Category Archives: 特別研究会
第24回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会
第24回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会のご案内
詳細PDF： 第24回イオンビーム特別研究会案内
主催： 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会
協賛： （予定）日本表面真空学会、日本物理学会
日時
2024年10月16日(水)13:00〜17日(木)15:00
開催形式
現地会場のみでの開催
現地会場
日本原子力研究開発機構 JAEA Tokai Mirai Base 3階研修室
JR東海駅から徒歩6分程度
内容
イオンビームを利用した表面・界面の各種解析および改質に関わる基礎と応用
招待講演：数件、一般講演：１０数件程度
プログラム
準備中
招待講演
・ Prof. Marko Karlušić, Ruđer Boškovic Institute (Croatia)
「Role of the ion track formation threshold in the nanostructuring of materials by swift heavy ion beams」
その他
参加費
・応用物理学会 薄膜・表面物理分科会会員 １０００円
・協賛団体会員・関連団体会員
（日本表面真空学会、日本物理学会、応用物理学会） ２０００円
・一般 ３０００円
・学生 無料
・招待講演者 無料
講演申込み締め切り： 8月30日（金）
A4で１頁のアブストラクト（英文）を提出して頂きます。
アブストラクト提出：https://www.t.kyoto-u.ac.jp/fs/qsec/ionbeam/2024/abstractsubmission
参加申込み締め切り：9月30日（月）
参加登録：https://eventpay.jp/event_info/?shop_code=1804158131583761&EventCode=P864761205
世話人
石川法人（日本原子力研究開発機構）
連絡先
〒319-1195 茨城県那珂郡東海村白方2-4
国立研究開発法人 日本原子力研究開発機構 照射材料工学研究グループ
石川法人
Tel: 029-282-6089
E-mail: ishikawa.norito@jaea.go.jp
更新：2024/5/8
Controlled growth and characterization 研究会
Controlled growth and characterization 研究会
日時
2024年3月29日(金)13:40〜3月30日(土)12:20
会場
名古屋大学 ES総合館 1F ES会議室
プログラム
3 月 29 日
13：40-14：00 受付
14：00-14：05 開会
14：05-14：40 SiC 表面反応の考察に基づく MOS 界面特性の制御
喜多浩之 （東京大学 新領域創成科学研究科物質系専攻）
14：40-15：15 表面科学的手法によるエピタキシャル二次元材料の構造・電子状態評価
高村(山田) 由起子 （北陸先端科学技術大学院大学 先端科学技術研究科）
15：15-15：35 休憩
15：35-16：10 成長核制御による特殊薄膜の成長とその熱電特性
中村芳明 （大阪大学 大学院基礎工学研究科）
16：10-16：45 脂質二分子膜と基板表面との相互作用
住友弘二 （兵庫県立 大学大学院工学研究科）
16：45-17：20 半導体薄膜形成に対する計算科学的アプローチ
秋山亨 （三重大学 大学院工学研究科)
17：20-17：40 自由討論
17：40-17：45 挨拶
3 月 30 日
9：40-9：55 受付
9：55-10：00 挨拶
10：00-10：35 機能性材料の保護と高度化を両立させる二次元物質コーティング
小川修一 （日本大学生産工学部）
10：35-11：10 原子間力顕微鏡による溶融金属中合金結晶成長過程の原子スケール その場観察
一井 崇 （京都大学 大学院工学研究科）
11：10-11：25 休憩
11：25-11：55 減圧 CVD による Si 量子ドットの自己組織化形成
牧原克典 （名古屋大学大学院 工学研究科）
11：55-12：15 自由討論
12：15-12：20 閉会
定員
50人
参加費
無料
世話人
住友弘二（兵庫県大），中村芳明（大阪大学）
更新：2024/3/2
第23回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会
第23回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会のご案内
共催： 応用物理学会・薄膜表面物理分科会、（公財）若狭湾エネルギー研究センター
協賛： 日本表面真空学会、日本物理学会
日時
2022年12月2日(金)13:00〜3日(土)15:00
開催形式
現地会場（国内在住者）とオンライン（海外からの参加者）を予定
現地会場
若狭湾エネルギー研究センター 第一・第二会議室
JR敦賀駅から貸し切りバスで送迎予定
内容
イオンビームを利用した表面・界面の各種解析および改質に関わる基礎と応用
招待講演：数件、一般講演：１０数件程度
プログラム
Oral: 15 min. talk and 5 min. discussion
Friday, December 2, 13:00−17:50
| Opening | ||
| 13:00-13:05 | Opening remarks | SUZUKI Kohtaku (The Wakawa Wan Energy Research Center) |
| Session 1 | Chair: TSUCHIYA Bun (Meijo University) | |
| 13:05-13:45 | Invited 1(Online) | MATHAYAN Vairavel Uppsala University |
| In-operando profiling of light elements in energy materials using coincidence techniques | ||
| 13:45-14:05 | Oral 1 | MORITA Kenji Nagoya Industrial Science Research Institute |
| Analysis of Change in Li Depth Profiles of Au/Ge/LATP/LMO/Au Battery by Means of ERD and RBS Techniques with 9 MeV O+4 Ions | ||
| 14:05-14:25 | Oral 2 | KODERA Taku Meijo University |
