材料の形成機構や物性発現機構の解明を、第一原理計算等のシミュレーションに基づく研究により取り組んでいます。
URL:
広報幹事
氏名
内藤 正路
所属
九州工業大学大学院工学研究院
研究内容
炭素系新材料(カーボンナノチューブ、グラフェン、球状炭素微粒子等)の作製・評価に関する研究を行っています。最近では、新たなスパッタリング法を開発して透明導電膜や超撥水性薄膜の作製に挑戦しています。
氏名
山本 哲也
所属
高知工科大学大学院工学研究科/総合研究所マテリアルズデザインセンター
研究内容
酸化亜鉛、酸化インジウムなどワイドギャップ酸化物の成膜,評価及び理論構築を行っています。非層状二次元薄膜設計を目的に電気・光学・機械特性制御を可能とするサイズ効果、そして機能を顕在化させる成膜装置とプロセス開発、及び実装化を積み重ねています。
企画幹事
氏名
中村 雅一
所属
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学領域
研究内容
有機半導体やカーボンナノチューブなどを用いた超フレキシブルデバイスを創出するための研究を進めています。その一環として、走査型プローブ顕微鏡を始めとする独自の評価手法を開発する研究も行っています。
氏名
寺本 章伸
所属
広島大学 半導体産業技術研究所
研究内容
半導体デバイスの製造プロセス、デバイス構造と電気的な評価技術について研究しています。シリコン集積回路およびGaNやMoS2等の新しい半導体材料に関するデバイスの高性能化を目指しています。
URL: https://seeds.office.hiroshima-u.ac.jp/profile/ja.d1c20064a98438a2520e17560c007669.html
氏名
川井 茂樹
所属
物質・材料研究機構
研究内容
研究内容:超高真空・極低温で動作する超高分解能の走査型プローブ顕微鏡を用いて、表面での化学反応の開発や炭素ナノ構造体の合成など、単分子レベルの表面化学の研究を推進しています。
氏名
組頭 広志
所属
東北大学
研究内容
酸化物エレクトロニクスの創成を目指して、高輝度放射光を用いた酸化物の表面・界面物性の研究を行っております。その一環として、放射光ナノビームを用いた電子分光装置の開発に取り組んでいます。
URL: https://www2.tagen.tohoku.ac.jp/lab/kumigashira/html/index.html
事務局
氏名
岡本 晋一
所属
応用物理学会