| Hydrogen and Lithium Measurements in Near Surface of Water-soaked LATP Solid Electrolytes Using Elastic Recoil Detection Techniques | ||
| 14:25-14:40 | Break | |
| Session 2 | Chair: SEKI Toshio (Kyoto University) | |
| 14:40-15:00 | Oral 3 | TSUCHIYA Bun Meijo University |
| In-situ Hydrogen Distribution Analysis in LiCoO2 by Water Uptake at Room Temperature Using Elastic Recoil Detection in Air Atmosphere | ||
| 15:00−15:20 | Oral 4 | DAS Sudhansu Sekhar The University of Tokyo |
| Hydrogen depth profile in Platinum film using the 1H(15N,αγ)12C nuclear reaction analysis | ||
| 15:20−15:40 | Oral 5 | HASEGAWA Chika Kyoto Prefectural University |
| Development of TOF-ERDA system and application to ASSLB measurements | ||
| 15:40−15:55 | Break | |
| Session 3 | Chair: KINOMURA Atsushi (Kyoto University) | |
| 15:55-16:15 | Oral 6 | SUZUKI Taku National Institute for Materials Science |
| Spatial distribution analysis of oxygen vacancies injected into a rutile TiO2 single crystal at the electrode interface using SIMS and LEIS | ||
| 16:15-16:35 | Oral 7 | HIROE Masatoshi Kyoto University |
| Nanovoid evolution in hydrogen-implanted and annealed Si probed by slow positron beams | ||
| 16:35-16:55 | Oral 8 | WATANABE Hideo Kyusyu University |
| Hydrogen pickup of ion irradiated Zry-2 | ||
| 16:55-17:15 | Oral 9 | MORIBAYASHI Kengo National Institutes for Quantum Science and Technology (QST) |
| Effect of the thermalization of secondary electrons on plasma formation during the irradiation of heavy ions | ||
| 17:15-17:25 | Break | |
| Session for Sponsors | Chair: YASUDA Keisuke (Kyoto Prefectural University) | |
| 17:25-17:50 | Presentation 1 | KYOKUTO BOEKI KAISYA, Ltd. |
| Presentation 2 | ADCAP Vacuum Technology Co., Ltd. | |
| Presentation 3 | TechnoAP Co., Ltd. | |
| Presentation 4 | Pulsed Power Japan Laboratory Ltd. | |
Saturday, December 3, 9:00−13:00
| Session 4 | Chair: ISHIKAWA Norito (Japan Atomic Energy Agency) | |
| 9:00-9:40 | Invited 2(Online) | LANG Maik University of Tennessee |
| Characterization of Radiation Effects in Ceramics with Spallation Neutron Probes | ||
| 9:40−10:20 | Invited 3 | IWASE Akihiro The Wakasa Wan Energy Research Center |
| Surface modifications of lattice structures and physical properties of inorganic materials induced by energetic ion beam irradiation | ||
| 10:20−10:35 | Break | |
| Session 5 | Chair: TSUCHIDA Hidetsugu (Kyoto University) | |
| 10:35−10:55 | Oral 10 | ISHIKAWA Norito Japan Atomic Energy Agency (JAEA) |
| Nanostructure of Ceramics Irradiated with Swift Heavy Ions: TEM Study | ||
| 10:55−11:15 | Oral 11 | TOMITA Shigeo Tsukuba University |
| Projectile dependence on the convoy electron yield of fast molecular ions | ||
| 11:15−11:35 | Oral 12 | MAJIMA Takuya Kyoto University |
| Anion–Molecule Reactions Induced by MeV-energy heavy ions on the Methanol Droplet Surface | ||
| 11:35−11:55 | Oral 13 | UNO Naruki Kyoto University |
| Energy distribution of secondary electrons from single and multiple layer graphene bombarded by MeV Si cluster ions | ||
| 11:55−12:00 | Closing remarks | SUZUKI Kohtaku (The Wakawa Wan Energy Research Center) |
| 12:00 | Closing | |
| Tour | ||
| 12:00-13:00 | Tour for Wakasa Wan Energy Research Center | |
招待講演
・ Prof. Maik Lang, Department of Nuclear Engineering, University of Tennessee (USA)
「Characterization of Radiation Effects in Ceramics with Spallation Neutron Probes」
そのほか、Dr. Vairavel Mathayan, Applied Nuclear Physics Division, Department of Physics and Astronomy, Uppsala University (Sweden) 他を予定しています。
参加費
・応用物理学会 薄膜・表面物理分科会会員 １０００円
・協賛団体会員・関連団体会員
（日本表面真空学会、日本物理学会、応用物理学会） ２０００円
・一般 ３０００円
・学生 無料
・招待講演者 無料
講演申込み締め切り： 10月28日（金）
A4で１頁のアブストラクト（英文）を提出して頂きます。
アブストラクト提出：https://www.t.kyoto-u.ac.jp/fs/qsec/ionbeam/2022/abstractsubmission
参加申込み締め切り：11月14日（月）
参加登録：https://www.t.kyoto-u.ac.jp/fs/qsec/ionbeam/2022/registration
世話人
鈴木耕拓（若狭湾エネルギー研究センター）
連絡先
〒912-0192 福井県敦賀市長谷64-52-1
（公財）若狭湾エネルギー研究センター 研究開発部 鈴木耕拓
E-mail: ksuzuki@werc.or.jp、Tel: 0770-24-2300（代表）
更新：2022/11/30
第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会
「第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会
－材料・プロセス・デバイス特性の物理－」(EDIT27)のご案内
開催案内：EDIT27
主催： 応用物理学会・薄膜表面物理分科会
共催： 応用物理学会・シリコンテクノロジー分科会
協賛： 日本物理学会，日本化学会，日本金属学会，日本表面真空学会，電子情報通信学会，電気学会，触媒学会，電気化学会，表面技術協会，日本顕微鏡学会，日本セラミックス協会，精密工学会
開催助成： 公益財団法人 村田学術振興財団
日時
2022 年1 月28 日(金)～29 日(土)
場所
Webexによるオンライン開催(Live配信)
概要
IoTやセンサネットワークの基盤となる半導体電子デバイスにおいて，その開拓と変革が急速に進んでいます。従来のロジックLSIやメモリにおける新構造，新材料の導入はもとより，SiCやGaNなどのパワーデバイスの開発が進展し，各種センサ，MEMS/NEMS，電源デバイスの高性能化・集積化を進めるべく新しい展開が始まっています。多様な電子デバイスの性能向上，集積化と実用化に向けて，その鍵を握るのが界面テクノロジーです。異種材料界面の科学的な理解と制御がデバイス研究開発に不可欠となっています。本研究会は産･官･学の第一線の研究者がデバイス界面に関する様々なテーマについて基礎から応用まで理論と実験の両面から深く議論し，関連分野の発展に貢献することを目的としています。本研究会は1996年から2015年まで20回にわたり開催されてきた「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性研究会」,「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」の歴史を継承し，第21回より対象を広げ，新たな名称のもとスタートしました。各分野からの招待講演者のほかに，一般の口頭発表，ポスター発表を広く募集します。皆様のふるってのご参加をお待ちしております。
招待講演者（敬称略）
Ⅰ チュートリアル講演
・守屋剛(東京エレクトロン) 「インテリジェント制御による半導体製造装置のイノベーション」
Ⅱ 基調講演
・中野大樹(日本アイ・ビー・エム)「日本で初めての商用ゲート型量子コンピュータ」
・高木信一(東京大学)「先端ロジックCMOSのためのチャネル材料・デバイス技術」
・湯之上隆(微細加工研究所)「(仮)人類の文明に必要不可欠な半導体」
Ⅲ 海外招待講演
・Roger Loo (imec)「Epitaxial Ge Virtual Substrates and Ge-on Nothing on Si: Comparison of Material Properties」
・あと1名程度予定
Ⅳ 企画セッション
“半導体エレクトロニクス産業・工学の現在と将来展望（仮題）”
・世界的な半導体需要の高まりと各界の動向
・業界で求められている研究開発・人材像と将来展望
・製造装置・メモリ・アナログ・モビリティ 4 件の講演を予定
Ⅴ 招待講演
・長汐晃輔(東大) 「２次元層状物質の新機能デバイスへの展開」
・成田哲生(豊田中央研究所) 「AlSiO ゲート酸化膜を用いた GaN パワーMOSFET の進展と課題」
・小林正治(東大) 「酸化物材料による三次元集積メモリデバイスの新展開」
・中山隆史(千葉大) 「HfO2 強誘電相の安定化の仕組み：第一原理計算に基づく考察」
・吹留博一(東北大) 「SiC をプラットフォームとした低環境負荷Beyond 5G デバイスの創出とデバイス物理の研究」
・喜多浩之(東大) 「SiC の酸化反応と窒化反応の界面科学（仮題）」
定員
なし
参加費(消費税込)
EDIT27オンライン開催特別価格（PDFダウンロード資料代込み、冊子印刷無し）
- 薄膜・表面物理分科会 及び Siテクノロジー分科会会員 12,000円（税込）
- 応用物理学会・協賛学協会員 15,000円（税込）
- 一般 20,000円（税込）
- 学生およびシニア(2021年12月31日時点で満65歳以上) 4,000円（税込）
※薄膜及びSiテクノロジー分科会賛助会社の方は分科会会員扱い，応用物理学会賛助会社の方は応用物理学会会員扱いとします．
参加登録･決済
参加申込ページにてお申込下さい．登録完了後にクレジットカード決済ページへ進めます．
参加登録締切・決済期限
-
- 早期登録締切・決済期限：2021年12月24日（金）【登壇予定者は厳守をお願いいたします】
- 最終登録締切・決済期限：2022年1月29日（水）【会期中も登録可能です】
開催日に近い時期に登録されると，開催日にスムーズに参加できない場合があります．また，Webexの収容人数を超えた場合に参加をお断りすることがありますので，早期にご登録いただくことをお勧めします．
問合わせ先
EDIT27事務局 （E-mail: M-EDIT27-secretariat-ml@aist.go.jp）
ホームページ： http://www.edit-ws.jp/
*本研究会をご支援くださるスポンサーを募集しています（１口あたり 5万円）：予稿集(PDF 版)への広告掲載，研究会 HP や会期中の広告，参加 1 名無料などの特典あり。詳細は http://edit-ws.jp/sponsorship.html をご覧ください．
更新：2021/12/8
第22回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会
第22回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会のご案内
共催： 応用物理学会薄膜・表面物理分科会 名城大学理工学部
協賛： 日本表面真空学会 日本物理学会
日時
2021年12月3日(金)13:00〜4日(土)15:00
開催形式
現地会場とオンラインのハイブリット形式
現地会場
〒450-0002 名古屋市中村区名駅3-12-14今井ビル5F(下記参照)
オンライン会場
Zoomによる遠隔システムを使用（URLは参加登録者にメールでお知らせします。）
内容
低・中・高エネルギーイオン散乱による固体表面・界面の分析、およびイオンビームと固体表面との相互作用。 招待講演：３件、一般講演：１０数件程度。
招待講演
・高廣 克己 先生（京都工芸繊維大学）
「大気またはArプラズマに曝されたAgナノ粒子のイオンビーム分析と表面増強ラマン散乱分光」
・鈴木 耕拓 先生（若狭湾エネルギー研究センター）
「MeVイオンビームを用いた液体分析研究」
・土田 秀次 先生（京都大学）
「イオンビームによる質量分析法を用いた水中における生体分子放射線損傷の研究」
参加費
・応用物理学会 薄膜・表面物理分科会会員 1,000円
・協賛団体会員 2,000円、一般 3,000円、 学生 無料、招待講演者 無料
参加費の振込先（支払い締め切りは12月1日(水)まで）
・ゆうちょ銀行 記号：１４４００ 番号：４５５５６２８１
口座名：イオンビーム研究会（イオンビームケンキュウカイ）
・他金融機関からの振込の場合 店名：四四八（読み ヨンヨンハチ） 店番：４４８
預金種目：普通預金 口座番号：４５５５６２８
口座名：イオンビーム研究会（イオンビームケンキュウカイ）
講演申込み締め切り：10月29日(金) 11月13(土)まで延長
一般講演を申し込まれる場合は、学会HPのサイト（アブスト提出ページ
https://www.t.kyoto-u.ac.jp/fs/qsec/ionbeam/2021/abstractsubmission
）より投稿して下さい。
Word形式のファイルA4で1頁のアブストラクト(日本文)を提出して頂きます。
参加申込み締め切り：11月15日(月)
特別研究会に参加を申し込まれる場合は、学会HPのサイト（参加登録ページ
https://www.t.kyoto-u.ac.jp/fs/qsec/ionbeam/2021/registration
）よりお申し込み下さい。
世話人
土屋文（名城大学理工学部）
連絡先
〒468-8502 名古屋市天白区塩釜口1-501
名城大学理工学部教養教育 土屋文
E-mail: btsuchiya@meijo-u.ac.jp、 Tel: 052-832-1151
現地会場地図
更新：2021/6/4
第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会
「第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会
－材料・プロセス・デバイス特性の物理－」(EDIT26)のご案内
開催案内：EDIT26
主催： 応用物理学会・薄膜表面物理分科会
共催： シリコンテクノロジー分科会
協賛（予定）： 日本物理学会，日本化学会，日本金属学会，日本表面科学会，電子情報通信学会，電気学会，触媒学会，日本真空協会，電気化学会，表面技術協会，日本顕微鏡学会，日本セラミックス協会，精密工学会
日時
2021 年1 月22 日(金)～23 日(土)
場所
Webexによるオンライン開催(Live配信)
概要
IoTやセンサネットワークの基盤となる半導体電子デバイスにおいて，その開拓と変革が急速に進んでいます。従来のロジックLSIやメモリにおける新構造，新材料の導入はもとより，SiCやGaNなどのパワーデバイスの開発が進展し，各種センサ，MEMS/NEMS，電源デバイスの高性能化・集積化を進めるべく新しい展開が始まっています。多様な電子デバイスの性能向上，集積化と実用化に向けて，その鍵を握るのが界面テクノロジーです。異種材料界面の科学的な理解と制御がデバイス研究開発に不可欠となっています。本研究会は産･官･学の第一線の研究者がデバイス界面に関する様々なテーマについて基礎から応用まで理論と実験の両面から深く議論し，関連分野の発展に貢献することを目的としています。本研究会は1996年から2015年まで20回にわたり開催されてきた「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性研究会」,「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」の歴史を継承し，第21回より対象を広げ，新たな名称のもとスタートしました。各分野からの招待講演者のほかに，一般の口頭発表，ポスター発表を広く募集します。皆様のふるってのご参加をお待ちしております。
招待講演者（敬称略）
Ⅰ 特別基調講演（スペシャルレクチャー）
・鳥海明(元・東京大学) 「強誘電性の基礎とHfO2強誘電性の特徴(仮)」
Ⅱ 基調講演
・内山邦男(産総研) 「AIチップ設計拠点―日本のAIチップに向けた取り組みと世界の動きー」
・津田建二(国際技術ジャーナリスト) 「日本半導体の復活に世界の知恵を活かそう」
Ⅲ 招待講演
・森貴洋(産総研) 「シリコン量子計算機実現に向けたTFET型高温動作量子ビットの開発」
・中島寛(九大) 「DLTS法によるGeゲートスタック中のトラップ解析」
・若林整(東工大) 「TBA」
・高宮真(東大) 「ICとAIを用いたパワーデバイスの新たな価値創造」
・大原隆裕(ルネサス) 「強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中のAlナノクラスターおよび単層Si層がメモリ特性に与える効果」
・奥野潤(ソニーセミコンダクタソリューションズ) 「TBA」
Ⅳ 海外招待講演
・Hiroaki Arimura(imec)「Recent progress on Ge-based high mobility channel Logic technologies」
・あと１名程度予定
Ⅴ 企画セッション
“緊急開催！Web討論～日本の半導体産業のグローバル化と今後～”
・グローバル？オープンorクローズ市場
・コロナ禍が落とした影とこれから
・国内外４名程度のパネラーとのパネルディスカッションを企画
定員
200名
参加費(消費税込)
EDIT26オンライン開催特別価格（PDFダウンロード資料代込み、冊子印刷無し）
- 薄膜・表面物理分科会 及び Siテクノロジー分科会会員 12,000円（税込）
- 応用物理学会・協賛学協会員 15,000円（税込）
- 一般 20,000円（税込）
- 学生およびシニア(2020年12月31日時点で満65歳以上) 4,000円（税込）
※薄膜及びSiテクノロジー分科会賛助会社の方は分科会会員扱い，応用物理学会賛助会社の方は応用物理学会会員扱いとします。
参加登録締切・決済期限
- 早期登録締切・決済期限：2020年12月25日（金）【登壇予定者は厳守】
- 最終登録締切・決済期限：2021年1月20日（水）
研究会ウェブサイトにてお申込下さい。
問合わせ先
岡本 大(筑波大） E mail: okamoto.dai.gb@u.tsukuba.ac.jp
参加担当：応用物理学会事務局 五十嵐 周 E mail: registration@edit-ws.jp
ホームページ： http://www.edit-ws.jp/
*予稿集への広告掲載を募集します（5 万円/A4 白黒1 ページ）。詳細は上記までお問い合わせ下さい。
更新：2020/11/25
第21回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会
第21回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会のご案内
| 共催： | 応用物理学会・薄膜表面物理分科会 |
| 京都大学大学院工学研究科 附属量子理工学教育研究センター | |
| 協賛： | 日本表面真空学会、日本物理学会 |
標記の研究会は、以前「イオンビームによる表面・界面解析」という名称でしたが、より広い分野をカバーするため、名称を変更しました。下記の通り開催致しますので、多数の方々のご発表とご参加をお願いしたく、ご案内申し上げます。
日時
2020年12月4日（金）13:00－5日（土）15:00
場所（現地会場とオンラインのハイブリッド形式）
現地会場：京都大学宇治キャンパス 総合研究実験1号棟4階 HW401
〒611-0011 京都府宇治市五ヶ庄
内容
低・中・高エネルギーイオン散乱による固体表面・界面の分析、およびイオンビームと固体表面との相互作用。 招待講演：３件、一般講演：１０数件程度。
招待講演として，
・水田 博 先生（北陸先端科学技術大学院大学）
「集束ヘリウムイオンビームによるグラフェンのシングルナノメータ加工と機能デバイス応用」
・石原 達己 先生（九州大学）
「低エネルギーイオン散乱分光装置を用いる触媒材料の最外表面分析」
・雨倉 宏 先生（物質・材料研究機構）
「MeV C60イオンビーム照射によるナノ粒子の楕円変形」
プログラム
Oral: 15 min. talk and 10 min. discussion
Friday, December 4, 13:00−18:00
| 13:00 | Opening | |
| 13:00-13:05 | Opening remarks | TSUCHIDA Hidetsugu (Kyoto University) |
| Session 1 | Chair: SEKI Toshio (Kyoto University) | |
| 13:05-13:45 | Invited 1 | MIZUTA Hiroshi Japan Advanced Institute of Science and Technolog |
| Single-nanometer graphene patterning using focused helium ion beam and its application for advanced functional devices | ||
| 13:45-14:25 | Invited 2 | ISHIHARA Tatsumi Kyushu University |
| Outermost surface analysis of catalyst by low energy ion scattering | ||
| 14:25-14:50 | Oral 1 | FUKUTA Hiroaki Osaka Prefecture University |
| Surface atomic structure of cleaved CaF2(111) analyzed using low energy atom scattering spectroscopy | ||
| 14:50-15:15 | Oral 2 | SUZUKI Taku National Institute for Materials Science |
| He+ LEIS analysis combined with pulsed jet technique of ethanol sensing by a ZnO surface | 15:15-15:30 | Break |
| Session 2 | Chair: TSUCHIYA Bun (Meijo University) | |
| 15:30-16:10 | Invited 3 | AMEKURA Hiroshi National Institute for Materials Science |
| Shape elongation of metal nanoparticles embedded in solid matrix induced with MeV C60 cluster ion irradiation | ||
| 16:10-16:35 | Oral 3 | HOSHINO Yasushi Kanagawa University |
| Crystallization of thin amorphous Si layer by electron or ion beam irradiation: effect of electronic energy deposition | ||
| 16:35-17:00 | Oral 4 | TOMITA Shigeo University of Tsukuba |
| The threshold foil thickness for the disappearance of the vicinage effect on the convoy-electron yield | ||
| 17:00-17:15 | Break | |
| Session for Sponsors | Chair: NAKAJIMA Kaoru (Kyoto University) | |
| 17:15-17:45 | Presentation 1 | Hakuto Co., Ltd. |
| Presentation 2 | ADCAP Vacuum Technology Co., Ltd. | |
| Presentation 3 | Ion Technology Center Co., Ltd. | |
Saturday, December 5, 9:00−15:00
| Session 3 | Chair: TSUCHIDA Hidetsugu (Kyoto University) | |
| 9:00-9:25 | Oral 5 | MORIBAYASHI Kengo National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST) |
| Plasma formed by track potential and transport of secondary electrons in heavy ion irradiation on surfaces | ||
| 9:25-9:50 | Oral 6 | KANEKO Toshiaki Okayama University of Science |
| Kinetic emission of secondary electrons from carbon foil by swift ions — A consideration on Polya distribution — | ||
| 9:50-10:15 | Oral 7 | NARUMI Kazumasa National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST, Takasaki) |
| Measurement of Au sputtering yields by C60-ion bombardment | ||
| 10:15-10:40 | Oral 8 | OISHI Naoto Kochi University of Technology |
| Energy dependence of nanostructure formation by fast C60 cluster ion beam on Si | ||
| 10:40-10:55 | Break | |
| Session 4 | Chair: MAJIMA Takuya (Kyoto University) | |
| 10:55-11:20 | Oral 9 | KATO Ryo Meijo University |
| In-situ hydrogen analysis in lithium-cobalt oxides by water uptake at room temperature using air-elastic recoil detection | ||
| 11:20-11:45 | Oral 10 | SEKI Toshio Kyoto University |
| MeV-SIMS measurement of electrolyte dissolved lithium compound at atmospheric pressure | ||
| 11:45-12:10 | Oral 11 | USAMI Taiki Meijo University |
| In-situ direct measurement of lithium transfer at interface between LiCoO2 positive electrode and LATP solid electrolyte by ion-beam analysis | ||
| 12:10-13:15 | Lunch | |
| Session 5 | Chair: MATSUO Jiro (Kyoto University) | |
| 13:15-13:40 | Oral 12 | IKEDA Tokihiro RIKEN Nishina Center |
| Applications of MeV-ion microbeams produced by tapered glass capillary optics | ||
| 13:40-14:05 | Oral 13 | SUZUKI Kohtaku The Wakasa Wan Energy Research Center |
| Liquid analysis using in-air ERDA/RBS system at WERC | ||
| 14:05-14:30 | Oral 14 | MIZUNAMI Yuki Kyoto University |
| Study on reaction processes of secondary negative ions ejected from methanol droplets by fast heavy ion collisions | ||
| 14:30-14:55 | Oral 15 | NAKAJIMA Kaoru Kyoto University |
| Surface analysis of ionic liquid solutions of alkali metal salts by high-resolution RBS and ERDA | ||
| 14:55-15:00 | Closing remarks | SUZUKI Taku (National Institute for Materials Science) |
| 15:00 | Closing | |
言語
日本語（英語も可（スライドは英語））
講演における注意事項：スライドの保存や配布、講演の録画や録音は厳禁です。
オンラインで参加される方へのお願い：講演中はマイク「ミュート」、ビデオ「オフ」にして下さい。
質疑の際は、マイク「オン」、ビデオ「オン」にして、お名前とご所属を言ってから質問内容をお話し下さい。
懇親会
実施しません。
定員
１００名
参加費
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会会員 1,000円
協賛団体会員 2,000円， 一般 3,000円， 学生 無料， 招待講演者 無料
講演申込み締め切り：10月30日（金）
一般講演を申し込まれる場合は、学会HPのサイト（後日開設予定）よりお申し込み頂きます。
A4で１頁のアブストラクト（英文）を提出して頂きます。
参加申込み締め切り：11月16日（月）
参加登録ページ
https://www.t.kyoto-u.ac.jp/fs/qsec/ionbeam/2020/registration
アブスト提出ページ
https://www.t.kyoto-u.ac.jp/fs/qsec/ionbeam/2020/abstractsubmission
世話人：土田秀次（京都大学大学院工学研究科）
連絡先：〒611-0011 京都府宇治市五ヶ庄
京都大学工学研究科附属量子理工学教育研究センター 土田秀次
E-mail: tsuchida@nucleng.kyoto-u.ac.jp, Tel: 0774-38-3974
宿泊施設の確保は各自でお願いします．
アクセス
京都駅からJR奈良線の各駅停車に乗車し、JR黄檗（おうばく）駅降車 徒歩5分 。(所要時間:35分、240円)
アクセスマップ http://www.uji.kyoto-u.ac.jp/campus/access.html
宇治キャンパスマップ http://www.uji.kyoto-u.ac.jp/campus/map.html
もご覧ください．
更新：2020/9/24
2019年度 薄表研究会のお知らせ
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 2019年度 薄膜・表面物理研究会のご案内
日時
2020年2月8日（土）〜9日（日）
場所
高知工科大学（永国寺キャンパス、香美キャンパス）
参加費
無料（応用物理学会会員）、2000円（その他）
問合せ
中村 芳明（阪大） nakamura@ee.es.osaka-u.ac.jp
講演プログラム
２月８日（土）＠高知工科大学永国寺キャンパス（教育研究棟 A213室）
１４：３０〜１４：５０
研究紹介１ 「スピネルフェライト薄膜のエピタキシャル歪による誘導磁気異方性」
（筑波大学 柳原英人）
磁気異方性は保磁力の上限を決める因子であり、磁化と並んで磁性材料を特徴づける重要な物性値である。本研究では大きな磁気異方性を実現するための手法として、結晶に応力を与えて磁気異方性を誘導する磁気弾性効果に着目した。磁気弾性結合定数の大きなコバルトフェライトについて、薄膜化する際にエピタキシャル歪を導入することで、希土類系磁石材料のそれにも匹敵する巨大な磁気異方性を誘導可能であることをご紹介したい。
１４：５０〜１５：１０
研究紹介２ 「グラフェン系材料の合成と応用探索」
（産業技術総合研究所 山田貴壽）
グラフェン系材料の実用化を目指して、高速・連続成膜技術や材料特性を最大限に引き出す高機能化技術を開発している。さらに、グラフェン系材料の応用探索に取り組んでいる。
これまでに、Roll-to-Roll・プラズマCVD装置を開発し連続成膜を実現している。Roll-to-Roll方式による転写技術も開発し、グラフェンロールフィルムを作製した。作製したグラフェン透明導電フィルムによるヒーターや有機EL素子について紹介する。さらに、カリウム添加n型グラフェンの特性について報告する。また、垂直配向グラフェンの低反射材や電子放出源への応用例も紹介する。
１５：１０〜１５：５５
招待講演１ 「ミスト流を利用した機能膜形成手法―ミストCVD法」
（高知工科大 川原村 敏幸）
環境負荷低減や設備・運転・整備などにかかる費用を削減するため、最近大気圧かつ溶液系の機能薄膜形成手法が注目されている。スプレー法やAACVDといわれる技術がその代表格である。ミストCVDはそれらの手法と同等の技術で有るが、ミスト(気液混相)流の特徴に着目して原料流れを上手に操作することで薄膜の特性を高度に制御する事が可能となり、他の技術とは一線を画した技術に進化しつつある。本発表ではZnOなどの金属酸化物を対象に、ミストCVD技術と機能薄膜形成メカニズムについて詳しく報告する。
１６：１０〜１６：３０
研究紹介３ 「IoT 活用を目指した低温熱電発電用ナノ材料の創製」
（大阪大学 中村芳明）
IoT センサに活用できる電源が必要とされている。その中で、身の周りのどこにでもある低温の未利用熱を使った熱電発電が有望視されているが、一般にエネルギー変換効率が低いといった問題がある。そこで、高性能熱電材料の開発が精力的に行われ、その取り組みの中で、ナノ構造を用いたアプローチ法が注目を浴びている。本講演では、高性能の環境調和型熱電材料を創成するためのナノ構造設計指針を提案し、実際に高性能化に成功したナノ構造含有薄膜（ナノ材料）の例について紹介する。
１６：３０〜１７：１５
招待講演２ 「低融点金属を主とする金属酸化物半導体薄膜におけるOエンジニアリング」
（高知工科大 山本哲也）
融点が低い金属 Zn, In, Ga, 及び Sn などを用いる酸化物半導体 (MO) 薄膜における O エンジニアリングを議論する。ガラス基板やフレキシブルポリマーフィルム基板などの上へ MO 薄膜を成膜する場合の課題は下記の通りである。界面密着性、多結晶薄膜内配向性、結晶子内酸素空孔及び粒界表面上吸着酸素及び残留アルゴン制御。上記課題を解決すべく 100 eV 以下なるエネルギーを特徴とする正イオンフラックスや独自開発の酸素負イオン生成・照射技術など設計的 O エンジニアリングによる成果（高ホール移動度 (In2O3:Ce, H) や酸素空孔消滅 (ZnO) など）を紹介する。
２月９日（日）＠高知工科大学香美キャンパス
１０：００〜１２：００
山本哲也研等ラボ見学
アクセス
１日目：高知工科大学永国寺キャンパス
アクセス https://www.kochi-tech.ac.jp/about/campus/eikokuji.html
２日目：高知工科大学香美キャンパス
アクセス https://www.kochi-tech.ac.jp/about/campus/kami.html
集合写真など
更新：2020/3/20
2019年度 薄表研究会中止のお知らせ
本研究会は、大型で非常に強い台風19号の接近予報があるため、中止になりました。(2019年10月7日決定)
応用物理学会 薄膜表面物理分科会 2019年度 薄表研究会のご案内
日時
2019年10月12日（土）〜13日（日）
場所
高知工科大学（永国寺キャンパス、香美キャンパス）
参加費
無料（応用物理学会会員）、1000円（その他）
問合せ
中村 芳明（阪大） nakamura@ee.es.osaka-u.ac.jp
講演プログラム
１０月１２日（土）＠高知工科大学永国寺キャンパス
１２：３０〜１４：３０
常任幹事会・幹事会
１４：３０〜１４：５０
研究紹介１ 「液相でのシランカップリング反応の実態」
（日本工業大学 福田めぐみ）
シランカップリング剤をもちいた表面改質の効率化を目指し、実際の反応メカニズムの解明に取り組んでいる。講演では有機シラン水溶液中での鉄粒子のゼータ電位と溶液のpHをもとにシランカップリング反応の実際について報告する。
１４：５０〜１５：１０
研究紹介２ 「グラフェン系材料の合成と応用探索」
（産業技術総合研究所 山田貴壽）
グラフェン系材料の実用化を目指して、高速・連続成膜技術や材料特性を最大限に引き出す高機能化技術を開発している。さらに、グラフェン系材料の応用探索に取り組んでいる。
これまでに、Roll-to-Roll・プラズマCVD装置を開発し連続成膜を実現している。Roll-to-Roll方式による転写技術も開発し、グラフェンロールフィルムを作製した。作製したグラフェン透明導電フィルムによるヒーターや有機EL素子について紹介する。さらに、カリウム添加n型グラフェンの特性について報告する。また、垂直配向グラフェンの低反射材や電子放出源への応用例も紹介する。
１５：１０〜１５：５５
招待講演１ 「ミスト流を利用した機能膜形成手法―ミストCVD法」
（高知工科大 川原村 敏幸）
環境負荷低減や設備・運転・整備などにかかる費用を削減するため、最近大気圧かつ溶液系の機能薄膜形成手法が注目されている。スプレー法やAACVDといわれる技術がその代表格である。ミストCVDはそれらの手法と同等の技術で有るが、ミスト(気液混相)流の特徴に着目して原料流れを上手に操作することで薄膜の特性を高度に制御する事が可能となり、他の技術とは一線を画した技術に進化しつつある。本発表ではZnOなどの金属酸化物を対象に、ミストCVD技術と機能薄膜形成メカニズムについて詳しく報告する。
１６：１０〜１６：３０
研究紹介３ 「IoT 活用を目指した低温熱電発電用ナノ材料の創製」
（大阪大学 中村芳明）
IoT センサに活用できる電源が必要とされている。その中で、身の周りのどこにでもある低温の未利用熱を使った熱電発電が有望視されているが、一般にエネルギー変換効率が低いといった問題がある。そこで、高性能熱電材料の開発が精力的に行われ、その取り組みの中で、ナノ構造を用いたアプローチ法が注目を浴びている。本講演では、高性能の環境調和型熱電材料を創成するためのナノ構造設計指針を提案し、実際に高性能化に成功したナノ構造含有薄膜（ナノ材料）の例について紹介する。
１６：３０〜１７：１５
招待講演２ 「低融点金属を主とする金属酸化物半導体薄膜におけるOエンジニアリング」
（高知工科大 山本哲也）
融点が低い金属 Zn, In, Ga, 及び Sn などを用いる酸化物半導体 (MO) 薄膜における O エンジニアリングを議論する。ガラス基板やフレキシブルポリマーフィルム基板などの上へ MO 薄膜を成膜する場合の課題は下記の通りである。界面密着性、多結晶薄膜内配向性、結晶子内酸素空孔及び粒界表面上吸着酸素及び残留アルゴン制御。上記課題を解決すべく 100 eV 以下なるエネルギーを特徴とする正イオンフラックスや独自開発の酸素負イオン生成・照射技術など設計的 O エンジニアリングによる成果（高ホール移動度 (In2O3:Ce, H) や酸素空孔消滅 (ZnO) など）を紹介する。
１７：３０〜１９：３０
意見交換会
１０月１３日（日）＠高知工科大学香美キャンパス
１０：００〜１２：００
山本哲也研等ラボ見学
アクセス
１日目：高知工科大学永国寺キャンパス
アクセス https://www.kochi-tech.ac.jp/about/campus/eikokuji.html
２日目：高知工科大学香美キャンパス
アクセス https://www.kochi-tech.ac.jp/about/campus/kami.html
更新：2019/10/7
放射光若手国際ワークショップ
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会主催 “International Young Researchers Workshop on Synchrotron Radiation Science” (放射光若手国際ワークショップ)のご案内
日時
2019年9月3日(火)～4日(水)
場所
広島大学 東広島キャンパス 理学部E102他
参加費・懇親会費
参加費は無料、懇親会費は4000円
参加申し込み方法
会議ホームページの参加申込フォームからお申込み下さい↓
https://sites.google.com/view/yrsr2019/english
概要
本国際ワークショップは、高輝度光源を利用した先端研究や計測装置・技術開発、計測・マテリアルズインフォマティクス、海外放射光施設等、幅広い分野の先端研究者にご講演頂き、放射光に関わる若手研究者が、各分野の先端研究・手法・課題・近未来像を共有し、異分野間での知識交換や共同研究をスタートできる土壌の育成することを目指します。大学院生/若手研究者向けのチュートリアル講演や、ポスターセッション(ポスター賞有)も設けております。なお、全講演は英語で行われます。
問合せ
岩澤英明 (広島大) h-iwasawa@hiroshima-u.ac.jp
講演プログラム
9月3日(火)
12:00 受付開始
12:30-12:35 Opening
12:35-13:14 足立伸一 (KEK/PF) チュートリアル講演
13:15-13:40 松尾光一 (広島大HiSOR)
13:40-14:05 和田真一 (広島大理)
14:05-14:15 Coffee break
14:15-14:45 Soonnam Kwon (POSTECH)
14:45-15:10 大和田成起 (JASRI)
15:10-15:35 本山央人 (東大理)
15:35-16:00 久保田雄也 (JASRI)
16:00-17:20 Poster session and Coffee
17:20-17:45 岩崎悠真 (NEC)
17:45-18:10 沓掛健太郎 (理研AIP)
18:30-20:30 懇親会＠西条HAKUWAホテル
9月4日(水)
9:00-9:40 板谷治郎 (東大物性研)
10:05-10:30 三輪真嗣 (東大物性研)
10:30-10:55 永村直佳 (NIMS)
10:55-11:05 Coffee break
11:05-11:35 橋本信 (SSRL)
11:35-12:05 Donglai Feng (Fudan Univ.)
12:05-12:10 Photo
12:10-13:30 Poster session and Lunch
13:30-13:55 斎藤耕太郎 (PSI)
13:55-14:20 鈴木祐太(東京理科大)
14:20-14:30 Coffee break
14:30-15:00 岡本淳 (NSRRC)
15:00-15:25 宮脇淳 (東大物性研)
15:25-15:35 Coffee break
15:35-16:00 武市泰男 (KEK/PF)
16:00-16:40 高橋嘉夫 (東大理)
16:40-17:00 Poster award ceremony and Closing remarks
17:20-17:50 HiSORツアー
更新：2019/7/24